パッケージ情報
| パッケージ | ピン数 WQFN (RTJ) | 20 |
| 動作温度範囲 (℃) -40 to 85 |
| パッケージ数量 | キャリア 3,000 | LARGE T&R |
TPA2012D2 の特徴
- パッケージ毎の出力電力
- WQFN:
- 2.1W/Ch: 4Ω、5V
- 1.4W/Ch: 8Ω、5V
- 720mW/Ch: 8Ω、3.6V
- DSBGA:
- 1.2W/Ch: 4Ω、5V
(熱により制限あり) - 1.3W/Ch: 8Ω、5V
- 720mW/Ch: 8Ω、3.6V
- 1.2W/Ch: 4Ω、5V
- WQFN:
- 必要な外部部品が2個のみ
- 電源電圧範囲: 2.5V～5.5V
- チャネル別のシャットダウン制御
- 選択可能なゲイン: 6、12、18、24dB
- シャットダウン・ピンの内部プルダウン抵抗
- 高PSRR: 77dB (217Hz時)
- 短いスタートアップ時間(3.5ms)
- 低消費電流
- 低シャットダウン電流
- 短絡保護と熱保護
- 省スペースのパッケージ
- 2.01mm×2.01mm NanoFree™DSBGA (YZH)
- 4mm×4mm Thin QFN (RTJ)、 PowerPAD™
TPA2012D2 に関する概要
TPA2012D2はステレオ、フィルタフリーのClass-Dオーディオ・アンプで、DSBGAまたはWQFNパッケージで供給されます。TPA2012D2の動作に必要な外付け部品は2個だけです。
TPA2012D2は、チャネル別に独立のシャットダウン制御が可能です。G0、G1ゲイン選択ピンの設定により、6、12、18、24dBのゲインを選択できます。さらに、高PSRRおよび差動アーキテクチャにより、ノイズ耐性とRF整流が強化されています。これらの特長に加え、起動時間が短く、小型パッケージのTPA2012D2 Class-Dアンプは、携帯電話とPDAのどちらにも理想的な選択肢です。
TPA2012D2は、8Ωの負荷で1.4W/Ch (5V)または
720mW/Ch
(3.6V)を駆動できます。TPA2012D2は4Ω負荷も駆動可能です。DSBGAのTPA2012D2は熱的な制限があり、4Ωで2.1W/Chを実現できない可能性があります。
DSBGAでの最大出力電力は、基板の放熱能力によって決まります。DSBGAで、WQFNパッケージに関連して熱的に制限されている領域を図33に示します。TPA2012D2は、過熱保護と短絡保護の機能を備えています。