ホーム パワー・マネージメント Power stages 窒化ガリウム (GaN) 電力段

LMG3612

アクティブ

ドライバと保護機能内蔵、650V、120mΩ の GaN FET

製品詳細

VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 120 ID (max) (A) 8.5 Features Bottom-side cooled, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Enable pin, Low Quiescent Current, Low standby current, Overtemperature protection, Slew Rate Control, Wide input voltage Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 120 ID (max) (A) 8.5 Features Bottom-side cooled, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Enable pin, Low Quiescent Current, Low standby current, Overtemperature protection, Slew Rate Control, Wide input voltage Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
VQFN (REQ) 38 42.4 mm² 8 x 5.3
  • 650V 120mΩ GaN パワー FET
  • 伝搬遅延が小さく、ターンオン スルーレート制御を調整可能な内蔵ゲート ドライバ
  • FLT ピン通知付きの過熱保護
  • AUX 静止電流:55µA
  • 電源および入力ロジック ピン最大電圧:26V
  • サーマル パッド付き 8mm × 5.3mm QFN パッケージ
  • 650V 120mΩ GaN パワー FET
  • 伝搬遅延が小さく、ターンオン スルーレート制御を調整可能な内蔵ゲート ドライバ
  • FLT ピン通知付きの過熱保護
  • AUX 静止電流:55µA
  • 電源および入力ロジック ピン最大電圧:26V
  • サーマル パッド付き 8mm × 5.3mm QFN パッケージ

LMG3612 は、スイッチ モード電源アプリケーション向けの 650V 120mΩ GaN パワー FET です。LMG3612 は、8mm × 5.3mm の QFN パッケージに GaN FET とゲート ドライバを内蔵することで、設計の簡素化と部品点数の削減を実現しています。

プログラマブルなターンオン スルーレートにより、EMI とリンギングを制御できます。

LMG3612 は、小さい静止電流と高速な起動時間によって、コンバータの軽負荷効率要件とバースト モード動作に対応しています。保護機能として、低電圧誤動作防止 (UVLO)、過熱保護が搭載されています。過熱保護は、オープン ドレインの FLT ピンで通知されます。

LMG3612 は、スイッチ モード電源アプリケーション向けの 650V 120mΩ GaN パワー FET です。LMG3612 は、8mm × 5.3mm の QFN パッケージに GaN FET とゲート ドライバを内蔵することで、設計の簡素化と部品点数の削減を実現しています。

プログラマブルなターンオン スルーレートにより、EMI とリンギングを制御できます。

LMG3612 は、小さい静止電流と高速な起動時間によって、コンバータの軽負荷効率要件とバースト モード動作に対応しています。保護機能として、低電圧誤動作防止 (UVLO)、過熱保護が搭載されています。過熱保護は、オープン ドレインの FLT ピンで通知されます。

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技術資料

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3 をすべて表示
種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート LMG3612 650V 120 mΩ GaN FET、ドライバを内蔵 データシート PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2023年 11月 15日
技術記事 The benefits of low-power GaN in common AC/DC power topologies PDF | HTML 2024年 1月 30日
製品概要 Designing With the LMG362x Family of Low-Power GaN FETs PDF | HTML 2023年 11月 28日

設計および開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

評価ボード

LMG3622EVM-082 — LMG3622 USB Type-C® PD 対応、65W 疑似共振フライバック コンバータの評価基板

LMG3622EVM-082 は、電流センス エミュレーション機能を搭載した統合型 GaN FET である LMG3622 を使用し、65W USB Type-C® PD (パワー デリバリ) に対応するオフライン アダプタに適した高効率と高密度の回路を提示します。入力は、90VAC ~ 265VAC のユニバーサル商用電源に対応します。単一出力は、5V、9V、15V のいずれかに設定でき、どの場合も最大 3A を供給できます。ほかに、20V に設定し、最大 3.25A を供給することもできますが、この場合は USB PD インターフェイス コントローラによる制御が可能です。公称で最大 (...)

ユーザー ガイド: PDF | HTML
計算ツール

LMG36XX-CALC LMG36XX Quasi-Resonant Flyback Power Stage Design Calculator

The purpose of this tool is to aid in the design of the main power stage components of a Quasi-Resonant Flyback Converter (QR) with the use LMG36XX integrated GaN FET. Calculations are provided for frequency, voltage/current stresses, and losses in converter.
サポート対象の製品とハードウェア

サポート対象の製品とハードウェア

製品
窒化ガリウム (GaN) 電力段
LMG3612 ドライバと保護機能内蔵、650V、120mΩ の GaN FET LMG3616 ドライバと保護機能内蔵、650V、270mΩ の GaN FET LMG3622 ドライバと保護機能と電流センシング機能内蔵、650V、120mΩ、GaN FET LMG3624 ドライバと保護機能と電流センシング機能内蔵、650V、170mΩ、GaN FET LMG3626 ドライバと保護機能と電流センシング機能内蔵、650V、270mΩ、GaN FET
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
VQFN (REQ) 38 Ultra Librarian

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

サポートとトレーニング

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