제품 상세 정보

Package name DFN-0603 (X2SON) Peak pulse power (8/20 μs) (max) (W) 40 Vrwm (V) 5.5 Bi-/uni-directional Bi-directional Number of channels 4 IO capacitance (typ) (pF) 4.8 IEC 61000-4-2 contact (±V) 15000 IEC 61000-4-5 (kA) 0.003 Clamping voltage (V) 13 Dynamic resistance (typ) 0.45 Interface type Memory/SIM Card Breakdown voltage (min) (V) 6 IO leakage current (max) (nA) 100 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
Package name DFN-0603 (X2SON) Peak pulse power (8/20 μs) (max) (W) 40 Vrwm (V) 5.5 Bi-/uni-directional Bi-directional Number of channels 4 IO capacitance (typ) (pF) 4.8 IEC 61000-4-2 contact (±V) 15000 IEC 61000-4-5 (kA) 0.003 Clamping voltage (V) 13 Dynamic resistance (typ) 0.45 Interface type Memory/SIM Card Breakdown voltage (min) (V) 6 IO leakage current (max) (nA) 100 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
X2SON (DPW) 4 0.64 mm² 0.8 x 0.8
  • Provides System-Level ESD Protection for Low-
    Voltage I/O Interface
  • IEC 61000-4-2 Level 4 ESD Protection
    • ±15-kV Contact Discharge
    • ±15-kV Air-Gap Discharge
  • IEC 61000-4-5 (Surge): 3 A (8/20 µs)
  • I/O Capacitance 4.8 pF (Typical)
  • Dynamic Resistance 0.45 Ω (Typical)
  • DC Breakdown Voltage ±6 V (Minimum)
  • Ultra-Low Leakage Current 100 nA (Maximum)
    Overtemperature
  • 10-V Clamping Voltage (Maximum at IPP = 1 A)
  • Industrial Temperature Range: –40°C to +125°C
  • Space Saving DPW package (0.8-mm × 0.8-mm)
  • Provides System-Level ESD Protection for Low-
    Voltage I/O Interface
  • IEC 61000-4-2 Level 4 ESD Protection
    • ±15-kV Contact Discharge
    • ±15-kV Air-Gap Discharge
  • IEC 61000-4-5 (Surge): 3 A (8/20 µs)
  • I/O Capacitance 4.8 pF (Typical)
  • Dynamic Resistance 0.45 Ω (Typical)
  • DC Breakdown Voltage ±6 V (Minimum)
  • Ultra-Low Leakage Current 100 nA (Maximum)
    Overtemperature
  • 10-V Clamping Voltage (Maximum at IPP = 1 A)
  • Industrial Temperature Range: –40°C to +125°C
  • Space Saving DPW package (0.8-mm × 0.8-mm)

The TPD4E101 device is a four-channel electrostatic discharge (ESD) transient voltage suppression (TVS) diode array in an ultra small 0.8-mm × 0.8-mm package. This TVS protection device offers ±15-kV contact ESD, ±15-kV IEC air-gap protection, and has four back-to-back TVS diodes for bipolar or bidirectional signal support. The 4.8-pF typical line capacitance of this ESD protection diode array is suitable for a wide range of applications supporting data rates up to 700 Mbps. The DPW package is convenient for component placement in space-constrained applications and the 0.48-mm pitch helps save on PCB manufacturing costs.

Typical applications of this ESD protection device are circuit protection for SIM cards, audio lines (microphones, earphones, and speakerphones), SD interfaces and pushbuttons. This ESD clamp is good for providing protection in end-equipment like cell phones, portable media players, wearables, set-top boxes, and eBooks.

The TPD4E101 device is a four-channel electrostatic discharge (ESD) transient voltage suppression (TVS) diode array in an ultra small 0.8-mm × 0.8-mm package. This TVS protection device offers ±15-kV contact ESD, ±15-kV IEC air-gap protection, and has four back-to-back TVS diodes for bipolar or bidirectional signal support. The 4.8-pF typical line capacitance of this ESD protection diode array is suitable for a wide range of applications supporting data rates up to 700 Mbps. The DPW package is convenient for component placement in space-constrained applications and the 0.48-mm pitch helps save on PCB manufacturing costs.

Typical applications of this ESD protection device are circuit protection for SIM cards, audio lines (microphones, earphones, and speakerphones), SD interfaces and pushbuttons. This ESD clamp is good for providing protection in end-equipment like cell phones, portable media players, wearables, set-top boxes, and eBooks.

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유형 직함 날짜
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설계 및 개발

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평가 보드

ESDEVM — ESD 평가 모듈

ESD(정전기에 민감한 장치) EVM(평가 모듈)은 대부분의 ESD 포트폴리오를 위한 개발 플랫폼입니다. 이 보드에는 디바이스의 수를 테스트할 수 있도록 기존의 모든 ESD 풋프린트가 함께 제공됩니다. 장치를 적절한 풋프린트에 납땜한 후 테스트할 수 있습니다. 일반적인 고속 ESD 다이오드의 경우 S 매개 변수를 받고 보드 트레이스를 임베드하기 위해 임피던스 제어 레이아웃이 구현되어 있습니다. 비 고속 ESD 다이오드의 경우 고장 전압, 유지 전압, 누설 등의 DC 테스트를 쉽게 실행할 수 있도록 테스트 지점으로 가는 트레이스가 (...)
사용 설명서: PDF | HTML
TI.com에서 구매 불가
시뮬레이션 모델

TPD4E101 IBIS Model

SLVM598.ZIP (3 KB) - IBIS Model
패키지 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
X2SON (DPW) 4 Ultra Librarian

주문 및 품질

포함된 정보:
  • RoHS
  • REACH
  • 디바이스 마킹
  • 납 마감/볼 재질
  • MSL 등급/피크 리플로우
  • MTBF/FIT 예측
  • 물질 성분
  • 인증 요약
  • 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
  • 팹 위치
  • 조립 위치

권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.

지원 및 교육

TI 엔지니어의 기술 지원을 받을 수 있는 TI E2E™ 포럼

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