パッケージ情報
| パッケージ | ピン数 VQFN (RGE) | 24 |
| 動作温度範囲 (℃) -40 to 125 |
| パッケージ数量 | キャリア 3,000 | LARGE T&R |
DRV8300 の特徴
- 100V 3 相ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ
- N チャネル MOSFET (NMOS) を駆動
- ゲート・ドライバ電源 (GVDD)：5～20V
- MOSFET 電源 (SHx) は最大 100V をサポート
- 内蔵ブートストラップ・ダイオード (DRV8300D デバイス)
- 反転および非反転 INLx 入力をサポート
- ブートストラップ・ゲート駆動アーキテクチャ
- 750mA のソース電流
- 1.5A のシンク電流
- 最大 15S のバッテリ駆動アプリケーションをサポート
- SHx ピンの低リーク電流 (55µA 未満)
- BSTx 電圧の絶対最大定格：125V
- SHx で -22V までの負過渡電圧をサポート
- クロス導通防止機能を内蔵
- DT ピンでデッドタイムを調整可能 (QFN パッケージ品)
- 200ns の固定デッドタイム挿入 (TSSOP パッケージ品)
- 3.3V および 5V ロジック入力 (絶対最大定格 20V) をサポート
- 4ns (代表値) の伝搬遅延マッチング
- 小型の QFN および TSSOP パッケージ
- パワー・ブロックによる効率的なシステム設計
- 保護機能内蔵
- BST 低電圧誤動作防止 (BSTUV)
- GVDD 低電圧 (GVDDUV)
DRV8300 に関する概要
DRV8300 は、ハイサイドおよびローサイド N チャネル・パワー MOSFET を駆動できる 100V 3 相ハーフブリッジ・ゲート・ドライバです。DRV8300D は、内蔵ブートストラップ・ダイオードと外付けコンデンサを使ってハイサイド MOSFET のために適切なゲート駆動電圧を生成します。DRV8300N は、外付けブートストラップ・ダイオードと外付けコンデンサを使ってハイサイド MOSFET のために適切なゲート駆動電圧を生成します。GVDD は、ローサイド MOSFET のゲート駆動電圧を生成するために使います。このゲート駆動アーキテクチャは、ピークで最大 750mA のソース電流と 1.5A のシンク電流に対応します。
位相ピン SHx は大きな負電圧過渡に耐えます。一方、ハイサイド・ゲート・ドライバ電源 BSTx および GHx はさらに大きな正電圧過渡 (絶対最大定格電圧 125V) に対応できるため、システムの堅牢性を高めることができます。伝搬遅延が短く、遅延マッチング仕様によりデッドタイムの要件が最小化されるため、さらに効率が向上します。GVDD と BST の低電圧誤動作防止による低電圧保護機能がローサイドとハイサイドの両方に備わっています。