CSD1FNCHEVM-889

FemtoFET N チャネルの評価基板

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CSD1FNCHEVM-889

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概要

FemtoFET N チャネル向けのこの評価基板 (EVM) には 7 枚のドーターカードが付属しており、各カードには FemtoFET N チャネルの異なる型番が記載されています。ドーターカードを使用すると、エンジニアはこれらの超小型デバイスを簡単に接続してテストすることができます。 7 個の FemtoFET は 12V ～ 60V の範囲の V_DS (ドレインソース間電圧) に対応しており、デバイスのサイズは F3 (0.6 x 0.7mm)、F4 (0.6 x 1.0mm)、F5 (0.8 x 1.5mm) のいずれかです。

特長

これらの LGA (ランドグリッドアレイ) パッケージ部品を容易に取り扱い可能
Vds とパッケージサイズを幅広く取り揃え
基板の一部を切り離すと、合計 7 枚の基板に分離可能。各ドーターカードには 1 個の FET を搭載済み
サイズと抵抗値に関して、FemtoFET は FET 業界で最善の組み合わせを達成

MOSFET

CSD13380F3 — ゲートの ESD (静電気放電) 保護機能搭載、0.6mm x 0.7mm の LGA 封止、シングル、76mΩ、12V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFET

CSD13383F4 — ゲートの ESD (静電気放電) 保護機能搭載、1 mm x 0.6mm の LGA 封止、シングル、44mΩ、12V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFET

CSD13385F5 — ゲートの ESD (静電気放電) 保護機能搭載、0.8mm x 1.5mm の LGA 封止、シングル、19mΩ、12V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFET

CSD15380F3 — ゲートの ESD (静電気放電) 保護機能搭載、0.6mm x 0.7mm の LGA 封止、シングル、1460mΩ、20V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFET

CSD17381F4 — ゲートの ESD (静電気放電) 保護機能搭載、1mm x 0.6mm の LGA 封止、117mΩ、シングル、30V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFET

CSD17585F5 — ゲートの ESD (静電気放電) 保護機能搭載、0.8mm x 1.5mm の LGA 封止、シングル、33mΩ、30V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFET

CSD18541F5 — ゲートの ESD (静電気放電) 保護機能搭載、1.5mm x 0.8mm の LGA 封止、シングル、65mΩ、60V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFET

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購入と開発の開始

評価ボード

CSD1FNCHEVM-889 — FemtoFET N チャネルの評価基板

TI.com で取り扱いなし

TI の評価品に関する標準契約約款が適用されます。

技術資料

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	種類	タイトル		英語版のダウンロード		日付
*	EVM ユーザーガイド (英語)	Ultra-Small Footprint N-Channel FemtoFET™ MOSFET Test EVM				2017年 12月 6日
	証明書	CSD1FNCHEVM-889 EU Declaration of Conformity (DoC)				2019年 1月 2日

サポートとトレーニング

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