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BQ500101

ACTIVO

Etapa de potencia NexFET

Detalles del producto

VDS (V) 30 Ploss current (A) 5 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
VDS (V) 30 Ploss current (A) 5 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
VSON-CLIP (DPC) 8 15.75 mm² 4.5 x 3.5
  • 98% System Efficiency at 5 A
  • Max Rated Continuous Current 10 A, Peak 15 A
  • High-Frequency Operation (up to 600 kHz)
  • High-Density SON 3.5 × 4.5 mm Footprint
  • Ultra-Low Inductance Package
  • System Optimized PCB Footprint
  • 3.3-V and 5-V PWM Signal Compatible
  • Input Voltages up to 24 V
  • Integrated Bootstrap Diode
  • Shoot-Through Protection
  • RoHS Compliant – Lead Free Terminal Plating
  • Halogen Free
  • Optimized Power Stage Containing High-
    Efficiency Gate Drivers and FETs
  • Optimized for 15-W Wireless Power Transmitter Designs
  • 98% System Efficiency at 5 A
  • Max Rated Continuous Current 10 A, Peak 15 A
  • High-Frequency Operation (up to 600 kHz)
  • High-Density SON 3.5 × 4.5 mm Footprint
  • Ultra-Low Inductance Package
  • System Optimized PCB Footprint
  • 3.3-V and 5-V PWM Signal Compatible
  • Input Voltages up to 24 V
  • Integrated Bootstrap Diode
  • Shoot-Through Protection
  • RoHS Compliant – Lead Free Terminal Plating
  • Halogen Free
  • Optimized Power Stage Containing High-
    Efficiency Gate Drivers and FETs
  • Optimized for 15-W Wireless Power Transmitter Designs

The bq500101 NexFET Power Stage is optimized for wireless power applications covering the WPC v1.2 medium power specification. The device can be used for both the rail voltage control in fixed frequency transmitter types as well as the coil drivers for both fixed and variable frequency types. This combination produces a high-current, high-efficiency, and high-speed switching device in a small 3.5 × 4.5 mm outline package. In addition, the PCB footprint is optimized to help reduce design time and simplify the completion of the overall system design.

The bq500101 NexFET Power Stage is optimized for wireless power applications covering the WPC v1.2 medium power specification. The device can be used for both the rail voltage control in fixed frequency transmitter types as well as the coil drivers for both fixed and variable frequency types. This combination produces a high-current, high-efficiency, and high-speed switching device in a small 3.5 × 4.5 mm outline package. In addition, the PCB footprint is optimized to help reduce design time and simplify the completion of the overall system design.

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Documentación técnica

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Tipo Título Fecha
* Data sheet bq500101 NexFET Power Stage datasheet PDF | HTML 03 mar 2016
EVM User's guide bq501210 bqTESLA™ Wireless Power TX EVM 09 jun 2016

Diseño y desarrollo

Para conocer los términos adicionales o los recursos necesarios, haga clic en cualquier título de abajo para ver la página de detalles cuando esté disponible.

Modelo de simulación

BQ500101 PSpice Transient Model

SLPM277.ZIP (49 KB) - PSpice Model
Modelo de simulación

BQ500101 TINA-TI Reference Design

SLPM275.TSC (179 KB) - TINA-TI Reference Design
Modelo de simulación

BQ500101 TINA-TI Transient Spice Model

SLPM276.ZIP (51 KB) - TINA-TI Spice Model
Encapsulado Pines Símbolos CAD, huellas y modelos 3D
VSON-CLIP (DPC) 8 Ultra Librarian

Pedidos y calidad

Información incluida:
  • RoHS
  • REACH
  • Marcado del dispositivo
  • Acabado de plomo/material de la bola
  • Clasificación de nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) / reflujo máximo
  • Estimaciones de tiempo medio entre fallas (MTBF)/fallas en el tiempo (FIT)
  • Contenido del material
  • Resumen de calificaciones
  • Monitoreo continuo de confiabilidad
Información incluida:
  • Lugar de fabricación
  • Lugar de ensamblaje

Soporte y capacitación

Foros de TI E2E™ con asistencia técnica de los ingenieros de TI

El contenido lo proporcionan “tal como está” TI y los colaboradores de la comunidad y no constituye especificaciones de TI. Consulte los términos de uso.

Si tiene preguntas sobre la calidad, el paquete o el pedido de productos de TI, consulte el soporte de TI. ​​​​​​​​​​​​​​

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