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INA111

ACTIVO

Amplificador de instrumentación de alta velocidad con entrada FET

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INA111

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Detalles del producto

Number of channels 1 Vs (max) (V) 36 Vs (min) (V) 12 Input offset (±) (max) (µV) 500 Voltage gain (min) (V/V) 1 Voltage gain (max) (V/V) 1000 Noise at 1 kHz (typ) (nV√Hz) 10 Features Low bias current CMRR (min) (dB) 106 Input offset drift (±) (max) (µV/°C) 5 Input bias current (±) (max) (nA) 0.02 Iq (typ) (mA) 3.3 Bandwidth at min gain (typ) (MHz) 2 Gain error (±) (max) (%) 0.5 Operating temperature range (°C) -40 to 85 Rating Catalog Type Resistor Gain nonlinearity (±) (max) (%) 0.005 Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V) 2.3 Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V) -2.3 Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V) 3 Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V) -3 Noise at 0.1 Hz to 10 Hz (typ) (µVPP) 1
Number of channels 1 Vs (max) (V) 36 Vs (min) (V) 12 Input offset (±) (max) (µV) 500 Voltage gain (min) (V/V) 1 Voltage gain (max) (V/V) 1000 Noise at 1 kHz (typ) (nV√Hz) 10 Features Low bias current CMRR (min) (dB) 106 Input offset drift (±) (max) (µV/°C) 5 Input bias current (±) (max) (nA) 0.02 Iq (typ) (mA) 3.3 Bandwidth at min gain (typ) (MHz) 2 Gain error (±) (max) (%) 0.5 Operating temperature range (°C) -40 to 85 Rating Catalog Type Resistor Gain nonlinearity (±) (max) (%) 0.005 Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V) 2.3 Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V) -2.3 Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V) 3 Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V) -3 Noise at 0.1 Hz to 10 Hz (typ) (µVPP) 1
PDIP (P) 8 92.5083 mm² 9.81 x 9.43 SOIC (DW) 16 106.09 mm² 10.3 x 10.3
  • FET INPUT: IB = 20pA max
  • HIGH SPEED: TS = 4us (G = 100, 0.01%)
  • LOW OFFSET VOLTAGE: 500uV max
  • LOW OFFSET VOLTAGE DRIFT: 5uV/°C max
  • HIGH COMMON-MODE REJECTION: 106dB min
  • 8-PIN PLASTIC DIP, SOL-16 SOIC
  • APPLICATIONS
    • MEDICAL INSTRUMENTATION
    • DATA ACQUISITION
  • FET INPUT: IB = 20pA max
  • HIGH SPEED: TS = 4us (G = 100, 0.01%)
  • LOW OFFSET VOLTAGE: 500uV max
  • LOW OFFSET VOLTAGE DRIFT: 5uV/°C max
  • HIGH COMMON-MODE REJECTION: 106dB min
  • 8-PIN PLASTIC DIP, SOL-16 SOIC
  • APPLICATIONS
    • MEDICAL INSTRUMENTATION
    • DATA ACQUISITION

The INA111 is a high speed, FET-input instrumentation amplifier offering excellent performance.

The INA111 uses a current-feedback topology providing extended bandwidth (2MHz at G = 10) and fast settling time (4us to 0.01% at G = 100). A single external resistor sets any gain from 1 to over 1000.

Offset voltage and drift are laser trimmed for excellent DC accuracy. The INA111's FET inputs reduce input bias current to under 20pA, simplifying input filtering and limiting circuitry.

The INA111 is available in 8-pin plastic DIP, and SOL-16 surface-mount packages, specified for the -40°C to +85°C temperature range.

The INA111 is a high speed, FET-input instrumentation amplifier offering excellent performance.

The INA111 uses a current-feedback topology providing extended bandwidth (2MHz at G = 10) and fast settling time (4us to 0.01% at G = 100). A single external resistor sets any gain from 1 to over 1000.

Offset voltage and drift are laser trimmed for excellent DC accuracy. The INA111's FET inputs reduce input bias current to under 20pA, simplifying input filtering and limiting circuitry.

The INA111 is available in 8-pin plastic DIP, and SOL-16 surface-mount packages, specified for the -40°C to +85°C temperature range.
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Documentación técnica

star =Principal documentación para este producto seleccionada por TI
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Tipo Título Fecha
* Data sheet High Speed FET-Input Instrumentation Amplifier datasheet 27 sep 2000

Pedidos y calidad

Información incluida:
  • RoHS
  • REACH
  • Marcado del dispositivo
  • Acabado de plomo/material de la bola
  • Clasificación de nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) / reflujo máximo
  • Estimaciones de tiempo medio entre fallas (MTBF)/fallas en el tiempo (FIT)
  • Contenido del material
  • Resumen de calificaciones
  • Monitoreo continuo de confiabilidad
Información incluida:
  • Lugar de fabricación
  • Lugar de ensamblaje

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