在太陽能光伏 (PV) 系統中，模組級電力電子裝置 (MLPE) 可在特定條件 (特別是受遮擋的情況) 下，提高能產性能。MLPE 曾經被認爲是昂貴的專業類別，現在則是太陽能產業成長最快的市場領域之一。太陽能功率優化器是一種 MLPE，可最佳化 PV 面板的功率輸出並提升效率。

傳統的太陽能功率優化器使用 P-N 接面二極體或肖特基二極體進行旁路電路。當高電流流經二極體時，由於二極體的正向壓降相對較高，高功率消耗可能會導致嚴重的熱問題。改良的方法是採用壓降低於二極體的金屬氧化物半導體場效電晶體 (MOSFET) 來克服高功率損耗。

此外，太陽能優化器現在可支援更高的輸入電壓 (使用兩個串聯的 PV 面板可達 150V 暫態)，這要歸功於在給定功率位準下更低的傳導損耗和更低的系統成本所帶來的效率提高。在本文中，我們將探討使用浮動閘極理想二極體控制器的可擴展旁路電路解決方案。此電路解決了太陽能應用中具有廣泛電壓支援的旁路開關相關的挑戰，例如太陽能功率優化器、快速關閉和 PV 接線盒。

圖 1 展示了在單個 PV 面板上安裝了太陽能功率優化器的 PV 系統。

將功率優化器視為微轉換器與串列式逆變器間的折中方式。優化器像微型逆變器一樣安裝在個別的太陽能面板上，但其功能與將直流電轉換為交流電無關。功率優化器會即時追蹤每個太陽能面板的最大功率，並在將其送至逆變器之前調節輸出電壓。因此，逆變器可以處理更多電力。因此，無論太陽的方向、陰影，甚至是一或多個面板的損壞，每個太陽能面板都能獲得最佳的能效。在每個 PV 面板上安裝功率優化器的太陽能系統，與沒有個別面板級優化器的太陽能系統相比，效率可提高 20% 至 30%。

就高功率太陽能逆變器而言，串聯多個 PV 面板可將高直流輸入電壓輸入至逆變器輸入。將優化器部署至相應的 PV 面板可獲得最高效率，如 圖 2 所示。PV 串列實際上是由優化器的輸出連接。如果任何一個太陽能電池板發生故障，則 PV 串列電壓可能會崩潰，因為所有 PV 面板均為串聯。輸出旁路電路可為受損優化器周圍的串列電流提供平行的路徑。圖 2 顯示當其中一個 PV 面板損壞時旁路功能的運作方式。

旁路電路通常有兩種解決方案。達成旁路功能的常用方法是使用 P-N 接面二極體或肖特基二極體，如 圖 3 所示。其成本低廉且易於使用，並能以所選二極體為基礎達成極高的反向電壓。但也有一些缺點，例如高正向壓降 (0.5V 至 1V) 會產生更高的功率消耗與更大的印刷電路板需求。為了克服旁路二極體解決方案的缺點，替代方案之一是使用低壓降和功率損耗低得多的 N 通道 MOSFET (因為 R_DS(on) 偏低)。但仍有一些缺點：

• MOSFET 並不是獨立的解決方案，其需要控制電路將其當成開關操作，通常是具有離散 MOSFET 驅動器電路的微控制器 (MCU)。
• MCU 需要來自 PV 面板的電源。因此，如果 PV 面板嚴重受損或完全被陰影或遮光物覆蓋，MCU 將無法運作且 MOSFET 將無法開啟。
• 在 MCU 故障時，MOSFET 無法開啟，且旁路路徑會通過 MOSFET 的本體二極體。但 MOSFET 的本體二極體無法承受大電流，並且會累積大量熱量，進而有火災的危險。

解決 MCU 架構的開關控制方案缺陷的智慧方法之一是使用獨立式 MOSFET 控制器，該控制器可在沒有任何外部干預的情況下自主運作。德州儀器的 LM74610-Q1 系列浮動閘極理想二極體控制器透過控制外部 N 通道 MOSFET 來模擬串聯二極體行為，為您提供獨立式低損耗旁路開關解決方案。這些控制器配備浮動閘極驅動架構，可在低至 MOSFET 本體二極體順向壓降 (約 0.5V) 的輸入電壓下運作。

但隨著太陽能逆變器功率位準提高，以及採用較高電壓 PV 面板增加，旁路電路必須滿足幾個需求，才能使其成為比傳統解決方案更出色的解決方案。旁路電路需與從 20V 至 150V 的 PV 面板電壓配合使用，使其可跨多個平台進行擴展，並且應獨立於其他電路。