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BQ76200

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ハイサイド N チャネル FET ドライバ

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製品詳細

Number of series cells (min) 3 Number of series cells (max) 16 Features High-side N-FET driver Operating current (typ) (µA) 40 Rating Catalog Vin (max) (V) 75 Operating temperature range (°C) -40 to 85
Number of series cells (min) 3 Number of series cells (max) 16 Features High-side N-FET driver Operating current (typ) (µA) 40 Rating Catalog Vin (max) (V) 75 Operating temperature range (°C) -40 to 85
TSSOP (PW) 16 32 mm² 5 x 6.4
  • CHGおよびDSGハイサイドNMOS FETドライバによる、バッテリ保護用FETの高速なターンオン/ターンオフ時間
  • プリチャージPFETドライバ（著しく消耗したセルパックの電流制限プリチャージ用）
  • 独立のデジタル・イネーブル制御による充電と放電
  • 最小限の必要外付け部品
  • 外付けコンデンサをベースとするスケーラブルなチャージ・ポンプにより、さまざまな範囲の並列FETに対応可能
  • 高耐圧（絶対最大定格100V）
  • 内部スイッチによりパック電圧のセンシングが可能
  • 共通/独立の充電および放電パス構成をサポート
  • bq76940、bq76930、bq76920バッテリ・モニタと直接連携可能な設計
  • 消費電流
    • 通常モード: 40µA
    • シャットダウン時：10µA未満
  • CHGおよびDSGハイサイドNMOS FETドライバによる、バッテリ保護用FETの高速なターンオン/ターンオフ時間
  • プリチャージPFETドライバ（著しく消耗したセルパックの電流制限プリチャージ用）
  • 独立のデジタル・イネーブル制御による充電と放電
  • 最小限の必要外付け部品
  • 外付けコンデンサをベースとするスケーラブルなチャージ・ポンプにより、さまざまな範囲の並列FETに対応可能
  • 高耐圧（絶対最大定格100V）
  • 内部スイッチによりパック電圧のセンシングが可能
  • 共通/独立の充電および放電パス構成をサポート
  • bq76940、bq76930、bq76920バッテリ・モニタと直接連携可能な設計
  • 消費電流
    • 通常モード: 40µA
    • シャットダウン時：10µA未満

bq76200デバイスは低消費電力、ハイサイドのNチャネル・システムです。ハイサイドの保護機能により、システム内のグランド切断が回避され、バッテリ・パックとホスト・システムとの間で連続的な通信も可能になります。このデバイスは、著しく消耗したバッテリに低電流でプリチャージできる追加のPチャネルFET制御機能と、ホストがPACK+電圧を検出するためのPACK+電圧モニタ制御機能を備えています。

独立したイネーブル入力を備えているため、CHGおよびDSG FETを別々にオン/オフでき、バッテリ・システムを柔軟に実装できます。

bq76200デバイスは、bq76920/30/40ファミリなどのコンパニオン・アナログ・フロント・エンド・デバイス、3～15直列セルのアナログ・フロント・エンド監視、およびホスト・マイクロコントローラまたは専用SOC (State-Of-Charge)トラッキング残量計デバイスと組み合わせて使用できます。

bq76200デバイスは低消費電力、ハイサイドのNチャネル・システムです。ハイサイドの保護機能により、システム内のグランド切断が回避され、バッテリ・パックとホスト・システムとの間で連続的な通信も可能になります。このデバイスは、著しく消耗したバッテリに低電流でプリチャージできる追加のPチャネルFET制御機能と、ホストがPACK+電圧を検出するためのPACK+電圧モニタ制御機能を備えています。

独立したイネーブル入力を備えているため、CHGおよびDSG FETを別々にオン/オフでき、バッテリ・システムを柔軟に実装できます。

bq76200デバイスは、bq76920/30/40ファミリなどのコンパニオン・アナログ・フロント・エンド・デバイス、3～15直列セルのアナログ・フロント・エンド監視、およびホスト・マイクロコントローラまたは専用SOC (State-Of-Charge)トラッキング残量計デバイスと組み合わせて使用できます。
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技術資料

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アプリケーション・ノート FET Configurations for the bq76200 High-Side N-Channel FET Driver (Rev. A) 2016年 2月 15日
EVM ユーザー ガイド (英語) bq76200EVM User's Guide 2015年 7月 27日

設計および開発

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評価ボード

BQ76200EVM-606 — bq76200 100V ハイサイド・デュアル NCH FET ドライバ評価モジュール

BQ76200EVM-606 は、パック電圧センス・イネーブル機能を搭載したハイサイド N チャネル FET ドライバである BQ76200 の動作実証を目的とする、部品実装済みの基板です。 一連のヘッダーに複数のシャントを取り付け、この基板に電力を供給すると、このデバイスの機能を制御し、基板上にある複数の FET を流れる電流を切り替えることができます。ねじ込み端子台を使用して、電源を接続します。複数のヘッダー・ピンまたは 1 個の端子台を使用して電流パスを制御できるように、この基板をマイコン (MCU) 基板や他の機器に接続することもできます。

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TI.com で取り扱いなし
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設計ガイド: PDF
回路図: PDF
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
TSSOP (PW) 16 Ultra Librarian
TI の評価品に関する標準契約約款が適用されます。

購入と品質

記載されている情報：
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

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