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CY54FCT646T

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3 ステート出力、オクタル、レジスタ内蔵バス・トランシーバ

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製品詳細

Supply voltage (min) (V) 4.75 Supply voltage (max) (V) 5.25 Number of channels 8 IOL (max) (mA) 48 IOH (max) (mA) -12 Input type TTL Output type TTL Features Partial power down (Ioff), Very high speed (tpd 5-10ns) Technology family FCT Rating Military Operating temperature range (°C) -55 to 125
Supply voltage (min) (V) 4.75 Supply voltage (max) (V) 5.25 Number of channels 8 IOL (max) (mA) 48 IOH (max) (mA) -12 Input type TTL Output type TTL Features Partial power down (Ioff), Very high speed (tpd 5-10ns) Technology family FCT Rating Military Operating temperature range (°C) -55 to 125
CDIP (JT) 24 221.44 mm² 32 x 6.92 LCCC (FK) 28 130.6449 mm² 11.43 x 11.43
  • Function, Pinout, and Drive Compatible With FCT and F Logic
  • Reduced VOH (Typically = 3.3 V) Versions of Equivalent FCT Functions
  • Edge-Rate Control Circuitry for Significantly Improved Noise Characteristics
  • Ioff Supports Partial-Power-Down Mode Operation
  • Matched Rise and Fall Times
  • Fully Compatible With TTL Input and Output Logic Levels
  • ESD Protection Exceeds JESD 22
    • 2000-V Human-Body Model (A114-A)
    • 200-V Machine Model (A115-A)
    • 1000-V Charged-Device Model (C101)
  • Independent Register for A and B Buses
  • CY54FCT646T
    • 48-mA Output Sink Current
    • 12-mA Output Source Current
  • CY74FCT646T
    • 64-mA Output Sink Current
    • 32-mA Output Source Current
  • 3-State Outputs
  • Function, Pinout, and Drive Compatible With FCT and F Logic
  • Reduced VOH (Typically = 3.3 V) Versions of Equivalent FCT Functions
  • Edge-Rate Control Circuitry for Significantly Improved Noise Characteristics
  • Ioff Supports Partial-Power-Down Mode Operation
  • Matched Rise and Fall Times
  • Fully Compatible With TTL Input and Output Logic Levels
  • ESD Protection Exceeds JESD 22
    • 2000-V Human-Body Model (A114-A)
    • 200-V Machine Model (A115-A)
    • 1000-V Charged-Device Model (C101)
  • Independent Register for A and B Buses
  • CY54FCT646T
    • 48-mA Output Sink Current
    • 12-mA Output Source Current
  • CY74FCT646T
    • 64-mA Output Sink Current
    • 32-mA Output Source Current
  • 3-State Outputs

The \x92FCT646T devices consist of a bus transceiver circuit with 3-state, D-type flip-flops, and control circuitry arranged for multiplexed transmission of data directly from the input bus or from the internal registers. Data on the A or B bus is clocked into the registers as the appropriate clock pin goes to a high logic level. Output-enable (G\) and direction (DIR) inputs control the transceiver function. In the transceiver mode,data present at the high-impedance port can be stored in either the A or B register, or in both. Select controls (SAB, SBA) can multiplex stored and real-time (transparent mode) data. DIR determines which bus receives data when G\ is low. In the isolation mode (G\ is high), A data can be stored in the B register and/or B data can be stored in the A register.

These devices are fully specified for partial-power-down applications using Ioff. The Ioff circuitry disables the outputs, preventing damaging current backflow through the device when it is powered down.

The \x92FCT646T devices consist of a bus transceiver circuit with 3-state, D-type flip-flops, and control circuitry arranged for multiplexed transmission of data directly from the input bus or from the internal registers. Data on the A or B bus is clocked into the registers as the appropriate clock pin goes to a high logic level. Output-enable (G\) and direction (DIR) inputs control the transceiver function. In the transceiver mode,data present at the high-impedance port can be stored in either the A or B register, or in both. Select controls (SAB, SBA) can multiplex stored and real-time (transparent mode) data. DIR determines which bus receives data when G\ is low. In the isolation mode (G\ is high), A data can be stored in the B register and/or B data can be stored in the A register.

These devices are fully specified for partial-power-down applications using Ioff. The Ioff circuitry disables the outputs, preventing damaging current backflow through the device when it is powered down.
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技術資料

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種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート 8-Bit Registered Transceivers With 3-State Outputs データシート (Rev. A) 2001年 10月 1日
* SMD CY54FCT646T SMD 5962-92223 2016年 6月 21日
セレクション・ガイド Logic Guide (Rev. AB) 2017年 6月 12日
アプリケーション・ノート Understanding and Interpreting Standard-Logic Data Sheets (Rev. C) 2015年 12月 2日
セレクション・ガイド ロジック・ガイド (Rev. AA 翻訳版) 最新英語版 (Rev.AB) 2014年 11月 6日
ユーザー・ガイド LOGIC Pocket Data Book (Rev. B) 2007年 1月 16日
アプリケーション・ノート Semiconductor Packing Material Electrostatic Discharge (ESD) Protection 2004年 7月 8日
アプリケーション・ノート Selecting the Right Level Translation Solution (Rev. A) 2004年 6月 22日
ユーザー・ガイド CYFCT Parameter Measurement Information 2001年 4月 2日
セレクション・ガイド Advanced Bus Interface Logic Selection Guide 2001年 1月 9日

設計および開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
CDIP (JT) 24 Ultra Librarian
LCCC (FK) 28 Ultra Librarian
TI の評価品に関する標準契約約款が適用されます。

購入と品質

記載されている情報：
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

サポートとトレーニング

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