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TL074M

ACTIVO

Amplificador operacional cuádruple de calidad militar, entrada JFET, entrada a V+, 30 V, 3 MHz y alt

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LM124AQML ACTIVO Amplificador operacional de tensión de offset de 3 mV, 32 V, 1 MHz, de grado militar, cuádruple, con Wider supply range (3 V to 32 V), and higher slew rate (1V/µs)
Pin por pin con la misma funcionalidad que el dispositivo comparado
LM124M ACTIVO Amplificador operacional cuádruple de grado militar de 30 V y 1.2 MHz con funcionamiento de -55 °C a High GBW (1.2 MHz), low power (0.175 mA), low noise (35 nV/√Hz), high output current (40 mA)

TL074M

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Detalles del producto

Number of channels 4 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V) 30 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V) 7 Rail-to-rail In to V+ GBW (typ) (MHz) 3 Slew rate (typ) (V/µs) 13 Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 6 Iq per channel (typ) (mA) 1.4 Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz) 18 Rating Military Operating temperature range (°C) -55 to 125 Offset drift (typ) (µV/°C) 18 Features Standard Amps Input bias current (max) (pA) 200 CMRR (typ) (dB) 100 Iout (typ) (A) 0.01 Architecture FET Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V) 3 Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V) 0 Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V) 1.5 Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V) -1.5
Number of channels 4 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V) 30 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V) 7 Rail-to-rail In to V+ GBW (typ) (MHz) 3 Slew rate (typ) (V/µs) 13 Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 6 Iq per channel (typ) (mA) 1.4 Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz) 18 Rating Military Operating temperature range (°C) -55 to 125 Offset drift (typ) (µV/°C) 18 Features Standard Amps Input bias current (max) (pA) 200 CMRR (typ) (dB) 100 Iout (typ) (A) 0.01 Architecture FET Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V) 3 Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V) 0 Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V) 1.5 Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V) -1.5
CDIP (J) 14 130.4652 mm² 19.56 x 6.67 CFP (W) 14 58.023 mm² 9.21 x 6.3 LCCC (FK) 20 79.0321 mm² 8.89 x 8.89
  • High slew rate: 20 V/µs (TL07xH, typ)
  • Low offset voltage: 1 mV (TL07xH, typ)
  • Low offset voltage drift: 2 µV/°C
  • Low power consumption: 940 µA/ch (TL07xH, typ)
  • Wide common-mode and differential voltage ranges
    • Common-mode input voltage range includes V CC+
  • Low input bias and offset currents
  • Low noise: V n = 18 nV/√ Hz (typ) at f = 1 kHz
  • Output short-circuit protection
  • Low total harmonic distortion: 0.003% (typ)
  • Wide supply voltage: ±2.25 V to ±20 V, 4.5 V to 40 V
  • High slew rate: 20 V/µs (TL07xH, typ)
  • Low offset voltage: 1 mV (TL07xH, typ)
  • Low offset voltage drift: 2 µV/°C
  • Low power consumption: 940 µA/ch (TL07xH, typ)
  • Wide common-mode and differential voltage ranges
    • Common-mode input voltage range includes V CC+
  • Low input bias and offset currents
  • Low noise: V n = 18 nV/√ Hz (typ) at f = 1 kHz
  • Output short-circuit protection
  • Low total harmonic distortion: 0.003% (typ)
  • Wide supply voltage: ±2.25 V to ±20 V, 4.5 V to 40 V

The TL07xH (TL071H, TL072H, and TL074H) family of devices are the next-generation versions of the industry-standard TL07x (TL071, TL072, and TL074) devices. These devices provide outstanding value for cost-sensitive applications, with features including low offset (1 mV, typical), high slew rate (20 V/µs), and common-mode input to the positive supply. High ESD (1.5 kV, HBM), integrated EMI and RF filters, and operation across the full –40°C to 125°C enable the TL07xH devices to be used in the most rugged and demanding applications.

The TL07xH (TL071H, TL072H, and TL074H) family of devices are the next-generation versions of the industry-standard TL07x (TL071, TL072, and TL074) devices. These devices provide outstanding value for cost-sensitive applications, with features including low offset (1 mV, typical), high slew rate (20 V/µs), and common-mode input to the positive supply. High ESD (1.5 kV, HBM), integrated EMI and RF filters, and operation across the full –40°C to 125°C enable the TL07xH devices to be used in the most rugged and demanding applications.

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Documentación técnica

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Tipo Título Fecha
* Data sheet TL07xx Low-Noise FET-Input Operational Amplifiers datasheet (Rev. V) PDF | HTML 12 abr 2023

Pedidos y calidad

Información incluida:
  • RoHS
  • REACH
  • Marcado del dispositivo
  • Acabado de plomo/material de la bola
  • Clasificación de nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) / reflujo máximo
  • Estimaciones de tiempo medio entre fallas (MTBF)/fallas en el tiempo (FIT)
  • Contenido del material
  • Resumen de calificaciones
  • Monitoreo continuo de confiabilidad
Información incluida:
  • Lugar de fabricación
  • Lugar de ensamblaje

Soporte y capacitación

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