JAJY111C january   2023  – april 2023 LMQ61460-Q1 , TPS54319 , TPS62088 , TPS82671 , UCC12040 , UCC12050

 

  1.   1
  2.   概要
  3.   概要
  4.   電力密度とは
  5.   電力密度を制限する要因
  6.   電力密度を制限する要因：スイッチング損失
  7.   主な制限要因 1：充電関連の損失
  8.   主な制限要因 2：逆回復の損失
  9.   主な制限要因 3：ターンオン損失とターンオフ損失
  10.   電力密度を制限する要因：放熱性能
  11.   電力密度の障壁を打破する方法
  12.   スイッチング損失の革新
  13.   パッケージの放熱特性の革新
  14.   先進的な回路設計による革新
  15.   統合の革新
  16.   まとめ
  17.   その他の資料

主な制限要因 2：逆回復の損失

降圧コンバータで逆回復が発生するのは、ローサイド MOSFET のボディ・ダイオードが電流を導通している間にハイサイド MOSFET がオンになったときです。このとき、ローサイド・ダイオードの電流を急激にハイサイド MOSFET に強制的に遷移させる必要が生じます。この遷移プロセスで、直接的なスイッチング損失の原因となるローサイド・ダイオードの少数電荷を取り除く方向に電流を流す必要があります。式 4 を参照してください。

式 4. E R R = V I N × I L × t R R + V I N × Q R R  

ダイオードの逆回復の影響を低減するための最善の方法の 1 つは、最適化された MOSFET 設計を使用して蓄積電荷 (QRR) を低減すること、または立ち上がりエッジのデッドタイムを短縮または除去して損失の影響を完全になくすことです。