TPD2E1B06
- Provides System Level ESD Protection for Low
Voltage IO Interface - IEC 61000-4-2 Level 4 ESD Rating
- Low IO Capacitance: 0.85 pF (Typical)
- DC Breakdown Voltage: 7 V (Minimum)
- Ultra-Low Leakage Current: 10 nA (Maximum)
- Low ESD Clamping Voltage
- Temperature Range: –40°C to 125°C
- Small Easy-to-Route DRL package
The TPD2E1B06 device is a dual-channel, ultra-low capacitance ESD protection device. It offers ±10-KV IEC contact ESD protection. Its 1-pF line capacitance makes it suitable for a wide range of applications. Typical application interfaces are USB 2.0, LVDS, and I2C. The TPD2E1B06 device has two common layout methods, and both are highlighted in Layout.
기술 자료
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11개 모두 보기 유형 | 직함 | 날짜 | ||
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* | Data sheet | TPD2E1B06 Dual-Channel High-Speed ESD Protection Device datasheet (Rev. D) | PDF | HTML | 2016/04/27 |
Application note | ESD and Surge Protection for USB Interfaces (Rev. B) | PDF | HTML | 2024/01/11 | |
User guide | Reading and Understanding an ESD Protection Data Sheet (Rev. A) | PDF | HTML | 2023/09/19 | |
Application note | Capacitance Requirements for High Speed Signals (Rev. A) | PDF | HTML | 2023/08/21 | |
Selection guide | System-Level ESD Protection Guide (Rev. D) | 2022/09/07 | ||
Application note | ESD Packaging and Layout Guide (Rev. B) | PDF | HTML | 2022/08/18 | |
Application note | ESD Protection Layout Guide (Rev. A) | PDF | HTML | 2022/04/07 | |
User guide | Generic ESD Evaluation Module User's Guide (Rev. A) | PDF | HTML | 2021/09/27 | |
White paper | Designing USB for short-to-battery tolerance in automotive environments | 2016/02/10 | ||
EVM User's guide | HVL054 User's Guide | 2013/08/12 | ||
Analog Design Journal | Design Considerations for System-Level ESD Circuit Protection | 2012/09/25 |
설계 및 개발
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패키지 | 핀 | CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델 |
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SOT-5X3 (DRL) | 6 | Ultra Librarian |
주문 및 품질
포함된 정보:
- RoHS
- REACH
- 디바이스 마킹
- 납 마감/볼 재질
- MSL 등급/피크 리플로우
- MTBF/FIT 예측
- 물질 성분
- 인증 요약
- 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
- 팹 위치
- 조립 위치
권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.