Herramienta de cálculo
LMG1025-Q1
Controlador de puerta monocanal de lado bajo y 7 A/5 A con UVLO de 5 V para aplicaciones de pulsos e
Hoja de datos
LMG1025-Q1
- AEC-Q100 grade 1 qualified
- 1.25-ns typical minimum input pulse width
- 2.6-ns typical rising propagation delay
- 2.9-ns typical falling propagation delay
- 300-ps typical pulse distortion
- Independent 7-A pull-up and 5-A pull-down current
- 650-ps typical rise time (220-pF load)
- 850-ps typical fall time (220-pF load)
- 2-mm x 2-mm QFN package
- Inverting and non-inverting inputs
- UVLO and over-temperature protection
- Single 5-V supply voltage
The LMG1025-Q1 is a single channel low-side enhancement-mode GaN FET and logic-level MOSFET driver for high switching frequency automotive applications. Narrow pulse width capability, fast switching specification, and small pulse distortion combine to significantly enhance LiDAR, ToF, and Power Converter performance. 1.25-ns output pulse width enables more powerful, eye-safe diode pulses. This, combined with 300-ns distortion, leads to longer-range, precise LiDAR/ToF systems. 2.9-ns propagation delay significantly improves the control loop response time and thus overall performance of the power converters. Split output allows the drive strength and timing to be independently adjusted through external resistors between OUTH, OUTL, and the FET gate.
The driver features undervoltage lockout (UVLO) and over-temperature protection (OTP) to ensure the device is not damaged in overload or fault conditions. LMG1025-Q1 is available in a compact, leadless, AEC-Q100 automotive qualified package to meet the size and gate loop inductance requirements of high switching frequency automotive applications.
Documentación técnica
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Ver todo 10 | Tipo | Título | Fecha | ||
|---|---|---|---|---|
| * | Data sheet | LMG1025-Q1 Automotive Low Side GaN and MOSFET Driver For High Frequency and Narrow Pulse Applications datasheet (Rev. B) | PDF | HTML | 16 ene 2020 |
| Application brief | GaN Applications | PDF | HTML | 10 ago 2022 | |
| Application brief | Key Parameters and Driving Requirements of GaN FETs | PDF | HTML | 04 ago 2022 | |
| Application brief | Nomenclature, Types, and Structure of GaN Transistors | PDF | HTML | 04 ago 2022 | |
| Application brief | How GaN Enables More Efficient and Reduced Form Factor Power Supplies | PDF | HTML | 02 ago 2022 | |
| Functional safety information | LMG1025-Q1 FIT, FMD, and Pin FMA | PDF | HTML | 24 jun 2022 | |
| Certificate | LMG1025-Q1EVM EU Declaration of Conformity (DoC) (Rev. A) | 16 sep 2020 | ||
| EVM User's guide | LMG1025-Q1 EVM User's Guide (Rev. B) | 08 may 2020 | ||
| Application brief | External Gate Resistor Selection Guide (Rev. A) | 28 feb 2020 | ||
| Application brief | Understanding Peak IOH and IOL Currents (Rev. A) | 28 feb 2020 |
Diseño y desarrollo
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Placa de evaluación
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Guía del usuario: PDF
Placa de evaluación
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| Encapsulado | Pines | Símbolos CAD, huellas y modelos 3D |
|---|---|---|
| WSON (DEE) | 6 | Ultra Librarian |
Pedidos y calidad
Información incluida:
- RoHS
- REACH
- Marcado del dispositivo
- Acabado de plomo/material de la bola
- Clasificación de nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) / reflujo máximo
- Estimaciones de tiempo medio entre fallas (MTBF)/fallas en el tiempo (FIT)
- Contenido del material
- Resumen de calificaciones
- Monitoreo continuo de confiabilidad
Información incluida:
- Lugar de fabricación
- Lugar de ensamblaje
Los productos recomendados pueden tener parámetros, módulos de evaluación o diseños de referencia relacionados con este producto de TI.
Soporte y capacitación
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