4 改訂履歴
Changes from C Revision (December 2014) to D Revision
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Added text to the Layout Guidelines section " All sensitive analog traces and components..."Go
Changes from B Revision (August 2012) to C Revision
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「取り扱い定格」表、「機能説明」セクション、「デバイスの機能モード」セクション、「アプリケーションと実装」セクション、「電源に関する推奨事項」セクション、「レイアウト」セクション、「デバイスおよびドキュメントのサポート」セクション、「メカニカル、パッケージ、および注文情報」セクションを追加Go
Changes from A Revision (October 2011) to B Revision
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特長の項目に「ダイオード・エミュレーションにより軽負荷時の効率を改善」を追加Go
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特長の項目を「100kHz~400kHzのスイッチング周波数」から「スイッチング周波数を100kHz~400kHzに調整可能」に変更Go
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効率のグラフを変更Go
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Changed VSON-8 package graphic to clarify ThermalPAD areaGo
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Changed the EN pin MAX value From: 5 V To: 8 VGo
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Changed the Enable and Adjusting Undervoltage Lockout sectionGo
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Changed Equation 22 through Equation 25Go
Changes from * Revision (May 2011) to A Revision
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特長の項目を「MSOP8およびWSON8パッケージ」から「MSOP-8および3mm×3mm VSON-8パッケージ」へ変更Go
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効率のグラフを変更Go
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Added the VSON (DRB-8 Pin) PackageGo
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Changed the RT/CLK pin DescriptionGo
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Added VSON-8 Pins values to the Thermal Information tableGo
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Changed the PLL lock in time Unit of Measure From: µA To: µsGo
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Changed Equation 22Go
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Changed the Efficiency vs Output Current Graphs, Figure 21 and Figure 22Go