データシート
TPS731
- キャパシタ無し、または任意の値や種類のキャパ シタで安定動作
- 動作入力電圧範囲：1.7V～5.5V
- 超低ドロップアウト電圧：30mV（typ）
- 出力キャパシタの有無に関わらず優れた負荷過渡 応答
- 新しいNMOSトポロジで逆方向リーク電流を低減
- 低ノイズ：30µVRMS（typ）（10kHz～100kHz）
- 初期精度：0.5%
- ライン、負荷、温度に対する全体精度：1%
- シャットダウン･モード時、最大IQは1µA未満
- 過熱保護および最小値/最大値の保証された電流制 限保護
- 出力電圧の異なる複数製品を提供
- 固定出力：1.20V～5.0V
- 可変出力：1.20V～5.5V
- カスタム出力も指定可能
- APPLICATIONS
- 携帯用/バッテリ駆動機器
- スイッチング電源後段のレギュレーション
- VCOなどのノイズに敏感な回路
- DSP、FPGA、ASIC、マイクロプロセッサ用ポイン ト･オブ･ロード（POL）レギュレーション
すべての商標および登録商標はそれぞれの所有者に帰属します。
ロードロップアウト（LDO）リニア電圧レギュレータTPS731xx ファミリーは、電圧フォロワ構成にNMOSパス素子という新し いトポロジを採用しています。このトポロジは、低ESRの出力 キャパシタで安定動作し、また、キャパシタ無しでの動作も可 能です。さらに、優れた逆方向阻止特性（低逆方向電流）を持ち、 グランド･ピン電流は出力電流の値に関係なくほぼ一定です。
TPS731xxは、高度なBiCMOSプロセスにより、非常に低いド ロップアウト電圧と低グランド・ピン電流で動作しながら、高 い精度を提供します。非イネーブル時の消費電流は1μA未満であ り、携帯用アプリケーションに最適です。また、出力ノイズが 極めて低いため（0.1µFのCNRで30µVRMS）、VCOへの電源供給に も理想的です。TPS731xxは、過熱保護およびフォールドバック 電流制限によって保護されています。
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技術資料
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9 をすべて表示 | 種類 | タイトル | 最新の英語版をダウンロード | 日付 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | データシート | 逆電流保護付き、キャップ･フリー、NMOS、150mAロードロップアウト･レギュレータ データシート (Rev. F 翻訳版) | 最新英語版 (Rev.N) | PDF | HTML | 2006年 11月 6日 | |
| * | 放射線と信頼性レポート | TPS73125MDBVREP Reliability Report | 2011年 8月 26日 | |||
| * | 放射線と信頼性レポート | TPS73133MDBVREP Reliability Report | 2011年 8月 26日 | |||
| アプリケーション・ノート | LDO Noise Demystified (Rev. B) | PDF | HTML | 2020年 8月 18日 | |||
| アプリケーション・ノート | A Topical Index of TI LDO Application Notes (Rev. F) | 2019年 6月 27日 | ||||
| セレクション・ガイド | Low Dropout Regulators Quick Reference Guide (Rev. P) | 2018年 3月 21日 | ||||
| セレクション・ガイド | 低ドロップアウト(LDO)レギュレータ クイック・リファレンス・ガイド (Rev. N 翻訳版) | 最新英語版 (Rev.P) | 2017年 8月 15日 | |||
| アプリケーション・ノート | LDO PSRR Measurement Simplified (Rev. A) | PDF | HTML | 2017年 8月 9日 | |||
| その他の技術資料 | DMOS Delivers Dramatic Performance Gains to LDO Regulators (EDN mag) | 2001年 2月 14日 |
設計および開発
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評価ボード
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| パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
|---|---|---|
| SOT-23 (DBV) | 5 | Ultra Librarian |
購入と品質
記載されている情報：
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 使用原材料
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
- ファブの拠点
- 組み立てを実施した拠点
推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。