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UCC27332-Q1

アクティブ

車載対応、20V VDD 対応、イネーブル搭載、9A/9A、シングルチャネル ゲート ドライバ

製品詳細

Number of channels 1 Power switch IGBT, MOSFET Peak output current (A) 9 Input supply voltage (min) (V) 4 Input supply voltage (max) (V) 18 Features Enable pin Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rise time (ns) 14 Fall time (ns) 9 Propagation delay time (µs) 0.025 Input threshold CMOS, TTL Channel input logic Non-Inverting Input negative voltage (V) -5 Rating Automotive Driver configuration Non-Inverting
Number of channels 1 Power switch IGBT, MOSFET Peak output current (A) 9 Input supply voltage (min) (V) 4 Input supply voltage (max) (V) 18 Features Enable pin Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rise time (ns) 14 Fall time (ns) 9 Propagation delay time (µs) 0.025 Input threshold CMOS, TTL Channel input logic Non-Inverting Input negative voltage (V) -5 Rating Automotive Driver configuration Non-Inverting
HVSSOP (DGN) 8 14.7 mm² 3 x 4.9
  • 車載アプリケーション向けに認定済み
  • 以下の結果で AEC-Q100 認定済み:
    • デバイス温度グレード 1:-40℃~+125℃の動作時周囲温度範囲
    • デバイス HBM ESD 分類レベル H2
    • デバイス CDM ESD 分類レベル C4B
  • 業界標準のピン配置
  • 9A シンク、9A ソース出力電流 (標準値)
  • -5V まで耐える入力ピン
  • VDD 電圧の絶対最大値:20V
  • 広い VDD 動作範囲:4.5V~18V
  • 3mm × 3mm の MSOP8 パッケージで供給
  • 25ns (代表値) の伝播遅延
  • TTL 互換の入力スレッショルド
  • 動作時の接合部温度範囲:-40℃~125℃
  • 車載アプリケーション向けに認定済み
  • 以下の結果で AEC-Q100 認定済み:
    • デバイス温度グレード 1:-40℃~+125℃の動作時周囲温度範囲
    • デバイス HBM ESD 分類レベル H2
    • デバイス CDM ESD 分類レベル C4B
  • 業界標準のピン配置
  • 9A シンク、9A ソース出力電流 (標準値)
  • -5V まで耐える入力ピン
  • VDD 電圧の絶対最大値:20V
  • 広い VDD 動作範囲:4.5V~18V
  • 3mm × 3mm の MSOP8 パッケージで供給
  • 25ns (代表値) の伝播遅延
  • TTL 互換の入力スレッショルド
  • 動作時の接合部温度範囲:-40℃~125℃

UCC27332-Q1 は、MOSFET、GaN パワー・スイッチを効率的に駆動できるシングル・チャネル高速ローサイド・ゲート・ドライバです。UCC27332-Q1 は 9A (代表値) のピーク駆動能力を持っています。これにより、パワー・スイッチの立ち上がり / 立ち下がり時間を短縮し、スイッチング損失を低減し、効率を向上させます。UCC27332-Q1 デバイスの小さい伝搬遅延は、システムのデッドタイム最適化、パルス幅利用率、制御ループ応答、過渡性能を改善させることで出力段の効率を向上させます。

UCC27332-Q1 は、入力で -5V を扱えるため、中程度のグランド・バウンスが発生するシステムの堅牢性を向上させることができます。独立したイネーブル信号を使うと、メイン制御ロジックとは無関係に電力段を制御できます。システムでフォルトが発生した場合、ゲート・ドライバは出力段を素早く遮断できます (パワー・トレインをオフにする必要があります)。イネーブル機能は、システムの堅牢性も向上させます。多くの高周波スイッチング電源では、電源デバイスのゲートに高周波ノイズを生じさせます。このノイズがゲート・ドライバの出力ピンに注入され、ドライバを誤動作させる可能性があります。UCC27332-Q1 は、その過渡逆電流および逆電圧特性により、そのような条件でも優れた性能を発揮します。

規定されたパーワーオン・リセット・スレッショルドを VDD 電圧が下回ると、強力な内部プルダウン MOSFET が出力を Low に保持します。このアクティブ・プルダウン機能は、システムの堅牢性をさらに向上させます。小型の 3mm × 3mm MSOP パッケージは、ゲート・ドライバの配置の最適化とレイアウトの改善を可能にします。この小型パッケージは、ゲート・ドライバの配置の最適化とレイアウトの改善も可能にします。

UCC27332-Q1 は、MOSFET、GaN パワー・スイッチを効率的に駆動できるシングル・チャネル高速ローサイド・ゲート・ドライバです。UCC27332-Q1 は 9A (代表値) のピーク駆動能力を持っています。これにより、パワー・スイッチの立ち上がり / 立ち下がり時間を短縮し、スイッチング損失を低減し、効率を向上させます。UCC27332-Q1 デバイスの小さい伝搬遅延は、システムのデッドタイム最適化、パルス幅利用率、制御ループ応答、過渡性能を改善させることで出力段の効率を向上させます。

UCC27332-Q1 は、入力で -5V を扱えるため、中程度のグランド・バウンスが発生するシステムの堅牢性を向上させることができます。独立したイネーブル信号を使うと、メイン制御ロジックとは無関係に電力段を制御できます。システムでフォルトが発生した場合、ゲート・ドライバは出力段を素早く遮断できます (パワー・トレインをオフにする必要があります)。イネーブル機能は、システムの堅牢性も向上させます。多くの高周波スイッチング電源では、電源デバイスのゲートに高周波ノイズを生じさせます。このノイズがゲート・ドライバの出力ピンに注入され、ドライバを誤動作させる可能性があります。UCC27332-Q1 は、その過渡逆電流および逆電圧特性により、そのような条件でも優れた性能を発揮します。

規定されたパーワーオン・リセット・スレッショルドを VDD 電圧が下回ると、強力な内部プルダウン MOSFET が出力を Low に保持します。このアクティブ・プルダウン機能は、システムの堅牢性をさらに向上させます。小型の 3mm × 3mm MSOP パッケージは、ゲート・ドライバの配置の最適化とレイアウトの改善を可能にします。この小型パッケージは、ゲート・ドライバの配置の最適化とレイアウトの改善も可能にします。

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技術資料

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種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート UCC27332-Q1 20V、9A シングル・チャネル、ローサイド・ゲート・ドライバ、-5V 入力機能付き、車載用アプリケーション向け データシート PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2022年 4月 7日
アプリケーション・ノート Review of Different Power Factor Correction (PFC) Topologies' Gate Driver Needs PDF | HTML 2024年 1月 22日
アプリケーション・ノート Using a Single-Output Gate-Driver for High-Side or Low-Side Drive (Rev. B) PDF | HTML 2023年 9月 8日
証明書 UCC27332Q1EVM EU Declaration of Conformity (DoC) 2023年 5月 3日
アプリケーション・ノート Benefits of a Compact, Powerful, and Robust Low-Side Gate Driver PDF | HTML 2021年 11月 10日
アプリケーション概要 External Gate Resistor Selection Guide (Rev. A) 2020年 2月 28日
アプリケーション概要 Understanding Peak IOH and IOL Currents (Rev. A) 2020年 2月 28日
アプリケーション概要 How to overcome negative voltage transients on low-side gate drivers' inputs 2019年 1月 18日

設計および開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

評価ボード

UCC27322Q1EVM — UCC27322-Q1 イネーブル機能付き車載、シングル、9A 高速ローサイド MOSFET ドライバ

The UCC2732X-Q1 is a family of high speed drivers that are capable of delivering up to 9A of peak drive current, optimized for systems requiring extreme Miller current due to high dv/dt transitions. The EVM allows evaluation of both logic options offered, inverting (UCC27321-Q1) and noninverting (...)

ユーザー ガイド: PDF
評価ボード

UCC27332Q1EVM — UCC27332-Q1 シングル、18V、9A 高速ローサイド MOSFET ドライバの評価基板

UCC27332-Q1 評価基板は、主に UCC27332-Q1 の性能評価に適した設計を採用しています。このドライバは 20V の VDD で動作するローサイド ドライバであり、複数の N チャネル MOSFET を駆動するためにソース (供給) 9A、シンク (吸い込み) 9A のピーク電流に対応します。同じボードを使用して、サポート対象のパッケージに封止した、互いにピン互換性のある他のパーツを評価することができます。

ユーザー ガイド: PDF | HTML
シミュレーション・ツール

PSPICE-FOR-TI — TI Design / シミュレーション・ツール向け PSpice®

PSpice® for TI は、各種アナログ回路の機能評価に役立つ、設計とシミュレーション向けの環境です。設計とシミュレーションに適したこのフル機能スイートは、Cadence® のアナログ分析エンジンを使用しています。PSpice for TI は無償で使用でき、アナログや電源に関する TI の製品ラインアップを対象とする、業界でも有数の大規模なモデル・ライブラリが付属しているほか、選択された一部のアナログ動作モデルも利用できます。

設計とシミュレーション向けの環境である PSpice for TI (...)
リファレンス・デザイン

PMP41078 — GaN HEMT を搭載した高電圧から低電圧への DC/DC コンバータのリファレンス デザイン

650V のGaN (窒化ガリウム) HEMT (高電子移動度トランジスタ) を搭載した、3.5kW の高電圧から低電圧への DC/DC コンバータのリファレンス デザインです。LMG3522R030 を 1 次スイッチとして使用すると、コンバータは高スイッチング周波数で動作します。このデザインでは、コンバータは小型化されたトランスを使用しています。アクティブ クランプ MOSFET (金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ) の放熱性能を緩和するため、このコンバータは 2 チャネルのアクティブ クランプ回路を使用しています。
試験報告書: PDF
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
HVSSOP (DGN) 8 Ultra Librarian

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

TI E2E™ フォーラムでは、TI のエンジニアからの技術サポートを提供

コンテンツは、TI 投稿者やコミュニティ投稿者によって「現状のまま」提供されるもので、TI による仕様の追加を意図するものではありません。使用条件をご確認ください。

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