データシート
TS3DS26227
- High-Bandwidth Data Paths – Up to 800 MHz
- Specified Break-Before-Make Switching
- Control Inputs Reference to VIO
- Low Charge Injection
- Excellent ON-State Resistance Matching
- Low Total Harmonic Distortion (THD)
- 2.3-V to 3.6-V Power Supply (V+)
- 1.65-V to 1.95-V Logic Supply (VIO)
- Latch-Up Performance Exceeds 100 mA Per JESD 78, Class II
- ESD Performance Tested Per JESD 22
- 4000-V Human-Body Model
(A114-B, Class II) - 1000-V Charged-Device Model (C101)
- 200-V Machine Model (A115-A)
- 4000-V Human-Body Model
The TS3DS26227 is a dual single-pole double-throw (SPDT) analog switch that is designed to operate from
2.3 V to 3.6 V. The device offers high-bandwidth data paths, and a break-before-make feature to prevent signal distortion during the transferring of a signal from one path to another. The device has excellent total harmonic distortion (THD) performance and consumes very low power. These features make this device suitable for portable applications.
The TS3DS26227 has a separate logic supply pin (VIO) that operates from 1.65 V to 1.95 V. VIO powers the control circuitry, which allows the TS3DS26227 to be controlled by 1.8-V signals.
技術資料
結果が見つかりませんでした。検索条件をクリアしてから、再度検索を試してください。
3 をすべて表示 種類 | タイトル | 最新の英語版をダウンロード | 日付 | |||
---|---|---|---|---|---|---|
* | データシート | High-Bandwidth Dual SPDT Differential Signal Switch With Input Logic Translation データシート (Rev. B) | 2010年 11月 20日 | |||
アプリケーション・ノート | Preventing Excess Power Consumption on Analog Switches | 2008年 7月 3日 | ||||
アプリケーション・ノート | Semiconductor Packing Material Electrostatic Discharge (ESD) Protection | 2004年 7月 8日 |
設計および開発
その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。
パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
---|---|---|
DSBGA (YZT) | 12 | Ultra Librarian |
購入と品質
記載されている情報:
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 使用原材料
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
- ファブの拠点
- 組み立てを実施した拠点