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질화 갈륨(GaN) 전력계

LMG3622

활성

일체형 드라이버, 보호 및 전류 감지 기능이 있는 650V 120mΩ GaN FET

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LMG3622

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제품 상세 정보

VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 120 ID (max) (A) 8.5 Features Bottom-side cooled, Current sense, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Enable pin, Low Quiescent Current, Low standby current, Overtemperature protection, Slew Rate Control, USB C/PD compatible, Wide input voltage Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 120 ID (max) (A) 8.5 Features Bottom-side cooled, Current sense, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Enable pin, Low Quiescent Current, Low standby current, Overtemperature protection, Slew Rate Control, USB C/PD compatible, Wide input voltage Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
VQFN (REQ) 38 42.4 mm² 8 x 5.3
  • 650-V 120-mΩ GaN power FET
  • Integrated gate driver with low propagation delays and adjustable turn-on slew-rate control
  • Current-sense emulation with high bandwidth and high accuracy
  • Cycle-by-cycle overcurrent protection
  • Overtemperature protection with FLT pin reporting
  • AUX quiescent current: 240 µA
  • AUX standby quiescent current: 50 µA
  • Maximum supply and input logic pin voltage: 26 V
  • 8 mm × 5.3 mm QFN package with thermal pad
  • 650-V 120-mΩ GaN power FET
  • Integrated gate driver with low propagation delays and adjustable turn-on slew-rate control
  • Current-sense emulation with high bandwidth and high accuracy
  • Cycle-by-cycle overcurrent protection
  • Overtemperature protection with FLT pin reporting
  • AUX quiescent current: 240 µA
  • AUX standby quiescent current: 50 µA
  • Maximum supply and input logic pin voltage: 26 V
  • 8 mm × 5.3 mm QFN package with thermal pad

The LMG3622 is a 650-V 120-mΩ GaN power FET intended for switch-mode power-supply applications. The LMG3622 simplifies design and reduces component count by integrating the GaN FET and gate driver in a 8-mm by 5.3-mm QFN package.

Programmable turn-on slew rates provide EMI and ringing control. The current-sense emulation reduces power dissipation compared to the traditional currentsense resistor and allows the low-side thermal pad to be connected to the cooling PCB power ground.

The LMG3622 supports converter light-load efficiency requirements and burst-mode operation with low quiescent currents and fast start-up times. Protection features include under-voltage lockout (UVLO), cycle-by-cycle current limit, and overtemperature protection. Overtemperature protection is reported with the opendrain FLT pin.

The LMG3622 is a 650-V 120-mΩ GaN power FET intended for switch-mode power-supply applications. The LMG3622 simplifies design and reduces component count by integrating the GaN FET and gate driver in a 8-mm by 5.3-mm QFN package.

Programmable turn-on slew rates provide EMI and ringing control. The current-sense emulation reduces power dissipation compared to the traditional currentsense resistor and allows the low-side thermal pad to be connected to the cooling PCB power ground.

The LMG3622 supports converter light-load efficiency requirements and burst-mode operation with low quiescent currents and fast start-up times. Protection features include under-voltage lockout (UVLO), cycle-by-cycle current limit, and overtemperature protection. Overtemperature protection is reported with the opendrain FLT pin.
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기술 자료

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유형 직함 날짜
* Data sheet LMG3622650-V120-mΩ GaN FET With Integrated Driverand Current-Sense Emulation datasheet (Rev. A) PDF | HTML 2023/11/14
Technical article The benefits of low-power GaN in common AC/DC power topologies PDF | HTML 2024/01/30
Application brief Maximize System Efficiency With Integrated Current Sensing From TI GaN PDF | HTML 2023/11/30
Product overview Designing With the LMG362x Family of Low-Power GaN FETs PDF | HTML 2023/11/28
Certificate LMG3622EVM-082 EU Declaration of Conformity (DoC) 2023/08/21

설계 및 개발

추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.

평가 보드

LMG3622EVM-082 — USB Type-C® PD가 포함된 65W 반공진 플라이백 컨버터용 LMG3622 평가 모듈

LMG3622EVM-082는 전류 감지 에뮬레이션이 포함된 LMG3622 통합 GaN FET를 사용하는 65W USB Type-C® PD(Power Delivery) 오프라인 어댑터에 대한 고효율 및 고밀도를 보여줍니다.  입력은 범용 90VAC ~ 265 VAC를 지원하며 단일 출력을 최대 3A에서 5V, 9V 및 15V, 최대 3.25A에서 20V로 설정할 수 있습니다. 이 값은 USB PD 인터페이스 컨트롤러를 사용하여 조정할 수 있습니다.  최대 200kHz의 공칭 고주파 작동은 솔루션 크기를 줄이는 동시에 다중 (...)

사용 설명서: PDF | HTML
TI.com에서 구매 불가
계산 툴

LMG36XX-CALC — LMG36XX Quasi-Resonant Flyback Power Stage Design Calculator

The purpose of this tool is to aid in the design of the main power stage components of a Quasi-Resonant Flyback Converter (QR) with the use LMG36XX integrated GaN FET. Calculations are provided for frequency, voltage/current stresses, and losses in converter.
지원되는 제품 및 하드웨어

지원되는 제품 및 하드웨어

제품
질화 갈륨(GaN) 전력계
LMG3612 — 일체형 드라이버 및 보호 기능이 있는 650V 120mΩ GaN FET LMG3616 — 일체형 드라이버 및 보호 기능이 있는 650V 270mΩ GaN FET LMG3622 — 일체형 드라이버, 보호 및 전류 감지 기능이 있는 650V 120mΩ GaN FET LMG3624 — 일체형 드라이버, 보호 및 전류 감지 기능이 있는 650V 170mΩ GaN FET LMG3626 — 일체형 드라이버, 보호 및 전류 감지 기능이 있는 650V 270mΩ GaN FET
다운로드
레퍼런스 디자인

TIDA-050074 — 140W GaN 기반 USB PD3.1 USB-® 어댑터 레퍼런스 설계

이 레퍼런스 설계는 높은 효율성 및 전력 밀도를 지원하는 질화 갈륨(GaN) 기반 140W AC-DC 전력입니다. 넓은 입력(90VAC~264VAC) 및 출력(5V~28V) 전압을 지원합니다. USB PD3.1용 어댑터 설계 및 전동 공구용 충전기와 같은 애플리케이션을 위해 설계되었습니다.
Design guide: PDF
레퍼런스 디자인

PMP41037 — GaN 및 C2000을 지원하는 1KW, 800V~12V 직렬 하프 브리지 양방향 DCX 레퍼런스 설계

이 레퍼런스 설계는 절연 기능을 통해 800V DC 버스를 12V로 변환하는 1kW 양방향 DC 변압기(DCX)입니다. 이 설계는 F280039C에 의해 제어되며 공진 탱크의 공진 주파수에서 지속적으로 작동합니다. 1차측에서는 LMG3622 GaN 직렬 하프 브리지를 사용하여 최대 900V DC 전압을 처리합니다. 직렬 하프 브리지(SHB)는 풀 브리지로 수정하고 고전압 측을 800V에서 400V로 변경할 수 있습니다. 직렬 하프 브리지는 다양한 PWM 전략을 지원하고 유연성을 제어합니다.
Test report: PDF
패키지 핀 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
VQFN (REQ) 38 Ultra Librarian
TI의 평가 항목에 대한 표준 약관이 적용됩니다.

주문 및 품질

포함된 정보:
  • RoHS
  • REACH
  • 디바이스 마킹
  • 납 마감/볼 재질
  • MSL 등급/피크 리플로우
  • MTBF/FIT 예측
  • 물질 성분
  • 인증 요약
  • 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
  • 팹 위치
  • 조립 위치

지원 및 교육

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포럼 주제 모두 보기(영문)

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