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SN74ABT861

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3 ステート出力、10 ビット・トランシーバ

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製品詳細

Supply voltage (min) (V) 4.5 Supply voltage (max) (V) 5.5 Number of channels 10 IOL (max) (mA) 64 IOH (max) (mA) -32 Input type TTL Output type TTL Features Over-voltage tolerant inputs, Partial power down (Ioff), Power up 3-state, Very high speed (tpd 5-10ns) Technology family ABT Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85
Supply voltage (min) (V) 4.5 Supply voltage (max) (V) 5.5 Number of channels 10 IOL (max) (mA) 64 IOH (max) (mA) -32 Input type TTL Output type TTL Features Over-voltage tolerant inputs, Partial power down (Ioff), Power up 3-state, Very high speed (tpd 5-10ns) Technology family ABT Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85
SOIC (DW) 24 159.65 mm² 15.5 x 10.3
  • State-of-the-Art EPIC-II BTM BiCMOS Design Significantly Reduces Power Dissipation
  • ESD Protection Exceeds 2000 V Per MIL-STD-883, Method 3015; Exceeds 200 V Using Machine Model (C = 200 pF, R = 0)
  • High-Impedance State During Power Up and Power Down
  • Latch-Up Performance Exceeds 500 mA Per JEDEC Standard JESD-17
  • High-Drive Outputs (-32-mA IOH, 64-mA IOL)
  • Package Options Include Plastic Small-Outline (DW) Package, Ceramic Chip Carriers (FK), and Plastic (NT) and Ceramic (JT) DIPs

EPIC-IIB is a trademark of Texas Instruments Incorporated.
  • State-of-the-Art EPIC-II BTM BiCMOS Design Significantly Reduces Power Dissipation
  • ESD Protection Exceeds 2000 V Per MIL-STD-883, Method 3015; Exceeds 200 V Using Machine Model (C = 200 pF, R = 0)
  • High-Impedance State During Power Up and Power Down
  • Latch-Up Performance Exceeds 500 mA Per JEDEC Standard JESD-17
  • High-Drive Outputs (-32-mA IOH, 64-mA IOL)
  • Package Options Include Plastic Small-Outline (DW) Package, Ceramic Chip Carriers (FK), and Plastic (NT) and Ceramic (JT) DIPs

EPIC-IIB is a trademark of Texas Instruments Incorporated.

The 'ABT861 are 10-bit transceivers designed for asynchronous communication between data buses. The control-function implementation allows for maximum flexibility in timing.

These devices allow noninverted data transmission from the A bus to the B bus or from the B bus to the A bus, depending on the logic levels at the output-enable (OEAB\ and OEBA\) inputs.

When VCC is between 0 and 2.1 V, the device is in the high-impedance state during power up or power down. However, to ensure the high-impedance state above 2.1 V, OE\ should be tied to VCC through a pullup resistor; the minimum value of the resistor is determined by the current-sinking capability of the driver.

The SN54ABT861 is characterized for operation over the full military temperature range of -55°C to 125°C. The SN74ABT861 is characterized for operation from -40°C to 85°C.

The 'ABT861 are 10-bit transceivers designed for asynchronous communication between data buses. The control-function implementation allows for maximum flexibility in timing.

These devices allow noninverted data transmission from the A bus to the B bus or from the B bus to the A bus, depending on the logic levels at the output-enable (OEAB\ and OEBA\) inputs.

When VCC is between 0 and 2.1 V, the device is in the high-impedance state during power up or power down. However, to ensure the high-impedance state above 2.1 V, OE\ should be tied to VCC through a pullup resistor; the minimum value of the resistor is determined by the current-sinking capability of the driver.

The SN54ABT861 is characterized for operation over the full military temperature range of -55°C to 125°C. The SN74ABT861 is characterized for operation from -40°C to 85°C.

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技術資料

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設計および開発

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評価ボード

14-24-LOGIC-EVM — 14 ピンから 24 ピンの D、DB、DGV、DW、DYY、NS、PW の各パッケージに封止した各種ロジック製品向けの汎用評価基板

14-24-LOGIC-EVM 評価基板 (EVM) は、14 ピンから 24 ピンの D、DW、DB、NS、PW、DYY、DGV の各パッケージに封止した各種ロジック デバイスをサポートする設計を採用しています。

ユーザー ガイド: PDF | HTML
TI.com で取り扱いなし
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
SOIC (DW) 24 Ultra Librarian
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購入と品質

記載されている情報：
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

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