LMG3612
- 650V 120mΩ GaN パワー FET
- 伝搬遅延が小さく、ターンオン スルーレート制御を調整可能な内蔵ゲート ドライバ
- FLT ピン通知付きの過熱保護
- AUX 静止電流:55µA
- 電源および入力ロジック ピン最大電圧:26V
- サーマル パッド付き 8mm × 5.3mm QFN パッケージ
LMG3612 は、スイッチ モード電源アプリケーション向けの 650V 120mΩ GaN パワー FET です。LMG3612 は、8mm × 5.3mm の QFN パッケージに GaN FET とゲート ドライバを内蔵することで、設計の簡素化と部品点数の削減を実現しています。
プログラマブルなターンオン スルーレートにより、EMI とリンギングを制御できます。
LMG3612 は、小さい静止電流と高速な起動時間によって、コンバータの軽負荷効率要件とバースト モード動作に対応しています。保護機能として、低電圧誤動作防止 (UVLO)、過熱保護が搭載されています。過熱保護は、オープン ドレインの FLT ピンで通知されます。
技術資料
種類 | タイトル | 最新の英語版をダウンロード | 日付 | |||
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* | データシート | LMG3612 650V 120 mΩ GaN FET、ドライバを内蔵 データシート | PDF | HTML | 英語版 | PDF | HTML | 2023年 11月 15日 |
技術記事 | The benefits of low-power GaN in common AC/DC power topologies | PDF | HTML | 2024年 1月 30日 | |||
製品概要 | Designing With the LMG362x Family of Low-Power GaN FETs | PDF | HTML | 2023年 11月 28日 |
設計および開発
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LMG3622EVM-082 は、電流センス エミュレーション機能を搭載した統合型 GaN FET である LMG3622 を使用し、65W USB Type-C® PD (パワー デリバリ) に対応するオフライン アダプタに適した高効率と高密度の回路を提示します。入力は、90VAC ~ 265VAC のユニバーサル商用電源に対応します。単一出力は、5V、9V、15V のいずれかに設定でき、どの場合も最大 3A を供給できます。ほかに、20V に設定し、最大 3.25A を供給することもできますが、この場合は USB PD インターフェイス コントローラによる制御が可能です。公称で最大 (...)
パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
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VQFN (REQ) | 38 | Ultra Librarian |
購入と品質
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 使用原材料
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
- ファブの拠点
- 組み立てを実施した拠点