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LP2995

ACTIVO

Regulador de terminación DDR

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Detalles del producto

Vin (min) (V) 2.2 Vin (max) (V) 5.5 Vout (min) (V) 1.21 Vout (max) (V) 1.26 Features No external resistors Rating Catalog Operating temperature range (°C) 0 to 125 Iq (typ) (mA) 0.25 Product type DDR DDR memory type DDR
Vin (min) (V) 2.2 Vin (max) (V) 5.5 Vout (min) (V) 1.21 Vout (max) (V) 1.26 Features No external resistors Rating Catalog Operating temperature range (°C) 0 to 125 Iq (typ) (mA) 0.25 Product type DDR DDR memory type DDR
HSOIC (DDA) 8 29.4 mm² 4.9 x 6 SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6 WQFN (NHP) 16 16 mm² 4 x 4
  • Low Output Voltage Offset
  • Works with +5v, +3.3v and 2.5v Rails
  • Source and Sink Current
  • Low External Component Count
  • No External Resistors Required
  • Linear Topology
  • Available in SOIC-8, SO PowerPAD-8 or WQFN-16 Packages
  • Low Cost and Easy to Use

All trademarks are the property of their respective owners.

  • Low Output Voltage Offset
  • Works with +5v, +3.3v and 2.5v Rails
  • Source and Sink Current
  • Low External Component Count
  • No External Resistors Required
  • Linear Topology
  • Available in SOIC-8, SO PowerPAD-8 or WQFN-16 Packages
  • Low Cost and Easy to Use

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The LP2995 linear regulator is designed to meet the JEDEC SSTL-2 and SSTL-3 specifications for termination of DDR-SDRAM. The device contains a high-speed operational amplifier to provide excellent response to load transients. The output stage prevents shoot through while delivering 1.5A continuous current and transient peaks up to 3A in the application as required for DDR-SDRAM termination. The LP2995 also incorporates a VSENSE pin to provide superior load regulation and a VREF output as a reference for the chipset and DDR DIMMS.

The LP2995 linear regulator is designed to meet the JEDEC SSTL-2 and SSTL-3 specifications for termination of DDR-SDRAM. The device contains a high-speed operational amplifier to provide excellent response to load transients. The output stage prevents shoot through while delivering 1.5A continuous current and transient peaks up to 3A in the application as required for DDR-SDRAM termination. The LP2995 also incorporates a VSENSE pin to provide superior load regulation and a VREF output as a reference for the chipset and DDR DIMMS.
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Documentación técnica

star =Principal documentación para este producto seleccionada por TI
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Tipo Título Fecha
* Data sheet LP2995 DDR Termination Regulator datasheet (Rev. M) 19 mar 2013
Application note Limiting DDR Termination Regulators’ Inrush Current 23 ago 2016
EVM User's guide AN-1241 LP2995 Evaluation Board (Rev. B) 07 may 2013
Application note AN-1254 DDR-SDRAM Termination Simplified Using a Linear Regulator (Rev. A) 06 may 2013
Application note DDR-SDRAM Termination Simplified Using A Linear Regulator 23 jul 2002

Diseño y desarrollo

Para conocer los términos adicionales o los recursos necesarios, haga clic en cualquier título de abajo para ver la página de detalles cuando esté disponible.

Modelo de simulación

LP2995 PSpice Transient Model

SNVMAH6.ZIP (71 KB) - PSpice Model
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Modelo de simulación

LP2995 Unencrypted PSpice Transient Model

SNVMAH5.ZIP (4 KB) - PSpice Model
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Diseños de referencia

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Design guide: PDF
Esquema: PDF
Encapsulado Pines Símbolos CAD, huellas y modelos 3D
HSOIC (DDA) 8 Ultra Librarian
SOIC (D) 8 Ultra Librarian
WQFN (NHP) 16 Ultra Librarian
Se aplican los Términos y condiciones estándar de TI para los elementos de evaluación.

Pedidos y calidad

Información incluida:
  • RoHS
  • REACH
  • Marcado del dispositivo
  • Acabado de plomo/material de la bola
  • Clasificación de nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) / reflujo máximo
  • Estimaciones de tiempo medio entre fallas (MTBF)/fallas en el tiempo (FIT)
  • Contenido del material
  • Resumen de calificaciones
  • Monitoreo continuo de confiabilidad
Información incluida:
  • Lugar de fabricación
  • Lugar de ensamblaje

Los productos recomendados pueden tener parámetros, módulos de evaluación o diseños de referencia relacionados con este producto de TI.

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