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Galliumnitrid (GaN)-Leistungsstufen
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LMG3624

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GaN-FET, 650 V, 170 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Strommessung

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LMG3624

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Produktdetails

VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 170 ID (max) (A) 6 Features Bottom-side cooled, Current sense, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Enable pin, Low Quiescent Current, Low standby current, Overtemperature protection, Slew Rate Control, Wide input voltage Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 170 ID (max) (A) 6 Features Bottom-side cooled, Current sense, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Enable pin, Low Quiescent Current, Low standby current, Overtemperature protection, Slew Rate Control, Wide input voltage Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
VQFN (REQ) 38 42.4 mm² 8 x 5.3
  • 650V 170mΩ GaN power FET
  • Integrated gate driver with low propagation delays and adjustable turn-on slew-rate control
  • Current-sense emulation with high bandwidth and high accuracy
  • Cycle-by-cycle overcurrent protection
  • Overtemperature protection with FLT pin reporting
  • AUX quiescent current: 240µA
  • AUX standby quiescent current: 50µA
  • Maximum supply and input logic pin voltage: 26V
  • 8mm × 5.3mm QFN package with thermal pad
  • 650V 170mΩ GaN power FET
  • Integrated gate driver with low propagation delays and adjustable turn-on slew-rate control
  • Current-sense emulation with high bandwidth and high accuracy
  • Cycle-by-cycle overcurrent protection
  • Overtemperature protection with FLT pin reporting
  • AUX quiescent current: 240µA
  • AUX standby quiescent current: 50µA
  • Maximum supply and input logic pin voltage: 26V
  • 8mm × 5.3mm QFN package with thermal pad

The LMG3624 is a 650V 170mΩ GaN power FET intended for switch-mode power-supply applications. The LMG3624 simplifies design and reduces component count by integrating the GaN FET and gate driver in a 8mm by 5.3mm QFN package.

Programmable turn-on slew rates provide EMI and ringing control. The current-sense emulation reduces power dissipation compared to the traditional current-sense resistor and allows the low-side thermal pad to be connected to the cooling PCB power ground.

The LMG3624 supports converter light-load efficiency requirements and burst-mode operation with low quiescent currents and fast start-up times. Protection features include under-voltage lockout (UVLO), cycle-by-cycle current limit, and overtemperature protection. Overtemperature protection is reported with the open-drain FLT pin.

The LMG3624 is a 650V 170mΩ GaN power FET intended for switch-mode power-supply applications. The LMG3624 simplifies design and reduces component count by integrating the GaN FET and gate driver in a 8mm by 5.3mm QFN package.

Programmable turn-on slew rates provide EMI and ringing control. The current-sense emulation reduces power dissipation compared to the traditional current-sense resistor and allows the low-side thermal pad to be connected to the cooling PCB power ground.

The LMG3624 supports converter light-load efficiency requirements and burst-mode operation with low quiescent currents and fast start-up times. Protection features include under-voltage lockout (UVLO), cycle-by-cycle current limit, and overtemperature protection. Overtemperature protection is reported with the open-drain FLT pin.
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Technische Dokumentation

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Typ Titel Datum
* Data sheet LMG3624 650V 170 mΩ GaN FET With Integrated Driver and Current-Sense Emulation datasheet (Rev. A) PDF | HTML 12 Jun 2024
Technical article The benefits of low-power GaN in common AC/DC power topologies PDF | HTML 30 Jan 2024
Application brief Maximize System Efficiency With Integrated Current Sensing From TI GaN PDF | HTML 30 Nov 2023
Product overview Designing With the LMG362x Family of Low-Power GaN FETs PDF | HTML 28 Nov 2023

Design und Entwicklung

Weitere Bedingungen oder erforderliche Ressourcen enthält gegebenenfalls die Detailseite, die Sie durch Klicken auf einen der unten stehenden Titel erreichen.

Evaluierungsplatine

LMG3624EVM-081 — LMG3624 Evaluierungsmodul für 65-W-quasiresonanten Flyback-Wandler mit USB Typ-C® PD

LMG3624EVM-081 demonstriert hohe Effizienz und Dichte für einen 65-W-USB Typ-C® Power Delivery (PD)-Offline-Adapter mit dem integrierten GaN-FET LMG3624 mit Strommessemulation. Der Eingang unterstützt eine universelle 90-VAC- bis 265-VAC-Spannung und der einzelne Ausgang kann auf 5 V, 9 V und (...)

Benutzerhandbuch: PDF | HTML
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Berechnungstool

LMG36XX-CALC — LMG36XX Quasi-Resonant Flyback Power Stage Design Calculator

The purpose of this tool is to aid in the design of the main power stage components of a Quasi-Resonant Flyback Converter (QR) with the use LMG36XX integrated GaN FET. Calculations are provided for frequency, voltage/current stresses, and losses in converter.
Unterstützte Produkte und Hardware

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Produkte
Galliumnitrid (GaN)-Leistungsstufen
LMG3612 — 650-V 120 mΩ GaN mit integriertem Treiber und Schutz LMG3616 — 650-V 270 mΩ GaN mit integriertem Treiber und Schutz LMG3622 — GaN-FET, 650 V, 120 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Strommessung LMG3624 — GaN-FET, 650 V, 170 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Strommessung LMG3626 — GaN-FET, 650 V, 270 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Strommessung
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Referenzdesigns

TIDA-050072 — Referenzdesign für GaN-basierten USB PD3.0 USB-C-Adapter, 65 W

Bei diesem Referenzdesign handelt es sich um einen USB-PD3.0-Adapter mit 65 W für viele Ladeanwendungen, einschließlich Mobiltelefone, Laptops und Tablet-PCs. Das Design erreicht eine hohe Effizienz und Leistungsdichte durch den Einsatz von integrierten GaN-FETs LMG3624 mit (...)
Design guide: PDF
Gehäuse Pins CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle
VQFN (REQ) 38 Ultra Librarian
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