TMUX6119

アクティブ

0.5pA オン状態リーク電流、±16.5V、2:1 (SPDT)、1 チャネル、高精度アナログ スイッチ

製品詳細

Configuration 2:1 SPDT Number of channels 1 Power supply voltage - single (V) 12, 16 Power supply voltage - dual (V) +/-10, +/-15, +/-18, +/-5 Protocols Analog Ron (typ) (Ω) 120 CON (typ) (pF) 4.3 ON-state leakage current (max) (µA) 0.0004 Supply current (typ) (µA) 17 Bandwidth (MHz) 400 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Features Break-before-make, Integrated pulldown resistor on logic pin Input/output continuous current (max) (mA) 30 Rating Catalog Drain supply voltage (max) (V) 16.5 Supply voltage (max) (V) 33 Negative rail supply voltage (max) (V) -5
Configuration 2:1 SPDT Number of channels 1 Power supply voltage - single (V) 12, 16 Power supply voltage - dual (V) +/-10, +/-15, +/-18, +/-5 Protocols Analog Ron (typ) (Ω) 120 CON (typ) (pF) 4.3 ON-state leakage current (max) (µA) 0.0004 Supply current (typ) (µA) 17 Bandwidth (MHz) 400 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Features Break-before-make, Integrated pulldown resistor on logic pin Input/output continuous current (max) (mA) 30 Rating Catalog Drain supply voltage (max) (V) 16.5 Supply voltage (max) (V) 33 Negative rail supply voltage (max) (V) -5
SOT-23 (DCN) 8 4.64 mm² 2.9 x 1.6
  • 広い電源電圧範囲:±5V~±16.5V(デュアル)または10V~16.5V(シングル)
  • すべてのピンで、JESD78 Class II Level A準拠の100mAを満たすラッチアップ性能
  • 小さいオン容量: 6.4pF
  • 低い入力リーク電流: 0.5pA
  • 低い電荷注入: 0.19pC
  • レール・ツー・レール動作
  • 低いオン抵抗: 120Ω
  • 遷移時間: 68ns
  • Break-Before-Makeのスイッチング動作
  • ENピンとSELピンをVDDに接続可能、プルダウン内蔵
  • ロジック・レベル: 2V~VDD
  • 低い消費電流: 17µA
  • 人体モデル(HBM) ESD保護:すべてのピンで±2kV
  • 業界標準のSOT-23パッケージ
  • 広い電源電圧範囲:±5V~±16.5V(デュアル)または10V~16.5V(シングル)
  • すべてのピンで、JESD78 Class II Level A準拠の100mAを満たすラッチアップ性能
  • 小さいオン容量: 6.4pF
  • 低い入力リーク電流: 0.5pA
  • 低い電荷注入: 0.19pC
  • レール・ツー・レール動作
  • 低いオン抵抗: 120Ω
  • 遷移時間: 68ns
  • Break-Before-Makeのスイッチング動作
  • ENピンとSELピンをVDDに接続可能、プルダウン内蔵
  • ロジック・レベル: 2V~VDD
  • 低い消費電流: 17µA
  • 人体モデル(HBM) ESD保護:すべてのピンで±2kV
  • 業界標準のSOT-23パッケージ

TMUX6119は、最新のCMOS (相補型金属酸化膜半導体)単極双投(SPDT)スイッチです。このデバイスは、デュアル電源(±5V~±16.5V)、単一電源(10V~16.5V)、非対称電源のいずれでも適切に動作します。デジタル入力ピンの両方(ENおよびSEL)にTTL (Transistor-Transistor Logic)互換のスレッショルドがあり、TTL/CMOSとのロジック互換性が保証されます。

TMUX6119は、ENピンの制御によりイネーブルまたはディセーブルにできます。ディセーブルのときは、両方のチャネル・スイッチがオフになります。イネーブルのとき、SELピンを使用してチャネルA(SAからDへ)またはチャネルB(SBからDへ)をオンにできます。各チャネルは両方向に同等の良好な伝導率を持ち、入力信号範囲は電源よりも広く伸びています。TMUX6119のスイッチは、Break-Before-Make (BBM)スイッチング動作を行います。

TMUX6119は、テキサス・インスツルメンツの高精度スイッチおよびマルチプレクサ・ファミリの製品です。TMUX6119はリーク電流と電荷注入が非常に小さいため、高精度の測定アプリケーションに使用可能です。また、このデバイスはスイッチがOFF位置のとき、電源電圧までの信号レベルをブロックすることで、絶縁性能も非常に優れています。消費電流が17µAと低いため、携帯用アプリケーションで使用できます。

TMUX6119は、最新のCMOS (相補型金属酸化膜半導体)単極双投(SPDT)スイッチです。このデバイスは、デュアル電源(±5V~±16.5V)、単一電源(10V~16.5V)、非対称電源のいずれでも適切に動作します。デジタル入力ピンの両方(ENおよびSEL)にTTL (Transistor-Transistor Logic)互換のスレッショルドがあり、TTL/CMOSとのロジック互換性が保証されます。

TMUX6119は、ENピンの制御によりイネーブルまたはディセーブルにできます。ディセーブルのときは、両方のチャネル・スイッチがオフになります。イネーブルのとき、SELピンを使用してチャネルA(SAからDへ)またはチャネルB(SBからDへ)をオンにできます。各チャネルは両方向に同等の良好な伝導率を持ち、入力信号範囲は電源よりも広く伸びています。TMUX6119のスイッチは、Break-Before-Make (BBM)スイッチング動作を行います。

TMUX6119は、テキサス・インスツルメンツの高精度スイッチおよびマルチプレクサ・ファミリの製品です。TMUX6119はリーク電流と電荷注入が非常に小さいため、高精度の測定アプリケーションに使用可能です。また、このデバイスはスイッチがOFF位置のとき、電源電圧までの信号レベルをブロックすることで、絶縁性能も非常に優れています。消費電流が17µAと低いため、携帯用アプリケーションで使用できます。

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技術資料

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* データシート TMUX6119 ±16.5V、低容量、低リーク電流、高精度のSPDTスイッチ データシート (Rev. A 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.A) PDF | HTML 2019年 1月 25日
アプリケーション・ノート Selecting the Correct Texas Instruments Signal Switch (Rev. E) PDF | HTML 2022年 6月 2日
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設計および開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

インターフェイス・アダプタ

LEADED-ADAPTER1 — TI の 5、8、10、16、24 ピン・リード付きパッケージの迅速なテスト向けの表面実装から DIP ヘッダーへのアダプタ

EVM-LEADED1 ボードは、TI の一般的なリード付きパッケージによる迅速なテストとブレッド・ボードへの対応を可能にします。 TI の D、DBQ、DCT、DCU、DDF、DGS、DGV、PW 表面実装パッケージを 100mil DIP ヘッダに変換するフットプリントを用意しています。     

ユーザー ガイド: PDF
シミュレーション・モデル

TMUX6119 IBIS Model

SCDM205.ZIP (14 KB) - IBIS Model
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
SOT-23 (DCN) 8 Ultra Librarian

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

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サポートとトレーニング

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