JAJSIQ6D June   2020  – August 2024 UCC21540-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 デバイス比較表
  6. 5 ピン構成および機能
  7. 6 仕様
    1. 6.1  絶対最大定格
    2. 6.2  ESD 定格
    3. 6.3  推奨動作条件
    4. 6.4  熱に関する情報
    5. 6.5  電力定格
    6. 6.6  絶縁仕様
    7. 6.7  安全限界値
    8. 6.8  電気的特性
    9. 6.9  スイッチング特性
    10. 6.10 絶縁特性曲線
    11. 6.11 代表的特性
  8. 7 パラメータ測定情報
    1. 7.1 最小パルス
    2. 7.2 伝搬遅延とパルス幅歪み
    3. 7.3 立ち上がりおよび立ち下がり時間
    4. 7.4 入力とディスエーブルの応答時間
    5. 7.5 プログラム可能なデッド タイム
    6. 7.6 電源オン時の出力の UVLO 遅延
    7. 7.7 CMTI テスト
  9. 8 詳細説明
    1. 8.1 概要
    2. 8.2 機能ブロック図
    3. 8.3 機能説明
      1. 8.3.1 VDD、VCCI、低電圧誤動作防止 (UVLO)
      2. 8.3.2 入力および出力論理表
      3. 8.3.3 入力段
      4. 8.3.4 出力段
      5. 8.3.5 UCC21540-Q1 のダイオード構造
    4. 8.4 デバイスの機能モード
      1. 8.4.1 ディセーブル ピン
      2. 8.4.2 プログラマブル・デッド・タイム (DT) ピン
        1. 8.4.2.1 DT ピンを VCCI に接続
        2. 8.4.2.2 DT ピンと GND ピンの間に設定抵抗を接続
  10. 9 アプリケーションと実装
    1. 9.1 アプリケーション情報
    2. 9.2 代表的なアプリケーション
      1. 9.2.1 設計要件
      2. 9.2.2 詳細な設計手順
        1. 9.2.2.1 INA/INB 入力フィルタの設計
        2. 9.2.2.2 デッド タイム抵抗およびコンデンサの選択
        3. 9.2.2.3 外部ブートストラップ ダイオードとその直列抵抗の選択
        4. 9.2.2.4 ゲート・ドライバの出力抵抗
        5. 9.2.2.5 ゲート - ソース間抵抗の選択
        6. 9.2.2.6 ゲート・ドライバの電力損失の推定
        7. 9.2.2.7 接合部温度の推定
        8. 9.2.2.8 VCCI、VDDA/B コンデンサの選択
          1. 9.2.2.8.1 VCCI コンデンサの選択
          2. 9.2.2.8.2 VDDA (ブートストラップ) コンデンサの選択
          3. 9.2.2.8.3 VDDB コンデンサの選択
        9. 9.2.2.9 出力段の負バイアスを使う応用回路
      3. 9.2.3 アプリケーション曲線
  11. 10電源に関する推奨事項
  12. 11レイアウト
    1. 11.1 レイアウトのガイドライン
      1. 11.1.1 部品の配置に関する注意事項
      2. 11.1.2 接地に関する注意事項
      3. 11.1.3 高電圧に関する注意事項
      4. 11.1.4 熱に関する注意事項
    2. 11.2 レイアウト例
  13. 12デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 12.1 サード・パーティ製品に関する免責事項
    2. 12.2 ドキュメントのサポート
      1. 12.2.1 関連資料
    3. 12.3 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    4. 12.4 サポート・リソース
    5. 12.5 商標
    6. 12.6 静電気放電に関する注意事項
    7. 12.7 用語集
  14. 13改訂履歴
  15. 14メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • DWK|14
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

4.13 改訂履歴

Changes from Revision C (February 2021) to Revision D (August 2024)

  • 「特長」の HBM および CDM ESD 分類レベルを更新Go
  • CMTI を 100V/ns を超える値から 125V/ns を超える値に変更Go
  • 伝搬遅延を 40ns (最大値) から 33ns (標準値) に変更Go
  • 最大遅延マッチング 5ns の箇条書き項目を削除Go
  • 最大パルス幅歪みの値を 5.5ns から 6ns に変更Go
  • 最大 VDD 電源オン遅延の 35us を最大 10us に変更Go
  • 「認定、認定進行中」の箇条書き項目を削除Go
  • 最小 100V/ns の CMTI を 125V/ns に変更Go
  • 5ns より短い入力過渡を除去するという文を削除Go
  • 入力ピンの負電圧の処理方法を、200ns について -2V から 50ns について -5V に変更Go
  • 回路図 DT コンデンサのサイズを 2.2nF 以上から 1nF 以下に変更Go
  • DT ピンの推奨される状態と DT ピンのコンデンサ サイズを変更Go
  • VCCI の絶対最大値を 6V から 20V に変更Go
  • VDDA-VSSA と VDDB-VSSB の絶対最大値を 20V から 30V に変更Go
  • 新しくリリースされたデータシートに合わせて、-0.5V の最小値をすべて -0.3V に変更Go
  • 新しくリリースされたデータシートに合わせて、すべての絶対最大値を電源 +0.5V から電源 +0.3V に変更Go
  • 入力信号電圧過渡テスト条件を 50ns に、絶対最小値を -5V に変更Go
  • ESD 業界標準に合わせて ESD の仕様を HBM = ±4000、CDM = ±1500 から HBM = ±2000、CDM = ±1000 に更新Go
  • VCCI (推奨最大値) を 5.5V から 18V に変更Go
  • VDDA-VSSA と VDDB-VSSB の推奨最大値を 18V から 25V に変更Go
  • 5V-UVLO の推奨最小 VDDA/B 電圧を 6V から 6.5V に変更Go
  • 周囲温度の仕様を削除Go
  • 値を RθJA = 69.7℃/W、RθJC(top) = 33.1℃/W、RθJB = 29.0℃/W、ψJT = 20.0℃/W、ψJB = 28.3℃/W から RθJA = 74.1℃/W、RθJC(top) = 34.1℃/W、RθJB = 32.8℃/W、ψJT = 23.7℃/W、ψJB = 32.1℃/W に更新Go
  • PD = 915mW、PDI = 15mW、PDA/PDB = 450mW から PD = 950mW、PDI = 50mW、PDA/PDB = 450mW に値を更新。Go
  • VIMP = 7692Vpk を追加し、最新の絶縁標準に合わせて Viosm を 8000V から 10000V に変更Go
  • 「安全関連認証」セクションを削除Go
  • 値を IS = 73mA、PS = 15mW / 880mW / 880mW / 1775mW から IS = 66mA、PS = 50mW / 800mW / 800mW / 1650mW に変更Go
  • テスト条件を VDDA = VDDB = 12V から VDDA = VDDB = 15V に変更Go
  • IVDDA/IVDDB 静止電流の仕様の最大値を 1.8mA から 2.5mA に更新Go
  • IVCCI 動作電流の標準値を 2.5mA から 3.0mA に更新し、最大値 3.5mA を追加Go
  • IVDDA/IVDDB 動作電流の最大値 = 4.2mA を追加Go
  • 立ち上がりスレッショルドの最小値 = 5.0V、標準値 = 5.5V、最大値 = 5.9V から最小値 = 5.7V、標準値 = 6.0V、最大値 = 6.3V に更新Go
  • 立ち下がりスレッショルドの最小値 = 4.7V、標準値 = 5.2V、最大値 = 5.6V から最小値 = 5.4V、標準値 = 5.7V、最大値 = 6.0V に更新Go
  • 8-V UVLO ヒステリシスの標準値 = 0.5V から 0.6V に更新Go
  • 立ち上がりスレッショルドの最小値 = 8V、標準値 = 8.5V、最大値 = 9V から最小値 = 7.7V、標準値 = 8.5V、最大値 = 8.9V に更新Go
  • 立ち上がりスレッショルドの最小値 = 7.5V、標準値 = 8V、最大値 = 8.5V から最小値 = 7.2V、標準値 = 7.9V、最大値 = 8.4V に更新Go
  • 入力 High スレッショルドの最小値を 1.6V から 1.2V に更新Go
  • 入力 Low スレッショルドの最大値を 1.25V から 1.2V に更新Go
  • ピーク電流の最小値を削除Go
  • 出力抵抗の最大値を削除Go
  • High 状態の最小出力電圧を削除。標準値を 11.95V から 14.95V に変更。テスト条件を VDD = 12V から VDD = 15V に変更。Go
  • Low 状態の最大出力電圧を削除。テスト条件を VDD = 12V から VDD = 15V に変更。Go
  • ドライバのアクティブ プルダウンの標準値を 1.75V から 1.6V に、最大値を 2.1V から 2V に変更。Go
  • デッドタイム一致の行を削除Go
  • テスト条件を VDDA = VDDB = 12V から VDDA = VDDB = 15V に変更Go
  • 最小パルス幅の標準値を削除Go
  • 伝搬遅延 TPDHL および TPDLH を標準値 = 28ns、最大値 = 40ns から最小値 = 26ns、標準値 = 33ns、最大値 = 45ns に変更Go
  • 最大パルス幅歪みを「5.5ns」から「6ns」に変更Go
  • 伝播遅延マッチングを最大= 5ns から最大= 6.5ns に変更 (TJ = -40C から -10C に、最大 = 5ns を TJ = -10C から 150C に変更)Go
  • VCCI のパワーアップ遅延の標準値 40us を削除し、最大値を 59us から 50us に変更Go
  • VDD のパワーアップ遅延の標準値 23us を削除し、最大値を 35us から 10us に変更Go
  • CMTI の最小値を 100V/ns から 125V/ns に更新Go
  • 更新された特性に合わせて熱曲線を更新Go
  • デバイスの特性を示すように代表的特性の図を更新Go
  • グリッチ除去フィルタの言語を削除。最小パルス幅を標準 10ns から最大 20ns に変更。Go
  • デカップリング コンデンサの推奨配置を 2.2nF 以上から 1nF 以下に変更Go
  • UVLO 遅延タイミングを変更Go
  • 機能ブロック図を更新Go
  • クランプ電圧の標準値を 1.75V から 1.6V に変更Go
  • DIS プルダウン抵抗のサイズを 50kΩ から 200kΩ に変更Go
  • 「出力段」セクションに最小パルス幅の段落を追加Go
  • ESD ダイオード構造を更新Go
  • データシート ドラフト エラーにより、不完全な文を削除Go
  • DT コンデンサの推奨値を 2.2nF 以上から 1nF 以下に変更Go
  • DT ピンの定常状態電圧の文を削除Go
  • アプリケーション回路図の DT コンデンサのサイズを変更Go
  • DT コンデンサのサイズを 2.2nF から 1nF 以下に変更Go
  • DT コンデンサの推奨値を 2.2nF 以上から 1nF 以下に変更Go

Changes from Revision B (February 2021) to Revision C (February 2021)

  • 強化絶縁コンデンサの寿命予測図を更新Go

Changes from Revision A (July 2020) to Revision B (February 2021)

  • 「特長」の一覧に「機能安全品質管理」を追加Go
  • 「特長」、「アプリケーション」、「概要」セクションを変更Go
  • UCC21540A-Q1 デバイスの初回リリースを追加。Go
  • UCC21540A-Q1 の UVLO スレッショルドを追加Go
  • UCC21540A-Q1 の UVLO スレッショルドの図を追加Go

Changes from Revision * (May 2020) to Revision A (July 2020)

  • マーケティング ステータスを事前情報から初回リリースに変更。Go