CSD75207W15
- Dual P-Channel MOSFETs
- Common Source Configuration
- Small Footprint 1.5-mm × 1.5-mm
- Gate-Source Voltage Clamp
- Gate ESD Protection >4 kV
- HBM JEDEC standard JESD22-A114
- Pb and Halogen Free
- RoHS Compliant
The CSD75207W15 device is designed to deliver the lowest on-resistance and gate charge in the smallest outline possible with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile. Low on-resistance coupled with the small footprint and low profile make the device ideal for battery-operated space-constrained applications. The device has also been awarded with U.S. patents 7952145, 7420247, 7235845, and 6600182.
기술 자료
검색된 결과가 없습니다. 검색어를 지우고 다시 시도하십시오.
10개 모두 보기 설계 및 개발
추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.
레퍼런스 디자인
TIDA-00100 — Bluetooth 저에너지(BLE) 비컨 서브시스템용 실내 에너지 수집 레퍼런스 디자인
The Indoor Light Energy Harvesting Reference Design for Bluetooth Low Energy (BLE) Beacon Subsystem provides a solution where by with just the power of the typical indoor lighting in a retail environment (greater than 250 LUX) the Bluetooth Low Energy chip can broadcast BLE beacons.
This subsystem (...)
패키지 | 핀 | CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델 |
---|---|---|
DSBGA (YZF) | 9 | Ultra Librarian |
주문 및 품질
포함된 정보:
- RoHS
- REACH
- 디바이스 마킹
- 납 마감/볼 재질
- MSL 등급/피크 리플로우
- MTBF/FIT 예측
- 물질 성분
- 인증 요약
- 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
- 팹 위치
- 조립 위치
권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.