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SN74CB3Q3345

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2 個の制御入力採用、3.3V、1:1 (SPST)、8 チャネル FET バス・スイッチ

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SN74CB3Q3345

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製品詳細

Configuration 1:1 SPST Number of channels 8 Power supply voltage - single (V) 2.5, 3.3 Protocols Analog Ron (typ) (Ω) 4 CON (typ) (pF) 9 Supply current (typ) (µA) 1000 Bandwidth (MHz) 500 Operating temperature range (°C) -40 to 85 Features Powered-off protection, Supports input voltage beyond supply Input/output continuous current (max) (mA) 64 Rating Catalog Drain supply voltage (max) (V) 3.6 Supply voltage (max) (V) 3.6
Configuration 1:1 SPST Number of channels 8 Power supply voltage - single (V) 2.5, 3.3 Protocols Analog Ron (typ) (Ω) 4 CON (typ) (pF) 9 Supply current (typ) (µA) 1000 Bandwidth (MHz) 500 Operating temperature range (°C) -40 to 85 Features Powered-off protection, Supports input voltage beyond supply Input/output continuous current (max) (mA) 64 Rating Catalog Drain supply voltage (max) (V) 3.6 Supply voltage (max) (V) 3.6
SSOP (DBQ) 20 51.9 mm² 8.65 x 6 TSSOP (PW) 20 41.6 mm² 6.5 x 6.4 TVSOP (DGV) 20 32 mm² 5 x 6.4 VQFN (RGY) 20 15.75 mm² 4.5 x 3.5
  • High-Bandwidth Data Path (up to 500 MHz)(1)
  • 5-V-Tolerant I/Os With Device Powered Up or Powered Down
  • Low and Flat ON-State Resistance (ron) Characteristics Over Operating Range
    (ron = 4 Typ)
  • Rail-to-Rail Switching on Data I/O Ports
    • 0- to 5-V Switching With 3.3-V VCC
    • 0- to 3.3-V Switching With 2.5-V VCC
  • Bidirectional Data Flow With Near-Zero Propagation Delay
  • Low Input/Output Capacitance Minimizes Loading and Signal Distortion
    (Cio(OFF) = 4 pF Typ)
  • Fast Switching Frequency (fOE = 20 MHz Max)
  • Data and Control Inputs Provide Undershoot Clamp Diodes
  • Low Power Consumption (ICC = 0.7 mA Typ)
  • VCC Operating Range From 2.3 V to 3.6 V
  • Data I/Os Support 0- to 5-V Signaling Levels (0.8 V, 1.2 V, 1.5 V, 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V, 5 V)
  • Control Inputs Can Be Driven by TTL or 5-V/3.3-V CMOS Outputs
  • Ioff Supports Partial-Power-Down Mode Operation
  • Latch-Up Performance Exceeds 100 mA Per JESD 78, Class II
  • ESD Performance Tested Per JESD 22
    • 2000-V Human-Body Model
      (A114-B, Class II)
    • 1000-V Charged-Device Model (C101)
  • Supports Both Digital and Analog Applications: Differential Signal Interface, Memory Interleaving, Bus Isolation, Low-Distortion Signal Gating

For additional information regarding the performance characteristics of the CB3Q family, refer to the TI application report, CBT-C, CB3T, and CB3Q Signal-Switch Families, literature number SCDA008.)
  • High-Bandwidth Data Path (up to 500 MHz)(1)
  • 5-V-Tolerant I/Os With Device Powered Up or Powered Down
  • Low and Flat ON-State Resistance (ron) Characteristics Over Operating Range
    (ron = 4 Typ)
  • Rail-to-Rail Switching on Data I/O Ports
    • 0- to 5-V Switching With 3.3-V VCC
    • 0- to 3.3-V Switching With 2.5-V VCC
  • Bidirectional Data Flow With Near-Zero Propagation Delay
  • Low Input/Output Capacitance Minimizes Loading and Signal Distortion
    (Cio(OFF) = 4 pF Typ)
  • Fast Switching Frequency (fOE = 20 MHz Max)
  • Data and Control Inputs Provide Undershoot Clamp Diodes
  • Low Power Consumption (ICC = 0.7 mA Typ)
  • VCC Operating Range From 2.3 V to 3.6 V
  • Data I/Os Support 0- to 5-V Signaling Levels (0.8 V, 1.2 V, 1.5 V, 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V, 5 V)
  • Control Inputs Can Be Driven by TTL or 5-V/3.3-V CMOS Outputs
  • Ioff Supports Partial-Power-Down Mode Operation
  • Latch-Up Performance Exceeds 100 mA Per JESD 78, Class II
  • ESD Performance Tested Per JESD 22
    • 2000-V Human-Body Model
      (A114-B, Class II)
    • 1000-V Charged-Device Model (C101)
  • Supports Both Digital and Analog Applications: Differential Signal Interface, Memory Interleaving, Bus Isolation, Low-Distortion Signal Gating

For additional information regarding the performance characteristics of the CB3Q family, refer to the TI application report, CBT-C, CB3T, and CB3Q Signal-Switch Families, literature number SCDA008.)

The SN74CB3Q3345 is a high-bandwidth FET bus switch utilizing a charge pump to elevate the gate voltage of the pass transistor, providing a low and flat ON-state resistance (ron). The low and flat ON-state resistance allows for minimal propagation delay and supports rail-to-rail switching on the data input/output (I/O) ports. The device also features low data I/O capacitance to minimize capacitive loading and signal distortion on the data bus. Specifically designed to support high-bandwidth applications, the SN74CB3Q3345 provides an optimized interface solution ideally suited for broadband communications, networking, and data-intensive computing systems.

The SN74CB3Q3384A is organized as an 8-bit bus switch with two output-enable (OE, OE) inputs. When OE is high or OE is low, the bus switch is ON, and the A port is connected to the B port, allowing bidirectional data flow between ports. When OE is low and OE is high, the bus switch is OFF, and a high-impedance state exists between the A and B ports.

This device is fully specified for partial-power-down applications using Ioff. The Ioff circuitry prevents damaging current backflow through the device when it is powered down. The device has isolation during power off.

To ensure the high-impedance state during power up or power down, OE should be tied to VCC through a pullup resistor and OE should be tied to GND through a pulldown resistor; the minimum value of the resistor is determined by the current-sinking/current-sourcing capability of the driver.

The SN74CB3Q3345 is a high-bandwidth FET bus switch utilizing a charge pump to elevate the gate voltage of the pass transistor, providing a low and flat ON-state resistance (ron). The low and flat ON-state resistance allows for minimal propagation delay and supports rail-to-rail switching on the data input/output (I/O) ports. The device also features low data I/O capacitance to minimize capacitive loading and signal distortion on the data bus. Specifically designed to support high-bandwidth applications, the SN74CB3Q3345 provides an optimized interface solution ideally suited for broadband communications, networking, and data-intensive computing systems.

The SN74CB3Q3384A is organized as an 8-bit bus switch with two output-enable (OE, OE) inputs. When OE is high or OE is low, the bus switch is ON, and the A port is connected to the B port, allowing bidirectional data flow between ports. When OE is low and OE is high, the bus switch is OFF, and a high-impedance state exists between the A and B ports.

This device is fully specified for partial-power-down applications using Ioff. The Ioff circuitry prevents damaging current backflow through the device when it is powered down. The device has isolation during power off.

To ensure the high-impedance state during power up or power down, OE should be tied to VCC through a pullup resistor and OE should be tied to GND through a pulldown resistor; the minimum value of the resistor is determined by the current-sinking/current-sourcing capability of the driver.
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技術資料

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種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート SN74CB3Q3345 データシート (Rev. B) 2005年 3月 21日
アプリケーション・ノート Selecting the Correct Texas Instruments Signal Switch (Rev. E) PDF | HTML 2022年 6月 2日
アプリケーション・ノート Multiplexers and Signal Switches Glossary (Rev. B) PDF | HTML 2021年 12月 1日
アプリケーション・ノート CBT-C, CB3T, and CB3Q Signal-Switch Families (Rev. C) PDF | HTML 2021年 11月 19日
アプリケーション概要 Eliminate Power Sequencing with Powered-off Protection Signal Switches (Rev. C) PDF | HTML 2021年 1月 6日
セレクション・ガイド Logic Guide (Rev. AB) 2017年 6月 12日
アプリケーション・ノート Understanding and Interpreting Standard-Logic Data Sheets (Rev. C) 2015年 12月 2日
セレクション・ガイド ロジック・ガイド (Rev. AA 翻訳版) 最新英語版 (Rev.AB) 2014年 11月 6日
ユーザー・ガイド LOGIC Pocket Data Book (Rev. B) 2007年 1月 16日
その他の技術資料 Digital Bus Switch Selection Guide (Rev. A) 2004年 11月 10日
アプリケーション・ノート Semiconductor Packing Material Electrostatic Discharge (ESD) Protection 2004年 7月 8日
ユーザー・ガイド Signal Switch Data Book (Rev. A) 2003年 11月 14日
アプリケーション・ノート Bus FET Switch Solutions for Live Insertion Applications 2003年 2月 7日

設計および開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

インターフェイス・アダプタ

LEADED-ADAPTER1 — TI の 5、8、10、16、24 ピン・リード付きパッケージの迅速なテスト向けの表面実装から DIP ヘッダーへのアダプタ

EVM-LEADED1 ボードは、TI の一般的なリード付きパッケージによる迅速なテストとブレッド・ボードへの対応を可能にします。 TI の D、DBQ、DCT、DCU、DDF、DGS、DGV、PW 表面実装パッケージを 100mil DIP ヘッダに変換するフットプリントを用意しています。     

ユーザー ガイド: PDF
TI.com で取り扱いなし
シミュレーション・モデル

HSPICE Model of SN74CB3Q3345 (Rev. A)

SCDJ022A.ZIP (92 KB) - HSpice Model
ダウンロード
シミュレーション・モデル

SN74CB3Q3345 IBIS Model

SCDM061.ZIP (25 KB) - IBIS Model
ダウンロード
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
SSOP (DBQ) 20 Ultra Librarian
TSSOP (PW) 20 Ultra Librarian
TVSOP (DGV) 20 Ultra Librarian
VQFN (RGY) 20 Ultra Librarian
TI の評価品に関する標準契約約款が適用されます。

購入と品質

記載されている情報：
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

TI E2E™ フォーラムでは、TI のエンジニアからの技術サポートを提供

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コンテンツは、TI 投稿者やコミュニティ投稿者によって「現状のまま」提供されるもので、TI による仕様の追加を意図するものではありません。使用条件をご確認ください。

TI 製品の品質、パッケージ、ご注文に関するお問い合わせは、TI サポートをご覧ください。​​​​​​​​​​​​​​

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