SN74CBT3245C
- Undershoot Protection for Off-Isolation on A and B Ports Up to –2 V
- Bidirectional Data Flow, With Near-Zero Propagation Delay
- Low ON-State Resistance (ron) Characteristics (ron = 3 Typical)
- Low Input/Output Capacitance Minimizes Loading and Signal Distortion (Cio(OFF) = 5 pF Typical)
- Data and Control Inputs Provide Undershoot Clamp Diodes
- Low Power Consumption (ICC = 3 µA Max)
- VCC Operating Range From 4 V to 5.5 V
- Data I/Os Support 0 to 5-V Signaling Levels (0.8-V, 1.2-V, 1.5-V, 1.8-V, 2.5-V, 3.3-V, 5-V)
- Control Inputs Can Be Driven by TTL or 5-V/3.3-V CMOS Outputs
- Ioff Supports Partial-Power-Down Mode Operation
- Latch-Up Performance Exceeds 100 mA Per JESD 78, Class II
- ESD Performance Tested Per JESD 22
- 2000-V Human-Body Model (A114-B, Class II)
- 1000-V Charged-Device Model (C101)
- Supports Both Digital and Analog Applications: USB Interface, Memory Interleaving, Bus Isolation, Low-Distortion Signal Gating
The SN74CBT3245C is a high-speed TTL-compatible FET bus switch with low ON-state resistance (ron), allowing for minimal propagation delay. Active Undershoot-Protection Circuitry on the A and B ports of the SN74CBT3245C provides protection for undershoot up to 2 V by sensing an undershoot event and ensuring that the switch remains in the proper OFF state.
The SN74CBT3245C is organized as an 8-bit bus switch with a single output-enable (OE)\ input. When OE\ is low, the bus switch is ON, and the A port is connected to the B port, allowing bidirectional data flow between ports. When OE\ is high, the bus switch is OFF, and the high-impedance state exists between the A and B ports.
This device is fully specified for partial-power-down applications using Ioff. The Ioff feature ensures that damaging current will not backflow through the device when it is powered down.
To ensure the high-impedance state during power up or power down, OE\ should be tied to VCC through a pullup resistor; the minimum value of the resistor is determined by the current-sinking capability of the driver.
技術資料
設計および開発
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LEADED-ADAPTER1 — TI の 5、8、10、16、24 ピン・リード付きパッケージの迅速なテスト向けの表面実装から DIP ヘッダーへのアダプタ
EVM-LEADED1 ボードは、TI の一般的なリード付きパッケージによる迅速なテストとブレッド・ボードへの対応を可能にします。 TI の D、DBQ、DCT、DCU、DDF、DGS、DGV、PW 表面実装パッケージを 100mil DIP ヘッダに変換するフットプリントを用意しています。
パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
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SOIC (DW) | 20 | Ultra Librarian |
SSOP (DB) | 20 | Ultra Librarian |
SSOP (DBQ) | 20 | Ultra Librarian |
TSSOP (PW) | 20 | Ultra Librarian |
TVSOP (DGV) | 20 | Ultra Librarian |
VQFN (RGY) | 20 | Ultra Librarian |
購入と品質
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 使用原材料
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
- ファブの拠点
- 組み立てを実施した拠点
推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。