Detalles del producto

Number of channels 2 Vs (min) (V) 4.5 Vs (max) (V) 36 CMRR (min) (dB) 80 Common-mode input low (min) (V) -27 Common-mode input high (max) (V) 27 Input offset (±) (max) (V) 0.00045 Iq (typ) (mA) 0.95 Slew rate (typ) (V/µs) 5 Voltage gain (min) (V/V) 1 Voltage gain (max) (V/V) 1 Small-signal bandwidth (typ) (Hz) 1500000 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 125 Gain drift (max) (ppm/°C) 1 Gain error (±) (max) (%) 0.05
Number of channels 2 Vs (min) (V) 4.5 Vs (max) (V) 36 CMRR (min) (dB) 80 Common-mode input low (min) (V) -27 Common-mode input high (max) (V) 27 Input offset (±) (max) (V) 0.00045 Iq (typ) (mA) 0.95 Slew rate (typ) (V/µs) 5 Voltage gain (min) (V/V) 1 Voltage gain (max) (V/V) 1 Small-signal bandwidth (typ) (Hz) 1500000 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 125 Gain drift (max) (ppm/°C) 1 Gain error (±) (max) (%) 0.05
SOIC (D) 14 51.9 mm² 8.65 x 6
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Documentación técnica

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Tipo Título Fecha
* Data sheet High-Speed, Precision Difference Amplifiers datasheet 27 sep 2000

Pedidos y calidad

Información incluida:
  • RoHS
  • REACH
  • Marcado del dispositivo
  • Acabado de plomo/material de la bola
  • Clasificación de nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) / reflujo máximo
  • Estimaciones de tiempo medio entre fallas (MTBF)/fallas en el tiempo (FIT)
  • Contenido del material
  • Resumen de calificaciones
  • Monitoreo continuo de confiabilidad
Información incluida:
  • Lugar de fabricación
  • Lugar de ensamblaje

Soporte y capacitación

Foros de TI E2E™ con asistencia técnica de los ingenieros de TI

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