NESA009A november   2022  – march 2023 MSPM0G1105 , MSPM0G1106 , MSPM0G1107 , MSPM0G1505 , MSPM0G1506 , MSPM0G1507 , MSPM0G3105 , MSPM0G3106 , MSPM0G3107 , MSPM0G3505 , MSPM0G3506 , MSPM0G3507 , MSPM0L1105 , MSPM0L1106 , MSPM0L1227 , MSPM0L1228 , MSPM0L1228-Q1 , MSPM0L1303 , MSPM0L1304 , MSPM0L1305 , MSPM0L1306 , MSPM0L1343 , MSPM0L1344 , MSPM0L1345 , MSPM0L1346 , MSPM0L2227 , MSPM0L2228 , MSPM0L2228-Q1

 

  1.   摘要
  2.   商標
  3. 1MSPM0 產品組合概覽
    1. 1.1 簡介
    2. 1.2 STM32 MCU 與 MSPM0 MCU 的產品組合比較
  4. 2生態系統與移轉
    1. 2.1 軟體生態系統比較
      1. 2.1.1 MSPM0 軟體開發套件 (MSPM0 SDK)
      2. 2.1.2 CubeIDE 與 Code Composer Studio IDE (CCS)
      3. 2.1.3 CubeMX 與 SysConfig
    2. 2.2 硬體生態系統
    3. 2.3 偵錯工具
    4. 2.4 移轉程序
    5. 2.5 移轉和移植範例
  5. 3核心架構比較
    1. 3.1 CPU
    2. 3.2 嵌入式記憶體比較
      1. 3.2.1 快閃記憶體功能
      2. 3.2.2 快閃記憶體組織
      3. 3.2.3 嵌入式 SRAM
    3. 3.3 開機和重設摘要與比較
    4. 3.4 時鐘摘要和比較
    5. 3.5 MSPM0 運作模式摘要和比較
    6. 3.6 中斷與事件比較
    7. 3.7 偵錯和編程比較
  6. 4數位周邊設備比較
    1. 4.1 通用 I/O (GPIO、IOMUX)
    2. 4.2 通用非同步接收器-發射器 (UART)
    3. 4.3 序列周邊介面 (SPI)
    4. 4.4 I2C
    5. 4.5 計時器 (TIMGx、TIMAx)
    6. 4.6 窗型監視計時器 (WWDT)
    7. 4.7 即時時鐘 (RTC)
  7. 5類比周邊設備比較
    1. 5.1 類比轉數位轉換器 (ADC)
    2. 5.2 比較器 (COMP)
    3. 5.3 數位轉類比轉換器 (DAC)
    4. 5.4 運算放大器 (OPA)
    5. 5.5 電壓參考 (VREF)
  8. 6修訂記錄

快閃記憶體組織

快閃記憶體用於儲存應用程式碼和資料、裝置開機配置,以及 TI 出廠時預編程的參數。快閃記憶體會排列成一個或多個記憶體組,每個記憶體組中的記憶體會進一步映射到一個或多個邏輯記憶體區域,並指派系統位址空間給應用程式使用。

記憶體組

大多數 MSPM0 裝置都會執行單一快閃記憶體組 (BANK0)。在具有單一快閃記憶體組的裝置上,正在進行的程式/清除作業會停止所有對快閃記憶體的讀取請求,直到作業完成,且快閃記憶體控制器已釋放對快閃記憶體組的控制。在具有多個快閃記憶體組的裝置上,快閃記憶體組上的程式/清除作業也會停止核發給正在執行程式/清除作業的快閃記憶體組的讀取請求,但不會停止對其他快閃記憶體組核發的讀取請求。因此,多個快閃記憶體組的存在會啓用以下應用案例:

  • 雙映像韌體更新 (當第二個映像編程到第二個對稱快閃記憶體組時,應用程式可從一個快閃記憶體組執行程式碼,而不會阻礙應用程式的執行)
  • EEPROM 模擬 (當第二個快閃記憶體組用於寫入資料,而不停止執行應用程式時,應用程式可從一個快閃記憶體組執行應用程式)

快閃記憶體區域

每個記憶體組中的記憶體會根據每個記憶體組中的記憶體支援的功能,映射到一個或多個邏輯區域。共有四個區域:

  • 工廠 – 裝置 ID 和其他參數
  • 非主要 – 裝置開機設定 (BCR 和 BSL)
  • 主要 – 應用程式碼和資料
  • 資料 – 資料或 EEPROM 模擬

具有一個記憶體組的裝置在 BANK0 上實作工廠、非主要和主要區域 (唯一存在的記憶體組),而且資料區域不可用。具有多個記憶體組的裝置也會在 BANK0 上實作工廠、非主要和主要區域,但包括可實作主要或資料區域的其他記憶體組 (BANK1 至 BANK4)。

非主要記憶體

非主要記憶體是專用快閃記憶體區域,儲存 BCR 和 BSL 用於啟動裝置的配置資料。該區域不用於其他任何目的。BCR 和 BSL 都有配置政策,可以保留預設值 (在開發和評估過程中是典型值),也可以透過更改編程到非主要快閃區域中的值來修改特定用途 (在生產編程過程中為典型值)。