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SN54AC00-SP

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Puertas NAND de 4 canales, 2 entradas, de 2 V a 6 V de calidad espacial

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SN54AC00-SP

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Detalles del producto

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CDIP (J) 14 130.4652 mm² 19.56 x 6.67 CFP (W) 14 58.023 mm² 9.21 x 6.3 DIESALE (KGD) — See data sheet
  • 5962R87549:
    • Radiation hardness assurance (RHA) up to TID 100 krad (Si)
    • SEL immune to 86 MeV×cm2/mg
  • 5962-87549:
    • Total ionizing dose 50 krad (Si)
  • 2 V to 6 V VCC operation
  • Inputs accept voltages to 6 V
  • Maximum tpd of 7 ns at 5 V
  • 5962R87549:
    • Radiation hardness assurance (RHA) up to TID 100 krad (Si)
    • SEL immune to 86 MeV×cm2/mg
  • 5962-87549:
    • Total ionizing dose 50 krad (Si)
  • 2 V to 6 V VCC operation
  • Inputs accept voltages to 6 V
  • Maximum tpd of 7 ns at 5 V

The SN54AC00 device contains four independent 2-input NAND gates. Each gate performs the Boolean function of Y = A • B or Y = A + B in positive logic.

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The SN54AC00 device contains four independent 2-input NAND gates. Each gate performs the Boolean function of Y = A • B or Y = A + B in positive logic.

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Documentación técnica

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Tipo Título Fecha
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Application note Live Insertion 01 oct 1996
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Diseño y desarrollo

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Placa de evaluación

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Desde: STAR-Dundee Ltd.
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Modelo de simulación

SN54AC00 IBIS Model

SCHM007.ZIP (22 KB) - IBIS Model
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Encapsulado Pines Símbolos CAD, huellas y modelos 3D
CDIP (J) 14 Ultra Librarian
CFP (W) 14 Ultra Librarian
DIESALE (KGD) —
Se aplican los Términos y condiciones estándar de TI para los elementos de evaluación.

Pedidos y calidad

Información incluida:
  • RoHS
  • REACH
  • Marcado del dispositivo
  • Acabado de plomo/material de la bola
  • Clasificación de nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) / reflujo máximo
  • Estimaciones de tiempo medio entre fallas (MTBF)/fallas en el tiempo (FIT)
  • Contenido del material
  • Resumen de calificaciones
  • Monitoreo continuo de confiabilidad
Información incluida:
  • Lugar de fabricación
  • Lugar de ensamblaje

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