ISOW1412
- TIA/EIA-485A 規格の要件に適合またはそれを上回る性能
- バス側に電力を供給するためのオンチップ・トランスを搭載した、低放射の DC/DC コンバータを内蔵
- 2 層 PCB で CISPR 32 Class B 放射エミッション制限に適合
- 標準的な効率は最大 45% で、消費電力が低くなり、動作時周囲温度が高くなる
- データ・レート:ISOW1412:500kbps
- ロジック電源 (V IO):1.71V~5.5V、パワー・コンバータ電源 (V DD):3V~5.5V
- RS-485 または PROFIBUS モードをピン選択可能
- バスの開放、短絡、アイドルに対するフェイルセーフを備えたレシーバ
- 1/8 単位負荷、バス上に最大 256 ノード
- 高い同相過渡電圧耐性:100kV/µs (標準値)
- 電流制限およびサーマル・シャットダウン保護
- 動作温度範囲:-40℃~105℃
- ワイド・ボディの 20 DFM (SOIC-20 フットプリント互換) パッケージ
- 安全関連認証:
- すべての認証は計画中
- DIN VDE V 0884-11:2017-01 準拠の VDE 強化絶縁
- UL 1577 部品認定プログラム
- IEC 60950-1、IEC 62368-1、IEC 61010-1、IEC 60601-1、GB 4943.1-2011 認定
ISOW1412 デバイスは、ガルバニック絶縁された差動ライン・トランシーバであり、TIA/EIA RS-485 および RS-422 用の絶縁型 DC/DC コンバータを内蔵しています。信号パスと電源パスは、どちらも UL1577 に準拠した 5kV RMS 絶縁であり、VDE、CSA、CQC による強化絶縁の認証を受けています。 このデバイスは、バイパス・コンデンサ以外の外付け部品を必要とせずに、絶縁された RS-485 ポートを実現します。この低放射絶縁型 DC/DC コンバータは、最終的なシステムで 2 層 PCB 上のわずか 2 個のフェライト・ビーズとシンプルなレイアウトで、CISPR 32 放射エミッション Class B 制限ラインを満たすことができます。
このデバイスは、長距離通信に最適です。絶縁により通信ノード間のグランド・ループが遮断されるため、より広い同相電圧範囲に対応できます。ISOW1412 は最大 500kbps のデータレートに適しています。 ISOW1412 は、PCB 上で V IO と V DD を接続して 3V~5.5V の単一電源電圧で動作できます。より低いロジック・レベルが必要な場合には、1.71V~5.5V のロジック電源 (V IO) を分離して、3V~5.5V のパワー・コンバータ電源 (V DD) とは別に取ることができます。 このデバイスは、-40℃~+105℃の広い動作時周囲温度範囲に対応しており、20 ピンの DFM (SOIC-20 フットプリント互換パッケージ) で供給され、最小 8mm の沿面距離と空間距離を実現しています。
技術資料
設計および開発
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ISOW1412DFMEVM — ISOW1412 DC/DC コンバータ内蔵、絶縁型 RS-485/RS-422 トランシーバの評価基板
ISOW1412DFMEVM は、幅の広い 20 ピン SOIC パッケージ (パッケージ コード DFM) に封止済みで、絶縁型 DC/DC 電源を内蔵した高性能の強化絶縁型 RS-485/RS-422 トランシーバである ISO1412 の評価に使用できる評価基板 (EVM) です。この EVM (評価基板) は十分な数のテスト・ポイントとジャンパ・オプションを実装しており、最小点数の外部部品でデバイスを評価することができます。
TIDA-010938 — バッテリ エネルギー ストレージ システム搭載、10kW、GaN ベースの単相ストリング インバータのリファレンス デザイン
パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
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SOIC (DFM) | 20 | Ultra Librarian |
購入と品質
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 使用原材料
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
- ファブの拠点
- 組み立てを実施した拠点
推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。