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TPS7H6023-SP

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방사능 저항 QMLV, 22V 하프 브리지 GaN 게이트 드라이버

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TPS7H6023-SP

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제품 상세 정보

Bootstrap supply voltage (max) (V) 22 Power switch GaNFET Input supply voltage (min) (V) 10 Input supply voltage (max) (V) 16 Peak output current (A) 1.3 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Space Propagation delay time (µs) 0.035 Rise time (ns) 0.4 Fall time (ns) 4 Iq (mA) 0.5 Input threshold TTL Channel input logic TTL/PWM Features Dead time control, Interlock, Internal LDO Driver configuration Half bridge
Bootstrap supply voltage (max) (V) 22 Power switch GaNFET Input supply voltage (min) (V) 10 Input supply voltage (max) (V) 16 Peak output current (A) 1.3 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Space Propagation delay time (µs) 0.035 Rise time (ns) 0.4 Fall time (ns) 4 Iq (mA) 0.5 Input threshold TTL Channel input logic TTL/PWM Features Dead time control, Interlock, Internal LDO Driver configuration Half bridge
CFP (HBX) 48 141.9552 mm² 16.74 x 8.48
  • Radiation Performance:
    • Radiation-hardness-assurance (RHA) up to total ionizing dose (TID) of 100krad(Si)
    • Single-event latchup (SEL), single-event burnout (SEB), and single-event gate rupture (SEGR) immune to linear energy transfer (LET) = 75MeV-cm2/mg
    • Single-event transient (SET) and single-event functional interrupt (SEFI) characterized up to LET = 75MeV-cm2/mg
  • 1.3A peak source, 2.5A peak sink current
  • Two operational modes:
    • Single PWM input with adjustable dead time
    • Two independent inputs
  • Selectable input interlock protection in independent input mode
  • Split outputs for adjustable turn-on and turn-off times
  • 30ns typical propagation delay in independent input mode
  • 5.5ns typical delay matching
  • Radiation Performance:
    • Radiation-hardness-assurance (RHA) up to total ionizing dose (TID) of 100krad(Si)
    • Single-event latchup (SEL), single-event burnout (SEB), and single-event gate rupture (SEGR) immune to linear energy transfer (LET) = 75MeV-cm2/mg
    • Single-event transient (SET) and single-event functional interrupt (SEFI) characterized up to LET = 75MeV-cm2/mg
  • 1.3A peak source, 2.5A peak sink current
  • Two operational modes:
    • Single PWM input with adjustable dead time
    • Two independent inputs
  • Selectable input interlock protection in independent input mode
  • Split outputs for adjustable turn-on and turn-off times
  • 30ns typical propagation delay in independent input mode
  • 5.5ns typical delay matching

The TPS7H60x3-SP series of radiation-hardness-assured (RHA) gallium nitride (GaN) field effect transistor (FET) gate drivers is designed for high frequency, high efficiency applications. The series consists of the TPS7H6003-SP (200V rating), TPS7H6013-SP (60V rating), and the TPS7H6023-SP (22V rating). The drivers feature adjustable dead time capability, small 30ns propagation delay, and 5.5ns high-side and low-side matching. These parts also include internal high-side and low-side LDOs which ensure a drive voltage of 5V regardless of supply voltage. The TPS7H60x3-SP drivers all have split-gate outputs, providing flexibility to adjust the turn-on and turn-off strength of the outputs independently.

The TPS7H60x3-SP drivers feature two control input modes: independent input mode (IIM) and PWM mode. In IIM each of the outputs is controlled by a dedicated input. In PWM mode, two complementary outputs signals are generated from a single input and the user can adjust the dead time for each edge.

The gate drivers also offer user configurable input interlock in independent input mode as anti-shoot through protection. Input interlock disallows turn-on of both outputs when both inputs are on simultaneously. The user has the option to enable or disable this protection in independent input mode, which allows the driver to be used in a number of different converter configurations. The drivers can also be utilized for both half-bridge and dual-low side converter applications.

The TPS7H60x3-SP series of radiation-hardness-assured (RHA) gallium nitride (GaN) field effect transistor (FET) gate drivers is designed for high frequency, high efficiency applications. The series consists of the TPS7H6003-SP (200V rating), TPS7H6013-SP (60V rating), and the TPS7H6023-SP (22V rating). The drivers feature adjustable dead time capability, small 30ns propagation delay, and 5.5ns high-side and low-side matching. These parts also include internal high-side and low-side LDOs which ensure a drive voltage of 5V regardless of supply voltage. The TPS7H60x3-SP drivers all have split-gate outputs, providing flexibility to adjust the turn-on and turn-off strength of the outputs independently.

The TPS7H60x3-SP drivers feature two control input modes: independent input mode (IIM) and PWM mode. In IIM each of the outputs is controlled by a dedicated input. In PWM mode, two complementary outputs signals are generated from a single input and the user can adjust the dead time for each edge.

The gate drivers also offer user configurable input interlock in independent input mode as anti-shoot through protection. Input interlock disallows turn-on of both outputs when both inputs are on simultaneously. The user has the option to enable or disable this protection in independent input mode, which allows the driver to be used in a number of different converter configurations. The drivers can also be utilized for both half-bridge and dual-low side converter applications.
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유형 직함 날짜
* Data sheet TPS7H60x3-SP Radiation-Hardness-Assured 1.3A, 2.5A, Half Bridge GaN FET Gate Drivers datasheet (Rev. C) PDF | HTML 2024/04/17
* Radiation & reliability report TPS7H60X3-SP Neutron Displacement Damage (NDD) Characterization Report (Rev. A) PDF | HTML 2024/08/13
* Radiation & reliability report TPS7H6023-SP Total Ionizing Dose (TID) Radiation Report 2024/07/01
* Radiation & reliability report TPS7H6003-SP Single-Event Effects (SEE) Report (Rev. A) PDF | HTML 2024/06/17
* SMD TPS7H6023-SP SMD 5962-22201 2024/04/30
Application brief DLA Approved Optimizations for QML Products (Rev. B) PDF | HTML 2024/10/23
Selection guide TI Space Products (Rev. J) 2024/02/12
More literature TI Engineering Evaluation Units vs. MIL-PRF-38535 QML Class V Processing (Rev. A) 2023/08/31
Application note QML flow, its importance, and obtaining lot information (Rev. C) 2023/08/30
Application note Heavy Ion Orbital Environment Single-Event Effects Estimations (Rev. A) PDF | HTML 2022/11/17
Application note DLA Standard Microcircuit Drawings (SMD) and JAN Part Numbers Primer 2020/08/21
Application note Hermetic Package Reflow Profiles, Termination Finishes, and Lead Trim and Form PDF | HTML 2020/05/18
E-book Radiation Handbook for Electronics (Rev. A) 2019/05/21

설계 및 개발

추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.

평가 보드

TPS7H6023EVM-CVAL — TPS7H6023-SP 평가 모듈

TPS7H6023EVM-CVAL 사용 설명서는 TPS7H6023-SP 평가 모듈 작동에 필요한 포괄적인 지침을 제공합니다. 이 보드는 최대 14V 입력을 수용하며 설계자는 GaN(질화 갈륨) FET를 구동하여 TPS7H6023-SP의 신뢰성을 테스트할 수 있습니다. 기본적으로 평가 모듈은 하나의 스위칭 신호 입력을 수용하고 내부적으로 보완전 신호를 생성하는 TPS7H6023-SP의 PWM 모드로 실행되도록 설정되어 있습니다.
사용 설명서: PDF | HTML
TI.com에서 구매 불가
평가 보드

ALPHA-3P-ADM-VA601-SPACE-AMD — AMD Versal 코어 XQRVC1902 ACAP 및 TI 방사선 내성 제품을 사용하는 Alpha Data ADM-VA601 키트

AMD-Xilinx®® Versal AI Core XQRVC1902 적응형 SoC/FPGA를 강조하는 6U VPX 폼 팩터입니다. ADM-VA600은 FMC+ 커넥터 1개, DDR4 DRAM 및 시스템 모니터링 기능을 갖춘 모듈식 보드 설계입니다. 대부분의 구성 요소는 방사능 내성 전원 관리, 인터페이스, 클로킹 및 임베디드 프로세싱(-SEP) 장치입니다.

발송: Alpha Data Parallel Systems Ltd.
파트너 사이트 방문
시뮬레이션 모델

TPS7H60x3-SP PSpice Transient Model

SNOM790.ZIP (46 KB) - PSpice Model
다운로드
시뮬레이션 모델

TPS7H60x3-SP SIMPLIS Model

SNOM781.ZIP (22 KB) - SIMPLIS Model
다운로드
시뮬레이션 툴

PSPICE-FOR-TI — TI 설계 및 시뮬레이션 툴용 PSpice®

TI용 PSpice®는 아날로그 회로의 기능을 평가하는 데 사용되는 설계 및 시뮬레이션 환경입니다. 완전한 기능을 갖춘 이 설계 및 시뮬레이션 제품군은 Cadence®의 아날로그 분석 엔진을 사용합니다. 무료로 제공되는 TI용 PSpice에는 아날로그 및 전력 포트폴리오뿐 아니라 아날로그 행동 모델에 이르기까지 업계에서 가장 방대한 모델 라이브러리 중 하나가 포함되어 있습니다.

TI 설계 및 시뮬레이션 환경용 PSpice는 기본 제공 라이브러리를 이용해 복잡한 혼합 신호 설계를 시뮬레이션할 수 있습니다. 레이아웃 및 제작에 (...)
요청
레퍼런스 디자인

PMP23389 — 우주 등급 12V~5V 15A 동기 벅 컨버터 레퍼런스 설계

이 레퍼런스 설계는 TPS7H5002-SP PWM 컨트롤러를 사용하여 최대 15A 부하로 5.1V에서 고정 출력에 정격 12V 입력에 대한 동기 벅을 제어합니다. TPS7H6023-SP는 우주 기반 애플리케이션의 안정적인 설계를 위해 GaN FET를 구동합니다. 출력 전류는 원격 측정 및 과전류 보호를 위해 직접 감지됩니다. 이 설계는 750kHz에서 스위칭하고 출력 리플이 30mV 미만으로 92% 이상의 효율성을 달성합니다.
Test report: PDF
패키지 핀 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
CFP (HBX) 48 Ultra Librarian
TI의 평가 항목에 대한 표준 약관이 적용됩니다.

주문 및 품질

포함된 정보:
  • RoHS
  • REACH
  • 디바이스 마킹
  • 납 마감/볼 재질
  • MSL 등급/피크 리플로우
  • MTBF/FIT 예측
  • 물질 성분
  • 인증 요약
  • 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
  • 팹 위치
  • 조립 위치

권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.

지원 및 교육

TI 엔지니어의 기술 지원을 받을 수 있는 TI E2E™ 포럼

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