TPD4E1B06

アクティブ

0.5nA 最大リーケージ、クワッド、0.7pF、±5.5V、±12kV ESD 保護ダイオード、SOT および SC70 の各パッケージに封止

製品詳細

Package name SC70-6, SOT-5X3 Peak pulse power (8/20 μs) (max) (W) 45 Vrwm (V) 5.5 Bi-/uni-directional Bi-directional Number of channels 4 IO capacitance (typ) (pF) 0.7 IEC 61000-4-2 contact (±V) 12000 IEC 61000-4-5 (A) 3 Features ESD Protection Clamping voltage (V) 10.9 Dynamic resistance (typ) 1 Interface type General purpose, LVDS, USB 2.0 Breakdown voltage (min) (V) 7 IO leakage current (max) (nA) 0.5 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
Package name SC70-6, SOT-5X3 Peak pulse power (8/20 μs) (max) (W) 45 Vrwm (V) 5.5 Bi-/uni-directional Bi-directional Number of channels 4 IO capacitance (typ) (pF) 0.7 IEC 61000-4-2 contact (±V) 12000 IEC 61000-4-5 (A) 3 Features ESD Protection Clamping voltage (V) 10.9 Dynamic resistance (typ) 1 Interface type General purpose, LVDS, USB 2.0 Breakdown voltage (min) (V) 7 IO leakage current (max) (nA) 0.5 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
SOT-5X3 (DRL) 6 2.56 mm² 1.6 x 1.6 SOT-SC70 (DCK) 6 4.2 mm² 2 x 2.1
  • 超低リーク電流:0.5nA (最大値)
  • 4 本の I/O ラインの過渡保護:
    • IEC 61000-4-2 接触放電 ±12kV
    • IEC 61000-4-2 エアギャップ放電 ±15kV
    • IEC 61000-4-5 サージ 3.0A (8/20µs)
  • I/O 容量:0.7pF (標準値)
  • 双方向 ESD 保護ダイオード アレイ
  • 低 ESD クランプ電圧
  • 産業用温度範囲:-40℃~125℃
  • 小型で配線が容易な DRL および DCK パッケージ
  • 超低リーク電流:0.5nA (最大値)
  • 4 本の I/O ラインの過渡保護:
    • IEC 61000-4-2 接触放電 ±12kV
    • IEC 61000-4-2 エアギャップ放電 ±15kV
    • IEC 61000-4-5 サージ 3.0A (8/20µs)
  • I/O 容量:0.7pF (標準値)
  • 双方向 ESD 保護ダイオード アレイ
  • 低 ESD クランプ電圧
  • 産業用温度範囲:-40℃~125℃
  • 小型で配線が容易な DRL および DCK パッケージ

TPD4E1B06 は、4 チャネルの双方向静電気放電 (ESD) 保護ダイオード アレイです。このデバイスは超低リーク電流 (0.5nA) を特長とし、高精度アナログ測定に適しています。±12kV 接触および ±15kV エアギャップに対する ESD 保護は、IEC 61000-4-2 レベル 4 要件を上回っています。TPD4E1B06 デバイスのライン容量は 0.7pF で、高精度アナログ、USB 2.0、イーサネット、SATA、LVDS、および 1394 の各インターフェイスに適しています。

TPD4E1B06 は、4 チャネルの双方向静電気放電 (ESD) 保護ダイオード アレイです。このデバイスは超低リーク電流 (0.5nA) を特長とし、高精度アナログ測定に適しています。±12kV 接触および ±15kV エアギャップに対する ESD 保護は、IEC 61000-4-2 レベル 4 要件を上回っています。TPD4E1B06 デバイスのライン容量は 0.7pF で、高精度アナログ、USB 2.0、イーサネット、SATA、LVDS、および 1394 の各インターフェイスに適しています。

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技術資料

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* データシート TPD4E1B06 4 チャネル超低リーク ESD 保護ダイオード デバイス データシート (Rev. E 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.E) PDF | HTML 2024年 10月 16日
ユーザー・ガイド Reading and Understanding an ESD Protection Data Sheet (Rev. A) PDF | HTML 2023年 9月 19日
セレクション・ガイド System-Level ESD Protection Guide (Rev. D) 2022年 9月 7日
アプリケーション・ノート ESD Packaging and Layout Guide (Rev. B) PDF | HTML 2022年 8月 18日
ユーザー・ガイド Generic ESD Evaluation Module User's Guide (Rev. A) PDF | HTML 2021年 9月 27日
ホワイト・ペーパー Designing USB for short-to-battery tolerance in automotive environments 2016年 2月 10日
Analog Design Journal Design Considerations for System-Level ESD Circuit Protection 2012年 9月 25日

設計および開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

評価ボード

ESDEVM — ESD の評価基板

静電気敏感性デバイス (ESD) の評価基板 (EVM) は、TI の ESD 製品ラインアップのほとんどに対応する開発プラットフォームです。この基板には、任意の数のデバイスをテストできるように、従来型の ESD フットプリントがすべて実装されています。デバイスは、適切なフットプリントに半田付けしてからテストすることができます。標準的な高速 ESD ダイオードの場合、インピーダンス制御されたレイアウトを実装することで、S パラメータを受け入れ、基板パターンの埋め込みを解除します。高速ではない ESD ダイオードの場合、テスト (...)
ユーザー ガイド: PDF | HTML
シミュレーション・モデル

TPD4E1B06 IBIS Model (Rev. A)

SLVM743A.ZIP (3 KB) - IBIS Model
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
SOT-5X3 (DRL) 6 Ultra Librarian
SOT-SC70 (DCK) 6 Ultra Librarian

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

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