Detalles del producto

Package name SOT-5X3 Peak pulse power (8/20 μs) (max) (W) 25 Vrwm (V) 5 Bi-/uni-directional Uni-Directional Number of channels 4 IO capacitance (typ) (pF) 11 IEC 61000-4-2 contact (±V) 15000 IEC 61000-4-5 (A) 2.5 Clamping voltage (V) 30 Dynamic resistance (typ) 2 Interface type GPIO, General purpose Breakdown voltage (min) (V) 6.1 IO leakage current (max) (nA) 100 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
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SOT-5X3 (DRL) 5 2.56 mm² 1.6 x 1.6
  • IEC 61000-4-2 ESD Protection
    • ±15-kV IEC 61000-4-2 Contact Discharge
  • IEC 61000-4-5 Surge Protection
    • 2.5-A Peak Pulse Current (8/20-µs Pulse)
  • ANSI/ESDA/JEDEC JS-001
    • ±15-kV Human Body Model (HBM)
  • Four Unidirectional Voltage Suppression Diodes for use in ESD Protection
  • I/O Breakdown Voltage, VBR = 6.1 V (Minimum)
  • I/O Capacitance 11 pF (Typical)
  • Low Leakage Current < 100 nA
  • Very Small Printed-Circuit Board (PCB) Area < 2.6 mm2
  • High Integration
  • Suitable for High-Density Boards
  • IEC 61000-4-2 ESD Protection
    • ±15-kV IEC 61000-4-2 Contact Discharge
  • IEC 61000-4-5 Surge Protection
    • 2.5-A Peak Pulse Current (8/20-µs Pulse)
  • ANSI/ESDA/JEDEC JS-001
    • ±15-kV Human Body Model (HBM)
  • Four Unidirectional Voltage Suppression Diodes for use in ESD Protection
  • I/O Breakdown Voltage, VBR = 6.1 V (Minimum)
  • I/O Capacitance 11 pF (Typical)
  • Low Leakage Current < 100 nA
  • Very Small Printed-Circuit Board (PCB) Area < 2.6 mm2
  • High Integration
  • Suitable for High-Density Boards

The TPD4E002 device is a transient voltage suppressor (TVS) designed to protect up to four lines against electrostatic discharge (ESD) transients. The monolithic circuit design allows superior capacitance matching between the channels and reduced crosstalk. This device is ideal for applications where both reduced line capacitance and board space-saving are required.

The TPD4E002 device is a transient voltage suppressor (TVS) designed to protect up to four lines against electrostatic discharge (ESD) transients. The monolithic circuit design allows superior capacitance matching between the channels and reduced crosstalk. This device is ideal for applications where both reduced line capacitance and board space-saving are required.

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Tipo Título Fecha
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Diseño y desarrollo

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Placa de evaluación

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Encapsulado Pines Símbolos CAD, huellas y modelos 3D
SOT-5X3 (DRL) 5 Ultra Librarian

Pedidos y calidad

Información incluida:
  • RoHS
  • REACH
  • Marcado del dispositivo
  • Acabado de plomo/material de la bola
  • Clasificación de nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) / reflujo máximo
  • Estimaciones de tiempo medio entre fallas (MTBF)/fallas en el tiempo (FIT)
  • Contenido del material
  • Resumen de calificaciones
  • Monitoreo continuo de confiabilidad
Información incluida:
  • Lugar de fabricación
  • Lugar de ensamblaje

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Soporte y capacitación

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