CSD75207W15
- Dual P-Channel MOSFETs
- Common Source Configuration
- Small Footprint 1.5-mm × 1.5-mm
- Gate-Source Voltage Clamp
- Gate ESD Protection >4 kV
- HBM JEDEC standard JESD22-A114
- Pb and Halogen Free
- RoHS Compliant
The CSD75207W15 device is designed to deliver the lowest on-resistance and gate charge in the smallest outline possible with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile. Low on-resistance coupled with the small footprint and low profile make the device ideal for battery-operated space-constrained applications. The device has also been awarded with U.S. patents 7952145, 7420247, 7235845, and 6600182.
技術文件
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檢視所有 10 | 類型 | 標題 | 日期 | ||
|---|---|---|---|---|
| * | Data sheet | CSD75207W15 Dual P-Channel NexFET Power MOSFET datasheet (Rev. A) | PDF | HTML | 2014年 6月 12日 |
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| Application brief | Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs | PDF | HTML | 2022年 5月 31日 | |
| More literature | WCSP Handling Guide | 2019年 11月 7日 | ||
| Application note | AN-1112 DSBGA Wafer Level Chip Scale Package (Rev. AI) | 2019年 6月 14日 |
設計與開發
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參考設計
TIDA-00100 — 適用於低功耗藍牙 (BLE) 信標子系統的室內光線能源採集參考設計
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| 封裝 | 針腳 | CAD 符號、佔位空間與 3D 模型 |
|---|---|---|
| DSBGA (YZF) | 9 | Ultra Librarian |
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