Detalles del producto

Number of channels 1 Vs (min) (V) 2.76 Vs (max) (V) 36 CMRR (min) (dB) 76 Common-mode input low (min) (V) -30 Common-mode input high (max) (V) 28 Input offset (±) (max) (V) 0.001 Iq (typ) (mA) 0.6 Slew rate (typ) (V/µs) 0.45 Voltage gain (min) (V/V) 1 Voltage gain (max) (V/V) 1000 Small-signal bandwidth (typ) (Hz) 500000 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85 Gain drift (max) (ppm/°C) 2 Gain error (±) (max) (%) 0.1
Number of channels 1 Vs (min) (V) 2.76 Vs (max) (V) 36 CMRR (min) (dB) 76 Common-mode input low (min) (V) -30 Common-mode input high (max) (V) 28 Input offset (±) (max) (V) 0.001 Iq (typ) (mA) 0.6 Slew rate (typ) (V/µs) 0.45 Voltage gain (min) (V/V) 1 Voltage gain (max) (V/V) 1000 Small-signal bandwidth (typ) (Hz) 500000 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85 Gain drift (max) (ppm/°C) 2 Gain error (±) (max) (%) 0.1
SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6
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Documentación técnica

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Tipo Título Fecha
* Data sheet Programmable Gain Difference Amplifier datasheet 27 sep 2000

Pedidos y calidad

Información incluida:
  • RoHS
  • REACH
  • Marcado del dispositivo
  • Acabado de plomo/material de la bola
  • Clasificación de nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) / reflujo máximo
  • Estimaciones de tiempo medio entre fallas (MTBF)/fallas en el tiempo (FIT)
  • Contenido del material
  • Resumen de calificaciones
  • Monitoreo continuo de confiabilidad
Información incluida:
  • Lugar de fabricación
  • Lugar de ensamblaje

Soporte y capacitación

Foros de TI E2E™ con asistencia técnica de los ingenieros de TI

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