UCC21222
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Universal: dual low-side, dual high-side or halfbridge driver
- Junction temperature range –40 to +150°C
- Up to 4A peak source and 6A peak sink output
- Common-mode transient immunity (CMTI) greater than 125V/ns
- Up to 25V VDD output drive supply
- 8V, VDD UVLO options
- Switching parameters:
- 33ns typical propagation delay
- 5ns maximum pulse-width distortion
- 10µs maximum VDD power-up delay
- UVLO protection for all power supplies
- Fast disable for power sequencing
- Safety-related certifications (planned):
- 4242VPK isolation per DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)
- 3000VRMS isolation for 1 minute per UL 1577
- CQC Certification per GB4943.1-2022
The UCC21222 is an isolated dual channel gate driver family with programmable dead time and wide temperature range. It is designed with 4A peak-source and 6A peak-sink current to drive power MOSFET, SiC, GaN, and IGBT transistors.
The UCC21222 can be configured as two low-side drivers, two high-side drivers, or a half-bridge driver. The input side is isolated from the two output drivers by a 3kVRMS isolation barrier, with a minimum of 125V/ns common-mode transient immunity (CMTI).
Protection features include: resistor programmable dead time, disable feature to shut down both outputs simultaneously, and integrated de-glitch filter that rejects input transients shorter than 5ns. All supplies have UVLO protection.
With all these advanced features, the UCC21222 device enables high efficiency, high power density, and robustness in a wide variety of power applications.
기술 자료
설계 및 개발
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패키지 | 핀 | CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델 |
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SOIC (D) | 16 | Ultra Librarian |
주문 및 품질
- RoHS
- REACH
- 디바이스 마킹
- 납 마감/볼 재질
- MSL 등급/피크 리플로우
- MTBF/FIT 예측
- 물질 성분
- 인증 요약
- 지속적인 신뢰성 모니터링
- 팹 위치
- 조립 위치
권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.