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TPS7H2201-SP

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耐放射線特性、QMLV と QMLP、1.5V ～ 7V 入力、6A eFuse

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製品詳細

FET Internal Ron (typ) (mΩ) 34 Vin (min) (V) 1.5 Vin (max) (V) 7 Vabsmax_cont (V) 7.5 Current limit (min) (A) 0.5 Current limit (max) (A) 7.5 Overcurrent response Circuit breaker, Current limiting, current limiting Fault response Auto-retry Soft start Adjustable Overvoltage response Cut-off Features Current monitoring, Overvoltage protection, Reverse current blocking always, Soft-start, Thermal shutdown Rating Space Device type eFuses and hot swap controllers Operating temperature range (°C) -55 to 125 Quiescent current (Iq) (typ) (A) 0.0058 Quiescent current (Iq) (max) (A) 0.008
FET Internal Ron (typ) (mΩ) 34 Vin (min) (V) 1.5 Vin (max) (V) 7 Vabsmax_cont (V) 7.5 Current limit (min) (A) 0.5 Current limit (max) (A) 7.5 Overcurrent response Circuit breaker, Current limiting, current limiting Fault response Auto-retry Soft start Adjustable Overvoltage response Cut-off Features Current monitoring, Overvoltage protection, Reverse current blocking always, Soft-start, Thermal shutdown Rating Space Device type eFuses and hot swap controllers Operating temperature range (°C) -55 to 125 Quiescent current (Iq) (typ) (A) 0.0058 Quiescent current (Iq) (max) (A) 0.008
CFP (HKR) 16 105.6 mm² 11 x 9.6 DIESALE (KGD) — See data sheet HTSSOP (DAP) 32 89.1 mm² 11 x 8.1
  • 標準的なマイクロ回路 SMD 5962R17220 が利用可能
  • VID (Vendor Item Drawing) V62/23608 が利用可能
  • 耐放射線性能：
    • 放射線耐性保証 (RHA)：TID 最大 100krad(Si)
    • シングル イベント ラッチアップ (SEL)、シングル イベント バーンアウト (SEB)、シングル イベント ゲート ラプチャー (SEGR) 耐性：LET = 75MeV-cm2/mg
    • SEFI/SET 特性：LET = 75MeV-cm2/mg
  • シングル チャネル eFuse を内蔵
  • 入力電圧範囲：1.5V～7V
  • 低いオン抵抗 (RON)：
    • CFP および KGD の場合、25℃、VIN = 5V で最大 35mΩ
    • HTSSOP の場合、25℃、VIN = 5V で最大 23mΩ
  • 最大連続スイッチ電流：6A
  • 制御入力スレッショルドが低いため、1.2、1.8、2.5、3.3V ロジックを使用可能
  • 立ち上がり時間を設定可能 (ソフト スタート)
  • 逆電流保護
  • プログラム可能な内部電流制限 (高速トリップ)
  • プログラム可能なフォルト タイマ (電流制限および再試行モード)
  • サーマル シャットダウン
  • サーマル パッド付きのセラミックおよびプラスチック パッケージ
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  • VID (Vendor Item Drawing) V62/23608 が利用可能
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    • CFP および KGD の場合、25℃、VIN = 5V で最大 35mΩ
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  • サーマル パッド付きのセラミックおよびプラスチック パッケージ

TPS7H2201 は、突入電流が最小になるように立ち上がり時間を設定でき、逆電流保護機能を備えたシングル チャネルの eFuse です。このデバイスは、1.5V～7V の入力電圧範囲で動作でき、最大 6A の連続電流をサポートできる P チャネル MOSFET を内蔵しています。このスイッチは、オン オフ入力 (EN) により制御され、低電圧の制御信号と直接接続可能です。

TPS7H2201 は、大きい電力消費が可能なサーマル パッドを備えたセラミックおよびプラスチック パッケージで供給されます。このデバイスは、-55℃～125℃の自由気流の周囲温度範囲で動作が規定されています。

TPS7H2201 は、突入電流が最小になるように立ち上がり時間を設定でき、逆電流保護機能を備えたシングル チャネルの eFuse です。このデバイスは、1.5V～7V の入力電圧範囲で動作でき、最大 6A の連続電流をサポートできる P チャネル MOSFET を内蔵しています。このスイッチは、オン オフ入力 (EN) により制御され、低電圧の制御信号と直接接続可能です。

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技術資料

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種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート TPS7H2201-SP および TPS7H2201-SEP 放射線耐性を強化した 1.5V～7V、6A eFuse データシート (Rev. F 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.F) PDF | HTML 2024年 3月 27日
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設計および開発

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パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
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DIESALE (KGD) —
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TI の評価品に関する標準契約約款が適用されます。

購入と品質

記載されている情報：
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

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サポートとトレーニング

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