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CSD75208W1015

アクティブ

ゲートの ESD (静電気放電) 保護機能搭載、1 mm x 1.5mm の WLP 封止、デュアル、コモン ソース、108mΩ、-20V、P チャネル NexFET™ パワー MOSFET

製品詳細

VDS (V) -20 VGS (V) -6 Type P-channel Configuration Dual Common Source Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 108 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 150 VGSTH typ (typ) (V) -0.8 QG (typ) (nC) 1.9 QGD (typ) (nC) 0.23 QGS (typ) (nC) 0.48 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 1.6 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) -20 VGS (V) -6 Type P-channel Configuration Dual Common Source Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 108 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 150 VGSTH typ (typ) (V) -0.8 QG (typ) (nC) 1.9 QGD (typ) (nC) 0.23 QGS (typ) (nC) 0.48 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 1.6 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
DSBGA (YZC) 6 2.1875 mm² 1.75 x 1.25
  • Dual P-Channel MOSFETs
  • Common Source Configuration
  • Small Footprint 1 mm × 1.5 mm
  • Gate-Source Voltage Clamp
  • Gate ESD Protection –3 kV
  • Pb Free
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • Dual P-Channel MOSFETs
  • Common Source Configuration
  • Small Footprint 1 mm × 1.5 mm
  • Gate-Source Voltage Clamp
  • Gate ESD Protection –3 kV
  • Pb Free
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free

This device is designed to deliver the lowest on-resistance and gate charge in the smallest outline possible with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile. Low on-resistance coupled with the small footprint and low profile make the device ideal for battery operated space constrained applications.

This device is designed to deliver the lowest on-resistance and gate charge in the smallest outline possible with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile. Low on-resistance coupled with the small footprint and low profile make the device ideal for battery operated space constrained applications.

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技術資料

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種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート CSD75208W1015 Dual 20-V Common Source P-Channel NexFET Power MOSFET データシート (Rev. A) PDF | HTML 2017年 5月 16日
アプリケーション・ノート MOSFET Support and Training Tools (Rev. F) PDF | HTML 2024年 6月 14日
アプリケーション・ノート Semiconductor and IC Package Thermal Metrics (Rev. D) PDF | HTML 2024年 3月 25日
アプリケーション・ノート Using MOSFET Transient Thermal Impedance Curves In Your Design PDF | HTML 2023年 12月 18日
アプリケーション・ノート Solving Assembly Issues with Chip Scale Power MOSFETs PDF | HTML 2023年 12月 14日
アプリケーション・ノート Using MOSFET Safe Operating Area Curves in Your Design PDF | HTML 2023年 3月 13日
アプリケーション概要 Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs PDF | HTML 2022年 5月 31日
その他の技術資料 WCSP Handling Guide 2019年 11月 7日
アプリケーション・ノート AN-1112 DSBGA Wafer Level Chip Scale Package (Rev. AI) 2019年 6月 14日

設計および開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

シミュレーション・モデル

CSD75208W1015 Unencrypted PSpice Model (Rev. A)

SLPM131A.ZIP (2 KB) - PSpice Model
リファレンス・デザイン

TIDA-00488 — エネルギー・ハーベスト周辺光および環境センサ・ノード、1GHz 以下のネットワーク用、リファレンス・デザイン

TIDA-00488 は、日光エネルギー・ハーベストを使用して、超低消費電力および再生可能エネルギー活用という特長のあるワイヤレス環境センシングを実現し、バックアップ・バッテリの非常に長い動作期間も可能にします。このリファレンス・デザインは、TI の超低消費電力ハーベスト・パワー・マネージメントや、SimpleLink™ 超低消費電力 Sub-1GHz ワイヤレス・マイコン (MCU) プラットフォーム、および周囲光 / 湿度 / (...)
設計ガイド: PDF
回路図: PDF
リファレンス・デザイン

TIDA-00712 — スマートウォッチ電池管理ソリューション・リファレンス・デザイン

このリファレンス・デザインは、スマート・ウォッチ用バッテリ・マネージメント・ソリューション (BMS) に適しています。このデザインは、スマートウォッチ・アプリケーションのような低消費電力ウェアラブル・デバイスに最適です。このデザインは、1 セル用の超低消費電力リチウムイオン・リニア・チャージャや、高集積の Qi 準拠ワイヤレス・パワー・レシーバ、コスト効率の優れた電圧 / 電流保護 IC、センス抵抗内蔵のシステム側のバッテリ残量計、LCD ディスプレイ・デバイスに最大 28V を出力する昇圧回路を搭載しています。

このデザインは小型サイズ (20mm x 29mm) PCB (...)

設計ガイド: PDF
回路図: PDF
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
DSBGA (YZC) 6 Ultra Librarian

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

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