LM74610-Q1
- Qualified for Automotive Applications
- AEC-Q100 Qualified With the Following Results:
- Exceeds HBM ESD Classification Level 2
- Device CDM ESD Classification Level C4B
- Maximum reverse voltage of 45 V
- No Positive Voltage limitation to Anode Terminal
- Charge Pump Gate Driver for External N-Channel
MOSFET - Lower Power Dissipation than Schottky
Diode/PFET Solutions - Low Reverse Leakage Current
- Zero IQ
- Fast 2-µs Response to Reverse Polarity
- –40°C to +125°C Operating Ambient Temperature
- Can be Used in OR-ing Applications
- Meets CISPR25 EMI Specification
- Meets Automotive ISO7637 Transient
Requirements with a Suitable TVS Diode - No Peak Current Limit
The LM74610-Q1 is a controller device that can be used with an N-Channel MOSFET in a reverse polarity protection circuitry. It is designed to drive an external MOSFET to emulate an ideal diode rectifier when connected in series with a power source. A unique advantage of this scheme is that it is not referenced to ground and thus has Zero Iq.
The LM74610-Q1 controller provides a gate drive for an external N-Channel MOSFET and a fast response internal comparator to discharge the MOSFET Gate in the event of reverse polarity. This fast pull-down feature limits the amount and duration of reverse current flow if opposite polarity is sensed. The device design also meets CISPR25 Class 5 EMI specifications and automotive ISO7637 transient requirements with a suitable TVS diode.
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設計および開発
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| パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
|---|---|---|
| VSSOP (DGK) | 8 | Ultra Librarian |
購入と品質
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 使用原材料
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
- ファブの拠点
- 組み立てを実施した拠点
推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。