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TS3L501E

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パワーダウン・モード搭載、3.3V、2:1 (SPDT)、11 チャネル・イーサネット LAN スイッチ

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TS3L501E

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製品詳細

Protocols 10 BASE-T, 100 BASE-T, 1000 BASE-T, LAN, LVDS Configuration 2:1 SPDT Number of channels 11 Bandwidth (MHz) 600 Supply voltage (max) (V) 3.6 Supply voltage (min) (V) 3 Ron (typ) (mΩ) 4000 Input/output voltage (min) (V) 0 Input/output voltage (max) (V) 3.6 Supply current (typ) (µA) 250 ESD HBM (typ) (kV) 6 Operating temperature range (°C) -40 to 85 Crosstalk (dB) -37 ESD CDM (kV) 4 Input/output continuous current (max) (mA) 128 COFF (typ) (pF) 3 CON (typ) (pF) 9 Off isolation (typ) (dB) -37 OFF-state leakage current (max) (µA) 1 Propagation delay time (µs) 0.0003 Ron (max) (mΩ) 8000 Ron channel match (max) (Ω) 1.5 RON flatness (typ) (Ω) 0.7 Turnoff time (disable) (max) (ns) 0.9 Turnon time (enable) (max) (ns) 0.5 VIH (min) (V) 2 VIL (max) (V) 0.8
Protocols 10 BASE-T, 100 BASE-T, 1000 BASE-T, LAN, LVDS Configuration 2:1 SPDT Number of channels 11 Bandwidth (MHz) 600 Supply voltage (max) (V) 3.6 Supply voltage (min) (V) 3 Ron (typ) (mΩ) 4000 Input/output voltage (min) (V) 0 Input/output voltage (max) (V) 3.6 Supply current (typ) (µA) 250 ESD HBM (typ) (kV) 6 Operating temperature range (°C) -40 to 85 Crosstalk (dB) -37 ESD CDM (kV) 4 Input/output continuous current (max) (mA) 128 COFF (typ) (pF) 3 CON (typ) (pF) 9 Off isolation (typ) (dB) -37 OFF-state leakage current (max) (µA) 1 Propagation delay time (µs) 0.0003 Ron (max) (mΩ) 8000 Ron channel match (max) (Ω) 1.5 RON flatness (typ) (Ω) 0.7 Turnoff time (disable) (max) (ns) 0.9 Turnon time (enable) (max) (ns) 0.5 VIH (min) (V) 2 VIL (max) (V) 0.8
WQFN (RUA) 42 31.5 mm² 9 x 3.5
  • パワーダウン・モードを内蔵
  • 広い帯域幅 (BW = 600MHz (標準値))
  • 小さいクロストーク (XTALK = -37dB (標準値)、250MHz 時)
  • 小さいビット間スキュー (tsk(o) ≦ 100ps)
  • 小さくフラットなオン抵抗 (ron = 4Ω (標準値)、ron(flat) = 0.5Ω (標準値))
  • 小さい入力および出力容量 (CON = 9pF (標準値))
  • データ I/O ポートでのレール・ツー・レールのスイッチング (0V～3.6V)
  • VCC 動作範囲：3V～3.6V
  • パワーダウン・モードのサポート
  • JESD 78、Class II 準拠で 100mA 超のラッチアップ性能
  • ESD 性能 (A、B、C、LED ピン)
    • ±4kV：IEC61000-4-2、接触放電
    • 6kV：JESD22-A114E、人体モデル (スイッチ I/O ピンと GND との間)
  • ESD 性能 (すべてのピン)
    • 2kV：JESD22-A114E、人体モデル
  • パワーダウン・モードを内蔵
  • 広い帯域幅 (BW = 600MHz (標準値))
  • 小さいクロストーク (XTALK = -37dB (標準値)、250MHz 時)
  • 小さいビット間スキュー (tsk(o) ≦ 100ps)
  • 小さくフラットなオン抵抗 (ron = 4Ω (標準値)、ron(flat) = 0.5Ω (標準値))
  • 小さい入力および出力容量 (CON = 9pF (標準値))
  • データ I/O ポートでのレール・ツー・レールのスイッチング (0V～3.6V)
  • VCC 動作範囲：3V～3.6V
  • パワーダウン・モードのサポート
  • JESD 78、Class II 準拠で 100mA 超のラッチアップ性能
  • ESD 性能 (A、B、C、LED ピン)
    • ±4kV：IEC61000-4-2、接触放電
    • 6kV：JESD22-A114E、人体モデル (スイッチ I/O ピンと GND との間)
  • ESD 性能 (すべてのピン)
    • 2kV：JESD22-A114E、人体モデル

TS3L501E は、選択入力 (SEL) とパワーダウン・モード入力を備えた 11 チャネル SPDT アナログ・スイッチまたは 22 ビット - 11 ビット・マルチプレクサ / デマルチプレクサ LAN スイッチです。本デバイスは、LED 信号を示すステータスを切り替えるための追加の I/O を備えており、また優れた ESD 保護機能を備えています。SEL 入力は、マルチプレクサまたはデマルチプレクサのデータ・パスを制御します。パワーダウン入力を使うと、モード選択によって消費電流を最小限に抑えるために、本デバイスをスタンバイ・モードに移行させることができます。

本デバイスは、オン抵抗 (ron) が小さくフラットであり、オン抵抗のマッチングが非常に優れています。入力または出力の静電容量が小さく、帯域幅が広く、スキューが小さく、チャネル間のクロストークが小さいため、このデバイスは 10/100/1000 Base-T などの各種 LAN アプリケーションに適しています。このデバイスは、LAN アプリケーションの機械式リレーを置き換えるために使用できます。本デバイスは、10/100 Base-T のイーサネット・トランシーバからの信号を、ラップトップやドッキング・ステーションの RJ-45 LAN コネクタへ転送するためにも使用できます。

このデバイスは、-40℃～85℃の周囲温度範囲で動作が規定されています。

TS3L501E は、選択入力 (SEL) とパワーダウン・モード入力を備えた 11 チャネル SPDT アナログ・スイッチまたは 22 ビット - 11 ビット・マルチプレクサ / デマルチプレクサ LAN スイッチです。本デバイスは、LED 信号を示すステータスを切り替えるための追加の I/O を備えており、また優れた ESD 保護機能を備えています。SEL 入力は、マルチプレクサまたはデマルチプレクサのデータ・パスを制御します。パワーダウン入力を使うと、モード選択によって消費電流を最小限に抑えるために、本デバイスをスタンバイ・モードに移行させることができます。

本デバイスは、オン抵抗 (ron) が小さくフラットであり、オン抵抗のマッチングが非常に優れています。入力または出力の静電容量が小さく、帯域幅が広く、スキューが小さく、チャネル間のクロストークが小さいため、このデバイスは 10/100/1000 Base-T などの各種 LAN アプリケーションに適しています。このデバイスは、LAN アプリケーションの機械式リレーを置き換えるために使用できます。本デバイスは、10/100 Base-T のイーサネット・トランシーバからの信号を、ラップトップやドッキング・ステーションの RJ-45 LAN コネクタへ転送するためにも使用できます。

このデバイスは、-40℃～85℃の周囲温度範囲で動作が規定されています。
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技術資料

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* データシート TS3L501E 11 チャネル SPDT / 22 ビット - 11 ビット・マルチプレクサ / デマルチプレクサ・イーサネット LAN スイッチ、パワーダウン・モード付き データシート (Rev. D 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.D) PDF | HTML 2022年 12月 8日
アプリケーション・ノート Preventing Excess Power Consumption on Analog Switches 2008年 7月 3日
アプリケーション・ノート Semiconductor Packing Material Electrostatic Discharge (ESD) Protection 2004年 7月 8日

設計および開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
WQFN (RUA) 42 Ultra Librarian
TI の評価品に関する標準契約約款が適用されます。

購入と品質

記載されている情報：
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

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