SN74LVC2G241

アクティブ

3 ステート出力、2 チャネル、1.65V ~ 5.5V バッファ

製品詳細

Technology family LVC Supply voltage (min) (V) 1.65 Supply voltage (max) (V) 5.5 Number of channels 2 IOL (max) (mA) 32 Supply current (max) (µA) 10 IOH (max) (mA) -32 Input type Standard CMOS Output type 3-State Features Balanced outputs, Over-voltage tolerant inputs, Partial power down (Ioff), Very high speed (tpd 5-10ns) Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
Technology family LVC Supply voltage (min) (V) 1.65 Supply voltage (max) (V) 5.5 Number of channels 2 IOL (max) (mA) 32 Supply current (max) (µA) 10 IOH (max) (mA) -32 Input type Standard CMOS Output type 3-State Features Balanced outputs, Over-voltage tolerant inputs, Partial power down (Ioff), Very high speed (tpd 5-10ns) Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
DSBGA (YZP) 8 2.8125 mm² 2.25 x 1.25 SSOP (DCT) 8 11.8 mm² 2.95 x 4 VSSOP (DCU) 8 6.2 mm² 2 x 3.1
  • テキサス・インスツルメンツの
    NanoFree™パッケージで供給
  • 5V VCC動作をサポート
  • 5.5Vまでの入力電圧に対応
  • 最大 tpd 4.1ns (3.3V 時)
  • 低消費電力、最大ICC 10µA
  • 3.3Vにおいて±24mAの出力駆動能力
  • 標準VOLP(出力グランド・バウンス)
    < 0.8V (VCC = 3.3V、TA = 25°C)
  • 標準VOHV(出力VOHアンダーシュート)
    > 2V (VCC = 3.3V、TA = 25°C)
  • Ioff により活線挿抜、部分的パワーダウン・モード、バック・ドライブ保護をサポート
  • 最高 5.5V の入力を
    VCC レベルに変換する降圧トランスレータとして使用可能
  • JESD 78, Class II 準拠で 100mA 超のラッチアップ性能
  • JESD 22を超えるESD保護
    • 2000V、人体モデル(A114-A)
    • 200V、マシン・モデル(A115-A)
    • 1000V、荷電デバイス・モデル(C101)
  • テキサス・インスツルメンツの
    NanoFree™パッケージで供給
  • 5V VCC動作をサポート
  • 5.5Vまでの入力電圧に対応
  • 最大 tpd 4.1ns (3.3V 時)
  • 低消費電力、最大ICC 10µA
  • 3.3Vにおいて±24mAの出力駆動能力
  • 標準VOLP(出力グランド・バウンス)
    < 0.8V (VCC = 3.3V、TA = 25°C)
  • 標準VOHV(出力VOHアンダーシュート)
    > 2V (VCC = 3.3V、TA = 25°C)
  • Ioff により活線挿抜、部分的パワーダウン・モード、バック・ドライブ保護をサポート
  • 最高 5.5V の入力を
    VCC レベルに変換する降圧トランスレータとして使用可能
  • JESD 78, Class II 準拠で 100mA 超のラッチアップ性能
  • JESD 22を超えるESD保護
    • 2000V、人体モデル(A114-A)
    • 200V、マシン・モデル(A115-A)
    • 1000V、荷電デバイス・モデル(C101)

このデュアル・バッファおよびライン・ドライバは、1.65V~5.5V の VCC で動作するよう設計されています。

SN74LVC2G241 デバイスは、3-state メモリ・アドレス・ドライバ、クロック・ドライバ、バス用レシーバ/トランスミッタの性能と密度の両方を向上することに特化して設計されています。

NanoFree パッケージ技術は IC パッケージの概念における主要なブレークスルーであり、ダイをパッケージとして使用します。

SN74LVC2G241 デバイスは、独立した出力イネーブル (1OE、2OE) 入力を備えた 2 つの 1ビット・ライン・ドライバで構成されています。1OE が LOW、2OE が HIGH の場合、デバイスは A 入力からのデータを Y 出力に渡します。1OE が HIGH、2OE が LOW の場合、出力は高インピーダンス状態になります。

電源オンまたは電源オフ時に高インピーダンス状態になるように、OE をプルダウン抵抗経由で VCC に接続し、OE をプルダウン抵抗経由で GND に接続する必要があります。この抵抗の最小値は、ドライバの電流シンクまたは電流ソース能力によって決まります。

このデバイスは、Ioffを使用する部分的パワーダウン・アプリケーション用に完全に動作が規定されています。Ioff回路が出力をディセーブルにするため、電源切断時にデバイスに電流が逆流して損傷に至ることを回避できます。

このデュアル・バッファおよびライン・ドライバは、1.65V~5.5V の VCC で動作するよう設計されています。

SN74LVC2G241 デバイスは、3-state メモリ・アドレス・ドライバ、クロック・ドライバ、バス用レシーバ/トランスミッタの性能と密度の両方を向上することに特化して設計されています。

NanoFree パッケージ技術は IC パッケージの概念における主要なブレークスルーであり、ダイをパッケージとして使用します。

SN74LVC2G241 デバイスは、独立した出力イネーブル (1OE、2OE) 入力を備えた 2 つの 1ビット・ライン・ドライバで構成されています。1OE が LOW、2OE が HIGH の場合、デバイスは A 入力からのデータを Y 出力に渡します。1OE が HIGH、2OE が LOW の場合、出力は高インピーダンス状態になります。

電源オンまたは電源オフ時に高インピーダンス状態になるように、OE をプルダウン抵抗経由で VCC に接続し、OE をプルダウン抵抗経由で GND に接続する必要があります。この抵抗の最小値は、ドライバの電流シンクまたは電流ソース能力によって決まります。

このデバイスは、Ioffを使用する部分的パワーダウン・アプリケーション用に完全に動作が規定されています。Ioff回路が出力をディセーブルにするため、電源切断時にデバイスに電流が逆流して損傷に至ることを回避できます。

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技術資料

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アプリケーション・ノート Live Insertion 1996年 10月 1日
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設計および開発

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評価ボード

5-8-LOGIC-EVM — 5 ~ 8 ピンの DCK、DCT、DCU、DRL、DBV の各パッケージをサポートする汎用ロジックの評価基板 (EVM)

5 ~ 8 ピンで DCK、DCT、DCU、DRL、DBV の各パッケージを使用する多様なデバイスをサポートできる設計のフレキシブルな評価基板です。
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シミュレーション・モデル

SN74LVC2G241 Behavioral SPICE Model

SCEM614.ZIP (7 KB) - PSpice Model
シミュレーション・モデル

SN74LVC2G241 IBIS Model (Rev. A)

SCEM291A.ZIP (52 KB) - IBIS Model
シミュレーション・モデル

SN74LVC2G241 TINA-TI (Rev. A)

SCEM614A.ZIP (2 KB) - PSpice Model
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設計ガイド: PDF
回路図: PDF
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
DSBGA (YZP) 8 Ultra Librarian
SSOP (DCT) 8 Ultra Librarian
VSSOP (DCU) 8 Ultra Librarian

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

サポートとトレーニング

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