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DDR メモリ向け電源 IC

TPS65296

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4.5V ～ 18V VIN、LPDDR4 と LPDDR4X メモリ向けの包括的な電源ソリューション

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製品詳細

DDR memory type LPDDR4, LPDDR4X Control mode D-CAP3 Iout VDDQ (max) (A) 8 Iout VTT (max) (A) 1.5 Iq (typ) (mA) 0.15 Output VDDQ, VREF, VTT Vin (min) (V) 4.5 Vin (max) (V) 18 Features Complete Solution, Eco Mode, S3/S5 Support Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125 Regulator type Step-Down Module Vin bias (max) (V) 16 Vin bias (min) (V) 4.5 Vout VTT (min) (V) 0.6
DDR memory type LPDDR4, LPDDR4X Control mode D-CAP3 Iout VDDQ (max) (A) 8 Iout VTT (max) (A) 1.5 Iq (typ) (mA) 0.15 Output VDDQ, VREF, VTT Vin (min) (V) 4.5 Vin (max) (V) 18 Features Complete Solution, Eco Mode, S3/S5 Support Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125 Regulator type Step-Down Module Vin bias (max) (V) 16 Vin bias (min) (V) 4.5 Vout VTT (min) (V) 0.6
VQFN-HR (RJE) 18 9 mm² 3 x 3
  • 同期整流降圧型コンバータ (VDD2)
    • 入力電圧範囲：4.5 V～18 V
    • 出力電圧は 1.1V 固定
    • D-CAP3™ モード制御による高速過渡応答
    • 連続出力電流：8 A
    • 高度な Eco-mode™ パルス・スキップ
    • RDS(on) が 22mΩ/8.6mΩ の内蔵パワー・スイッチ
    • 600kHz のスイッチング周波数
    • 内部ソフト・スタート：1.6ms
    • サイクル単位の過電流保護
    • ラッチ付きの出力 OV および UV 保護
  • 同期整流降圧型コンバータ (VDD1)
    • 入力電圧範囲：3 V～5.5 V
    • 出力電圧は 1.8V 固定
    • D-CAP3™ モード制御による高速過渡応答
    • 連続出力電流：1A
    • 高度な Eco-mode™ パルス・スキップ
    • RDS(on) が 150mΩ/120mΩ の内蔵パワー・スイッチ
    • 580kHz のスイッチング周波数
    • 内部ソフト・スタート：1ms
    • サイクル単位の過電流保護
    • ラッチ付きの出力 OV および UV 保護
  • 1.5A LDO (VDDQ)
    • 1.5A の連続出力電流
    • 10µF のセラミック出力コンデンサのみで動作
    • S3 での高インピーダンスをサポート
    • ±30mV の VDDQ 出力精度 (DC+AC)
  • 低い静止電流150µA
  • パワー・グッド・インジケータ
  • 出力放電機能
  • 電源オンおよび電源オフのシーケンシング制御
  • ラッチなしの OT および UVLO 保護
  • 18 ピン、3.0mm × 3.0mm の HotRod™ VQFN パッケージ
  • 同期整流降圧型コンバータ (VDD2)
    • 入力電圧範囲：4.5 V～18 V
    • 出力電圧は 1.1V 固定
    • D-CAP3™ モード制御による高速過渡応答
    • 連続出力電流：8 A
    • 高度な Eco-mode™ パルス・スキップ
    • RDS(on) が 22mΩ/8.6mΩ の内蔵パワー・スイッチ
    • 600kHz のスイッチング周波数
    • 内部ソフト・スタート：1.6ms
    • サイクル単位の過電流保護
    • ラッチ付きの出力 OV および UV 保護
  • 同期整流降圧型コンバータ (VDD1)
    • 入力電圧範囲：3 V～5.5 V
    • 出力電圧は 1.8V 固定
    • D-CAP3™ モード制御による高速過渡応答
    • 連続出力電流：1A
    • 高度な Eco-mode™ パルス・スキップ
    • RDS(on) が 150mΩ/120mΩ の内蔵パワー・スイッチ
    • 580kHz のスイッチング周波数
    • 内部ソフト・スタート：1ms
    • サイクル単位の過電流保護
    • ラッチ付きの出力 OV および UV 保護
  • 1.5A LDO (VDDQ)
    • 1.5A の連続出力電流
    • 10µF のセラミック出力コンデンサのみで動作
    • S3 での高インピーダンスをサポート
    • ±30mV の VDDQ 出力精度 (DC+AC)
  • 低い静止電流150µA
  • パワー・グッド・インジケータ
  • 出力放電機能
  • 電源オンおよび電源オフのシーケンシング制御
  • ラッチなしの OT および UVLO 保護
  • 18 ピン、3.0mm × 3.0mm の HotRod™ VQFN パッケージ

TPS65296 デバイスは、LPDDR4/LPDDR4X メモリ・システム用の包括的な電源ソリューションを最小限の総コストとスペースで実現します。LPDDR4/LPDDR4X の電源オンおよび電源オフ・シーケンス要件に関する JEDEC 規格を満たしています。TPS65296 には、2 つの同期整流降圧型コンバータ (VDD1、VDD2) と、1.5A の LDO (VDDQ) が搭載されています。

D-CAP3™ モードと 600kHz のスイッチング周波数を採用することで、高速過渡、優れた負荷 / ライン・レギュレーション、セラミック出力コンデンサのサポート (外部補償回路不要) を実現しています。

TPS65296 は、内蔵の低 Rdson のパワー MOSFET で高い効率を達成しているだけでなく、豊富な機能も備えています。柔軟な電力状態制御をサポートしており、S3 状態では VDDQ を高インピーダンスにし、S4 および S5 状態では VDD1、VDD2、VDDQ を放電します。OVP、UVP、OCP、UVLO、サーマル・シャットダウンを含む、完全な保護機能を備えています。本デバイスは放熱特性の優れた 18 ピン HotRod™ VQFN パッケージで供給され、–40℃以下から 125℃までの接合部温度で動作するよう設計されています。

TPS65296 デバイスは、LPDDR4/LPDDR4X メモリ・システム用の包括的な電源ソリューションを最小限の総コストとスペースで実現します。LPDDR4/LPDDR4X の電源オンおよび電源オフ・シーケンス要件に関する JEDEC 規格を満たしています。TPS65296 には、2 つの同期整流降圧型コンバータ (VDD1、VDD2) と、1.5A の LDO (VDDQ) が搭載されています。

D-CAP3™ モードと 600kHz のスイッチング周波数を採用することで、高速過渡、優れた負荷 / ライン・レギュレーション、セラミック出力コンデンサのサポート (外部補償回路不要) を実現しています。

TPS65296 は、内蔵の低 Rdson のパワー MOSFET で高い効率を達成しているだけでなく、豊富な機能も備えています。柔軟な電力状態制御をサポートしており、S3 状態では VDDQ を高インピーダンスにし、S4 および S5 状態では VDD1、VDD2、VDDQ を放電します。OVP、UVP、OCP、UVLO、サーマル・シャットダウンを含む、完全な保護機能を備えています。本デバイスは放熱特性の優れた 18 ピン HotRod™ VQFN パッケージで供給され、–40℃以下から 125℃までの接合部温度で動作するよう設計されています。
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技術資料

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* データシート TPS65296 包括的な LPDDR4/LPDDR4X メモリ用電源ソリューション データシート (Rev. A 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.A) PDF | HTML 2020年 11月 18日

設計および開発

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評価ボード

TPS65295EVM-079 — TPS65295EVM-079

The TPS65295 evaluation module (EMV) is used to evaluate the TPS65295 device. The TPS65295 device provides a complete power solution for DDR4 memory system with the lowest total cost and minimum space. It meets the JEDEC standard for DDR4 power-up and power-down sequence requirement. The (...)
ユーザー ガイド: PDF
TI.com で取り扱いなし
シミュレーション・モデル

TPS65296 TINA TI Reference Design

SLUM697.ZIP (471 KB) - TINA-TI Reference Design
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パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
VQFN-HR (RJE) 18 Ultra Librarian
TI の評価品に関する標準契約約款が適用されます。

購入と品質

記載されている情報：
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

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サポートとトレーニング

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