JAJSBW0G December   2012  – June 2019 UCC27531 , UCC27533 , UCC27536 , UCC27537 , UCC27538

PRODUCTION DATA.  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
    1.     Device Images
      1.      負バイアスを使用しない IGBT 駆動
  4. 4 改訂履歴
    1.     概要（続き）
  5. 5 Device Comparison Table
  6. 6 Pin Configuration and Functions
    1.     Pin Functions
  7. 7 Specifications
    1. 7.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 7.2 ESD Ratings
    3. 7.3 Recommended Operating Conditions
    4. 7.4 Thermal Information
    5. 7.5 Electrical Characteristics
    6. 7.6 Switching Characteristics
    7. 7.7 Timing Diagrams
    8. 7.8 Typical Characteristics
  8. 8 Detailed Description
    1. 8.1 Overview
    2. 8.2 Functional Block Diagrams
    3. 8.3 Feature Description
      1. 8.3.1 VDD Undervoltage Lockout
      2. 8.3.2 Input Stage
      3. 8.3.3 Enable Function
      4. 8.3.4 Output Stage
    4. 8.4 Device Functional Modes
  9. 9 Applications and Implementation
    1. 9.1 Application Information
    2. 9.2 Typical Application
      1. 9.2.1 Driving IGBT Without Negative Bias
        1. 9.2.1.1 Design Requirements
        2. 9.2.1.2 Detailed Design Procedure
          1. 9.2.1.2.1 Input-to-Output Configuration
          2. 9.2.1.2.2 Input Threshold Type
          3. 9.2.1.2.3 VDD Bias Supply Voltage
          4. 9.2.1.2.4 Peak Source and Sink Currents
          5. 9.2.1.2.5 Enable and Disable Function
          6. 9.2.1.2.6 Propagation Delay
          7. 9.2.1.2.7 Power Dissipation
        3. 9.2.1.3 Application Curve
      2. 9.2.2 Driving IGBT With 13-V Negative Turn-Off BIAS
        1. 9.2.2.1 Design Requirements
        2. 9.2.2.2 Detailed Design Procedure
        3. 9.2.2.3 Application Curve
      3. 9.2.3 Single-Output Driver
        1. 9.2.3.1 Design Requirements
        2. 9.2.3.2 Detailed Design Procedure
        3. 9.2.3.3 Application Curve
      4. 9.2.4 Using UCC2753x Drivers in an Inverter
        1. 9.2.4.1 Design Requirements
        2. 9.2.4.2 Detailed Design Procedure
        3. 9.2.4.3 Application Curve
  10. 10Power Supply Recommendations
  11. 11Layout
    1. 11.1 Layout Guidelines
    2. 11.2 Layout Example
    3. 11.3 Thermal Consideration
  12. 12デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 12.1 関連リンク
    2. 12.2 商標
    3. 12.3 静電気放電に関する注意事項
    4. 12.4 Glossary
  13. 13メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

7.4 Thermal Information

THERMAL METRIC(1) UCC27533, UCC27536, UCC27537 UCC27531, UCC27538 UCC27531 UNIT
DBV DBV SOIC
5 PINS 6 PINS 8 PINS
RθJA Junction-to-ambient thermal resistance(2) 178.3 178.3 129.9 °C/W
RθJC(top) Junction-to-case (top) thermal resistance(3) 109.7 109.7 79.9
RθJB Junction-to-board thermal resistance(4) 28.3 28.3 68.1
ψJT Junction-to-top characterization parameter(5) 14.7 14.7 22.7
ψJB Junction-to-board characterization parameter(6) 27.8 27.8 69.8
(1) 従来および新しい熱測定値の詳細については、『Semiconductor and IC Package Thermal Metrics』アプリケーション・レポート(SPRA953)を参照してください。
(2) 自然対流における、接合部と周囲の空気との間の熱抵抗は、JESD51-2aに記述されている環境において、JESD51-7で規定されているJEDEC標準のHigh-Kボード上でのシミュレーションによって求められます。
(3) 接合部とケース(上面)との間の熱抵抗は、パッケージ上面での冷却板試験のシミュレーションによって求められます。JEDEC規格試験では規定されていませんが、ANSIが策定したSEMI規格のG30-88に類似した記述があります。
(4) 接合部と基板との間の熱抵抗は JESD51-8で説明されているように、PCB温度を制御するリング型冷却板冶具で環境をシミュレーションすることにより求められます。
(5) 接合部とケース上部との間の特性パラメータψJTは、実際のシステムにおけるデバイスの接合部温度を推定するもので、JESD51-2a (セクション6および7)に記述されている手順を用いて、RθJAを求めるためのシミュレーションデータから抽出されます。
(6) 接合部と基板との間の特性パラメータψJBは、実際のシステムにおけるデバイスの接合部温度を推定するもので、JESD51-2a (セクション6および7)に記述されている手順を用いて、RθJAを求めるためのシミュレーションデータから抽出されます。