JAJSGJ4F August   2018  – September 2024 UCC21530-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 ピン構成および機能
  6. 5 仕様
    1. 5.1  絶対最大定格
    2. 5.2  ESD 定格 (車載用)
    3. 5.3  推奨動作条件
    4. 5.4  熱に関する情報
    5. 5.5  電力定格
    6. 5.6  絶縁仕様
    7. 5.7  安全限界値
    8. 5.8  電気的特性
    9. 5.9  タイミング要件
    10. 5.10 スイッチング特性
    11. 5.11 絶縁特性曲線
    12. 5.12 代表的特性
  7. 6 パラメータ測定情報
    1. 6.1 伝搬遅延とパルス幅歪み
    2. 6.2 立ち上がりおよび立ち下がり時間
    3. 6.3 入力とイネーブルの応答時間
    4. 6.4 プログラム可能なデッド タイム
    5. 6.5 電源オン時の出力の UVLO 遅延
    6. 6.6 CMTI テスト
  8. 7 詳細説明
    1. 7.1 概要
    2. 7.2 機能ブロック図
    3. 7.3 機能説明
      1. 7.3.1 VDD、VCCI、低電圧誤動作防止 (UVLO)
      2. 7.3.2 入力および出力論理表
      3. 7.3.3 入力段
      4. 7.3.4 出力段
      5. 7.3.5 UCC21530-Q1 のダイオード構造
    4. 7.4 デバイスの機能モード
      1. 7.4.1 イネーブル ピン
      2. 7.4.2 プログラマブル デッド タイム (DT) ピン
        1. 7.4.2.1 VCC に接続された DT ピン
        2. 7.4.2.2 DT ピンと GND ピンとの間の設定抵抗に接続される DT ピン
  9. 8 アプリケーションと実装
    1. 8.1 アプリケーション情報
    2. 8.2 代表的なアプリケーション
      1. 8.2.1 設計要件
      2. 8.2.2 詳細な設計手順
        1. 8.2.2.1 INA/INB 入力フィルタの設計
        2. 8.2.2.2 デッド タイム抵抗およびコンデンサの選択
        3. 8.2.2.3 ゲート ドライバの出力抵抗
        4. 8.2.2.4 ゲート ドライバの電力損失の推定
        5. 8.2.2.5 推定接合部温度
        6. 8.2.2.6 VCCI、VDDA/B コンデンサの選択
          1. 8.2.2.6.1 VCCI コンデンサの選択
        7. 8.2.2.7 他のアプリケーション回路の例
      3. 8.2.3 アプリケーション曲線
  10. 9 電源に関する推奨事項
  11. 10レイアウト
    1. 10.1 レイアウトのガイドライン
      1. 10.1.1 部品の配置に関する注意事項
      2. 10.1.2 接地に関する注意事項
      3. 10.1.3 高電圧に関する注意事項
      4. 10.1.4 熱に関する注意事項
    2. 10.2 レイアウト例
  12. 11デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 11.1 サード・パーティ製品に関する免責事項
    2. 11.2 ドキュメントのサポート
      1. 11.2.1 関連資料
    3. 11.3 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    4. 11.4 サポート・リソース
    5. 11.5 商標
    6. 11.6 用語集
  13. 12改訂履歴
  14. 13メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • DWK|14
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

12 改訂履歴

Changes from Revision E (August 2024) to Revision F (September 2024)

  • 「特長」および「概要」セクションと「デバイス情報」表に 17V UVLO オプションを追加Go

Changes from Revision D (April 2021) to Revision E (August 2024)

  • 「特長」の HBM および CDM ESD 分類レベルを更新Go
  • 伝搬遅延の標準値を 19ns から 33ns に変更Go
  • 最小パルス幅を 10ns から 20ns に変更Go
  • 最大遅延マッチング 5ns の箇条書き項目を削除Go
  • CMTI を 100V/ns 超から 125V/ns 超に変更Go
  • 40 年を超える寿命の絶縁バリアに関する箇条書き項目を削除Go
  • 5ns 未満の入力パルスの除去に関する箇条書き項目を削除Go
  • 動作温度を新しい接合部温度範囲に変更Go
  • 「認定、認定進行中」の箇条書き項目を削除Go
  • クラス最高の伝搬遅延と PWD に関する文を削除Go
  • 最小 CMTI を 100V/ns から 125V/ns に変更Go
  • DT ピンの推奨される状態と DT ピンのコンデンサ サイズを変更Go
  • 新しくリリースされたデータシートに合わせて、-0.5V の最小値をすべて -0.3V に変更Go
  • 新しくリリースされたデータシートに合わせて、すべての絶対最大値を電源 +0.5V から電源 +0.3V に変更Go
  • 入力信号電圧過渡テスト条件を 50ns に、絶対最小値を -5V に変更Go
  • ESD 業界標準に合わせて ESD の仕様を HBM = ±4000、CDM = ±1500 から HBM = ±2000、CDM = ±1000 に更新Go
  • 12V-UVLO の推奨最小 VDDA/B 電圧を 14.7V から 13.5V に変更Go
  • 周囲温度の仕様を削除Go
  • 最大接合部温度を 150°C に変更Go
  • 値を RθJA = 68.3℃/W、RθJC(top) = 31.7℃/W、RθJB = 27.6℃/W、ψJT = 17.7℃/W、ψJB = 27℃/W から RθJA = 74.1℃/W、RθJC(top) = 34.1℃/W、RθJB = 32.8℃/W、ψJT = 23.7℃/W、ψJB = 32.1℃/W に更新Go
  • PD = 1810mW、PDI = 0.05W、PDA/PDB = 880mW から PD = 950mW、PDI = 50mW、PDA/PDB = 450mW に値を更新。テスト条件を変更。 Go
  • DTI =>21mm、VIOSM = 8000VPK から DTI =>17mm、VIOSM = 10000VPK に更新し、VIMP = 7692VPK を追加Go
  • 「安全関連認証」セクションを削除Go
  • 値を IS = 58mA/35mA、PS = 50mW/880mW/880mW/1810mW から IS = 53mA/32mA、PS = 50mW/800mW/800mW/1650mW に更新Go
  • VCCI 静止電流の標準値を 1.4mA から 1.5mA に変更Go
  • IVDDA/IVDDB 静止電流の仕様の最大値を 1.8mA から 2.5mA に更新Go
  • IVCCI 動作電流の標準値を 2.0mA から 3.0mA に更新し、最大値 3.5mA を追加Go
  • IVDDA/IVDDB 動作電流の最大値 = 4.2mA を追加Go
  • 立ち上がりスレッショルドの最小値 = 8V、標準値 = 8.5V、最大値 = 9V から最小値 = 7.7V、標準値 = 8.5V、最大値 = 8.9V に更新Go
  • 立ち下がりスレッショルドの最小値 = 7.5V、標準値 = 8V、最大値 = 8.5V から最小値 = 7.2V、標準値 = 7.9V、最大値 = 8.4V に更新Go
  • 8-V UVLO ヒステリシスの標準値 = 0.5V から 0.6V に更新Go
  • 立ち上がりスレッショルドの最小値 = 12.5V、標準値 = 13.5V、最大値 = 14.5V から最小値 = 11.7V、標準値 = 12.5V、最大値 = 13.3V に更新Go
  • 立ち上がりスレッショルドの最小値 = 11.5V、標準値 = 12.5V、最大値 = 13.5V から最小値 = 10.7V、標準値 = 11.5V、最大値 = 12.3V に更新Go
  • 入力 High スレッショルドの最小値を 1.6V から 1.2V に更新Go
  • 新しい「タイミング要件」表に移動してデッドタイム パラメータを更新し、より多くのパラメータを追加Go
  • 伝搬遅延 TPDHL および TPDLH を最小値 = 14ns、標準値 = 19ns、最大値 = 30ns から最小値 = 26ns、標準値 = 33ns、最大値 = 45ns に変更Go
  • 伝播遅延マッチングを最大= 5ns から最大= 6.5ns に変更 (TJ = -40C から -10C に、最大 = 5ns を TJ = -10C から 150C に変更)Go
  • VCCI のパワーアップ遅延の標準値 40us を削除し、最大値 50us を追加Go
  • VDDA/VDDB の電源オン遅延を最大値= 100us から 10us に更新Go
  • CMTI の最小値を 100V/ns から 125V/ns に更新Go
  • 更新された特性に合わせて絶縁曲線 および熱曲線 を更新Go
  • 「代表的特性」の図を更新Go
  • UVLO タイミング遅延を更新Go
  • 機能ブロック図にドライバ段のグリッチ除去フィルタ ブロックを追加Go
  • 「出力段」セクションに最小パルス幅の段落を追加Go
  • ESD ダイオード構造を更新Go
  • 推奨の DT コンデンサの大きさを 2.2nF 超から 1nF 以下に変更Go
  • 回路図の DT コンデンサの推奨の大きさを変更Go
  • DT コンデンサの大きさを 1nF 以下に変更Go
  • DT コンデンサの推奨の大きさを 2.2nF 以上から 1nF 以下に変更Go

Changes from Revision C (March 2019) to Revision D (April 2021)

  • 「特長」、「概要」、「デバイス情報」セクションに 8V UVLO オプションを追加Go
  • ピン機能表の NC ピン (ピン 7) に情報を追加Go
  • 全温度範囲にわたって 8V UVLO スレッショルドとヒステリシスを追加Go

Changes from Revision B (November 2018) to Revision C (March 2019)

  • 初版。Go