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UCC21220

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비활성화 핀, MOSFET 및 GaNFET용 8V UVLO를 지원하는 3.0kVrms, 4A/6A 유얼 채널 절연 게이트 드라이버

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제품 상세 정보

Number of channels 2 Isolation rating Basic Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 990 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242 Power switch IGBT, MOSFET Peak output current (A) 6 Features Disable Output VCC/VDD (max) (V) 18 Output VCC/VDD (min) (V) 9.2 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.028 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Bootstrap supply voltage (max) (V) 990 Rise time (ns) 5 Fall time (ns) 6 Undervoltage lockout (typ) (V) 5, 8
Number of channels 2 Isolation rating Basic Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 990 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242 Power switch IGBT, MOSFET Peak output current (A) 6 Features Disable Output VCC/VDD (max) (V) 18 Output VCC/VDD (min) (V) 9.2 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.028 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Bootstrap supply voltage (max) (V) 990 Rise time (ns) 5 Fall time (ns) 6 Undervoltage lockout (typ) (V) 5, 8
SOIC (D) 16 59.4 mm² 9.9 x 6
  • Universal: dual low-side, dual high-side or half-bridge driver
  • Supports basic and functional isolation
  • CMTI greater than 125V/ns
  • Up to 4A peak source, 6A peak sink output
  • Switching parameters:
    • 33ns typical propagation delay
    • 5ns maximum pulse-width distortion
    • 10µs maximum VDD power-up delay
  • Up to 25V VDD output drive supply
    • 5V and 8V VDD UVLO Options
  • Junction temperature range (Tj) –40°C to 150°C
  • Narrow body SOIC-16 (D) package
  • TTL and CMOS compatible inputs
  • Safety-related certifications:
    • 4242VPK isolation per DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) (planned)
    • 3000VRMS isolation for 1 minute per UL 1577 (planned)
    • CQC certification per GB4943.1-2022 (planned)
  • Universal: dual low-side, dual high-side or half-bridge driver
  • Supports basic and functional isolation
  • CMTI greater than 125V/ns
  • Up to 4A peak source, 6A peak sink output
  • Switching parameters:
    • 33ns typical propagation delay
    • 5ns maximum pulse-width distortion
    • 10µs maximum VDD power-up delay
  • Up to 25V VDD output drive supply
    • 5V and 8V VDD UVLO Options
  • Junction temperature range (Tj) –40°C to 150°C
  • Narrow body SOIC-16 (D) package
  • TTL and CMOS compatible inputs
  • Safety-related certifications:
    • 4242VPK isolation per DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) (planned)
    • 3000VRMS isolation for 1 minute per UL 1577 (planned)
    • CQC certification per GB4943.1-2022 (planned)

The UCC21220 and UCC21220A devices are basic and functional isolated dual-channel gate drivers with 4A peak-source and 6A peak-sink current. They are designed to drive power MOSFETs and GaNFETs in PFC, Isolated DC/DC, and synchronous rectification applications, with fast switching performance and robust ground bounce protection through greater than 125V/ns common-mode transient immunity (CMTI).

These devices can be configured as two low-side drivers, two high-side drivers, or half-bridge drivers. Two outputs can be paralleled to form a single driver which doubles the drive strength for heavy load conditions due to the best-in-class delay matching performance.

Protection features include the following: DIS pin shuts down both outputs simultaneously when it is set high, all supplies have undervoltage lockout (UVLO), and active pulldown protection clamps the output below 2V when unpowered or floated.

With these features, these devices enable high efficiency, high power density, and robustness in a wide variety of power applications.

The UCC21220 and UCC21220A devices are basic and functional isolated dual-channel gate drivers with 4A peak-source and 6A peak-sink current. They are designed to drive power MOSFETs and GaNFETs in PFC, Isolated DC/DC, and synchronous rectification applications, with fast switching performance and robust ground bounce protection through greater than 125V/ns common-mode transient immunity (CMTI).

These devices can be configured as two low-side drivers, two high-side drivers, or half-bridge drivers. Two outputs can be paralleled to form a single driver which doubles the drive strength for heavy load conditions due to the best-in-class delay matching performance.

Protection features include the following: DIS pin shuts down both outputs simultaneously when it is set high, all supplies have undervoltage lockout (UVLO), and active pulldown protection clamps the output below 2V when unpowered or floated.

With these features, these devices enable high efficiency, high power density, and robustness in a wide variety of power applications.
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설계 및 개발

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평가 보드

UCC21220EVM-009 — UCC21220 4A, 6A 3.0kVRMS 절연 듀얼 채널 게이트 드라이버 평가 모듈

UCC21220EVM-009 is designed for evaluating UCC21220, which is a 3.0-kVRMS Isolated Dual-Channel Gate Driver with 4.0-A source and 6.0-A sink peak current capability. This EVM could be served to evaluate the driver IC against its datsheet. The EVM can also be used as Driver IC component selection (...)
사용 설명서: PDF
TI.com에서 구매 불가
시뮬레이션 모델

UCC21220AD PSpice Transient Model

SLUM649.ZIP (58 KB) - PSpice Model
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시뮬레이션 모델

UCC21220AD Unencrypted PSpice Transient Model

SLUM650.ZIP (3 KB) - PSpice Model
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시뮬레이션 모델

UCC21220D PSpice Transient Model

SLUM602.ZIP (51 KB) - PSpice Model
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시뮬레이션 모델

UCC21220D Unencrypted PSpice Transient Model

SLUM603.ZIP (3 KB) - PSpice Model
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계산 툴

SLURAZ5 — UCC21520 Bootstrap Calculator 1.0

지원되는 제품 및 하드웨어

지원되는 제품 및 하드웨어

제품
절연 게이트 드라이버
UCC21220 — 비활성화 핀, MOSFET 및 GaNFET용 8V UVLO를 지원하는 3.0kVrms, 4A/6A 유얼 채널 절연 게이트 드라이버 UCC21222 — 비활성화 핀, 프로그래머블 데드 타임 및 8V UVLO를 지원하는 3.0kVrms 4A/6A 2채널 절연 게이트 드라이버 UCC21520 — DW 패키지의 듀얼 입력 및 비활성화 핀을 갖춘 5.7kVRMS 4A/6A 듀얼 채널 절연 게이트 드라이버 UCC21521 — 듀얼 입력, 활성화, 8V UVLO 및 LGA 패키지를 지원하는 5.7kVrms, 4A/6A 듀얼 채널 절연 게이트 드라이버
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