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TPD1E01B04

AKTIV

0,18-pF, ±3,6-V, ±15-kV-ESD-Schutzdiode in 0402- & 0201-Gehäusen für USB-C &

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TPD1E01B04

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Produktdetails

Package name DFN-0603 (X2SON), DFN-1006 (X1SON) Peak pulse power (8/20 μs) (max) (W) 27 Vrwm (V) 3.6 Bi-/uni-directional Bi-directional Number of channels 1 IO capacitance (typ) (pF) 0.18 IEC 61000-4-2 contact (±V) 15000 IEC 61000-4-5 (kA) 0.0025 Features ESD Protection Clamping voltage (V) 7 Dynamic resistance (typ) 0.57 Interface type HDMI 1.4/1.3, HDMI 2.0, USB 3.0, USB Type-C Breakdown voltage (min) (V) 6.4 IO leakage current (max) (nA) 10 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
Package name DFN-0603 (X2SON), DFN-1006 (X1SON) Peak pulse power (8/20 μs) (max) (W) 27 Vrwm (V) 3.6 Bi-/uni-directional Bi-directional Number of channels 1 IO capacitance (typ) (pF) 0.18 IEC 61000-4-2 contact (±V) 15000 IEC 61000-4-5 (kA) 0.0025 Features ESD Protection Clamping voltage (V) 7 Dynamic resistance (typ) 0.57 Interface type HDMI 1.4/1.3, HDMI 2.0, USB 3.0, USB Type-C Breakdown voltage (min) (V) 6.4 IO leakage current (max) (nA) 10 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
X1SON (DPY) 2 0.6 mm² 1 x 0.6 X2SON (DPL) 2 0.18 mm² 0.6 x 0.3
  • IEC 61000-4-2 Level 4 ESD Protection
    • ±15-kV Contact Discharge
    • ±17-kV Air Gap Discharge
  • IEC 61000-4-4 EFT Protection
    • 80 A (5/50 ns)
  • IEC 61000-4-5 Surge Protection
    • 2.5 A (8/20 µs)
  • IO Capacitance:
    • 0.18 to 0.20 pF (Typical)
    • 0.20 to 0.23 pF (Maximum)
  • DC Breakdown Voltage: 6.4 V (Typical)
  • Ultra Low Leakage Current: 10-nA (Maximum)
  • Low ESD Clamping Voltage: 15 V at 16 A TLP
  • Low Insertion Loss: 26.9 GHz (–3 dB Bandwidth, DPL)
  • Supports High Speed Interfaces up to 20 Gbps
  • Industrial Temperature Range: –40°C to +125°C
  • Industry Standard 0201 and 0402 footprints
  • IEC 61000-4-2 Level 4 ESD Protection
    • ±15-kV Contact Discharge
    • ±17-kV Air Gap Discharge
  • IEC 61000-4-4 EFT Protection
    • 80 A (5/50 ns)
  • IEC 61000-4-5 Surge Protection
    • 2.5 A (8/20 µs)
  • IO Capacitance:
    • 0.18 to 0.20 pF (Typical)
    • 0.20 to 0.23 pF (Maximum)
  • DC Breakdown Voltage: 6.4 V (Typical)
  • Ultra Low Leakage Current: 10-nA (Maximum)
  • Low ESD Clamping Voltage: 15 V at 16 A TLP
  • Low Insertion Loss: 26.9 GHz (–3 dB Bandwidth, DPL)
  • Supports High Speed Interfaces up to 20 Gbps
  • Industrial Temperature Range: –40°C to +125°C
  • Industry Standard 0201 and 0402 footprints

The TPD1E01B04 is a bidirectional TVS ESD protection diode array for USB Type-C and Thunderbolt 3 circuit protection. The TPD1E01B04 is rated to dissipate ESD strikes at the maximum level specified in the IEC 61000-4-2 international standard (Level 4).

This device features a 0.18 to 0.20-pF (typical) IO capacitance making it ideal for protecting high-speed interfaces up to 20 Gbps such as USB 3.1 Gen2 and Thunderbolt 3. The low dynamic resistance and low clamping voltage ensure system level protection against transient events.

The TPD1E01B04 is offered in the industry standard 0201 (DPL) package and 0402 (DPY) packages.

The TPD1E01B04 is a bidirectional TVS ESD protection diode array for USB Type-C and Thunderbolt 3 circuit protection. The TPD1E01B04 is rated to dissipate ESD strikes at the maximum level specified in the IEC 61000-4-2 international standard (Level 4).

This device features a 0.18 to 0.20-pF (typical) IO capacitance making it ideal for protecting high-speed interfaces up to 20 Gbps such as USB 3.1 Gen2 and Thunderbolt 3. The low dynamic resistance and low clamping voltage ensure system level protection against transient events.

The TPD1E01B04 is offered in the industry standard 0201 (DPL) package and 0402 (DPY) packages.
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Typ Titel Datum
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Evaluierungsplatine

ESDEVM — ESD-Evaluierungsmodul

Das Evaluierungsmodul für elektrostatisch empfindliche Bausteine (ESD) ist eine Entwicklungsplattform für die meisten unserer ESD-Produkte. Die Platine wird mit allen herkömmlichen ESD-Footprints geliefert, um eine beliebige Anzahl von Bausteinen zu testen. Bukönnen auf ihre jeweiligen Abmessung (...)
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