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BQ2204A

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4 バンクの SRAM 向け、SRAM 不揮発性コントローラ IC

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製品詳細

Features 4-Bank SRAM, CMOS, Non-volatile controller, Write-protection Operating current (typ) (µA) 3000 Rating Catalog Vin (max) (V) 5.5 Operating temperature range (°C) -40 to 85
Features 4-Bank SRAM, CMOS, Non-volatile controller, Write-protection Operating current (typ) (µA) 3000 Rating Catalog Vin (max) (V) 5.5 Operating temperature range (°C) -40 to 85
PDIP (N) 16 181.42 mm² 19.3 x 9.4 SOIC (D) 16 59.4 mm² 9.9 x 6
  • Power monitoring and switching for 3-volt battery-backup applications
  • Write-protect control
  • 2-input decoder for control of up to 4 banks of SRAM
  • 3-volt primary cell inputs
  • Less than 10ns chip-enable propagation delay
  • 5% or 10% supply operation
  • Power monitoring and switching for 3-volt battery-backup applications
  • Write-protect control
  • 2-input decoder for control of up to 4 banks of SRAM
  • 3-volt primary cell inputs
  • Less than 10ns chip-enable propagation delay
  • 5% or 10% supply operation

The CMOS bq2204A SRAM Non-volatile Controller Unit provides all necessary functions for converting up to four banks of standard CMOS SRAM into nonvolatile read/write memory.

A precision comparator monitors the 5V VCC input for an out-of-tolerance condi-tion. When out-of-tolerance is detected, the four conditioned chip-enable outputs are forced inactive to write-protect up to four banks of SRAM.

During a power failure, the external SRAMs are switched from the VCC supply to one of two 3V backup sup-plies. On a subsequent power-up, the SRAMs are write-protected until a power-valid condition exists.

During power-valid operation, a two-input decoder transparently selects one of up to four banks of SRAM.

The CMOS bq2204A SRAM Non-volatile Controller Unit provides all necessary functions for converting up to four banks of standard CMOS SRAM into nonvolatile read/write memory.

A precision comparator monitors the 5V VCC input for an out-of-tolerance condi-tion. When out-of-tolerance is detected, the four conditioned chip-enable outputs are forced inactive to write-protect up to four banks of SRAM.

During a power failure, the external SRAMs are switched from the VCC supply to one of two 3V backup sup-plies. On a subsequent power-up, the SRAMs are write-protected until a power-valid condition exists.

During power-valid operation, a two-input decoder transparently selects one of up to four banks of SRAM.
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技術資料

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種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート X4 SRAM Nonvolatile Controller Unit データシート 1999年 9月 5日

設計および開発

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パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
PDIP (N) 16 Ultra Librarian
SOIC (D) 16 Ultra Librarian
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購入と品質

記載されている情報：
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

サポートとトレーニング

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