LMG3622

現行

具有整合式驅動器、防護和電流感測的 650V 120mΩ GaN FET

產品詳細資料

VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 120 ID (max) (A) 8.5 Features Bottom-side cooled, Current sense, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Enable pin, Low Quiescent Current, Low standby current, Overtemperature protection, Slew Rate Control, USB C/PD compatible, Wide input voltage Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 120 ID (max) (A) 8.5 Features Bottom-side cooled, Current sense, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Enable pin, Low Quiescent Current, Low standby current, Overtemperature protection, Slew Rate Control, USB C/PD compatible, Wide input voltage Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
VQFN (REQ) 38 42.4 mm² 8 x 5.3
  • 650-V 120-mΩ GaN power FET
  • Integrated gate driver with low propagation delays and adjustable turn-on slew-rate control
  • Current-sense emulation with high bandwidth and high accuracy
  • Cycle-by-cycle overcurrent protection
  • Overtemperature protection with FLT pin reporting
  • AUX quiescent current: 240 µA
  • AUX standby quiescent current: 50 µA
  • Maximum supply and input logic pin voltage: 26 V
  • 8 mm × 5.3 mm QFN package with thermal pad
  • 650-V 120-mΩ GaN power FET
  • Integrated gate driver with low propagation delays and adjustable turn-on slew-rate control
  • Current-sense emulation with high bandwidth and high accuracy
  • Cycle-by-cycle overcurrent protection
  • Overtemperature protection with FLT pin reporting
  • AUX quiescent current: 240 µA
  • AUX standby quiescent current: 50 µA
  • Maximum supply and input logic pin voltage: 26 V
  • 8 mm × 5.3 mm QFN package with thermal pad

The LMG3622 is a 650-V 120-mΩ GaN power FET intended for switch-mode power-supply applications. The LMG3622 simplifies design and reduces component count by integrating the GaN FET and gate driver in a 8-mm by 5.3-mm QFN package.

Programmable turn-on slew rates provide EMI and ringing control. The current-sense emulation reduces power dissipation compared to the traditional currentsense resistor and allows the low-side thermal pad to be connected to the cooling PCB power ground.

The LMG3622 supports converter light-load efficiency requirements and burst-mode operation with low quiescent currents and fast start-up times. Protection features include under-voltage lockout (UVLO), cycle-by-cycle current limit, and overtemperature protection. Overtemperature protection is reported with the opendrain FLT pin.

The LMG3622 is a 650-V 120-mΩ GaN power FET intended for switch-mode power-supply applications. The LMG3622 simplifies design and reduces component count by integrating the GaN FET and gate driver in a 8-mm by 5.3-mm QFN package.

Programmable turn-on slew rates provide EMI and ringing control. The current-sense emulation reduces power dissipation compared to the traditional currentsense resistor and allows the low-side thermal pad to be connected to the cooling PCB power ground.

The LMG3622 supports converter light-load efficiency requirements and burst-mode operation with low quiescent currents and fast start-up times. Protection features include under-voltage lockout (UVLO), cycle-by-cycle current limit, and overtemperature protection. Overtemperature protection is reported with the opendrain FLT pin.

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類型 標題 日期
* Data sheet LMG3622650-V120-mΩ GaN FET With Integrated Driverand Current-Sense Emulation datasheet (Rev. A) PDF | HTML 2023年 11月 14日
Technical article The benefits of low-power GaN in common AC/DC power topologies PDF | HTML 2024年 1月 30日
Application brief Maximize System Efficiency With Integrated Current Sensing From TI GaN PDF | HTML 2023年 11月 30日
Product overview Designing With the LMG362x Family of Low-Power GaN FETs PDF | HTML 2023年 11月 28日
Certificate LMG3622EVM-082 EU Declaration of Conformity (DoC) 2023年 8月 21日

設計與開發

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開發板

LMG3622EVM-082 — 適用於具 USB Type-C® PD 的 65-W 準諧振返馳轉換器的 LMG3622 評估模組

LMG3622EVM-082 使用具備整合電流感測模擬功能與 GaN FET 的 LMG3622,展示 65-W USB Type-C® 電力傳輸 (PD) 離線轉接器的高效率和高密度。輸入支援通用 90 VAC 至 265 VAC,單輸出在最大電流 3-A 時可設爲 5 V、9 V 和 15 V,最大電流 3.25-A 時則為 20 V,可透過 USB PD 介面控制器進行調整。高達 200-kHz 額定值的高頻運作,可實現較小的解決方案尺寸,同時多模式運作可保持高效率。輸出則採用同步整流以提升效率。

使用指南: PDF | HTML
TI.com 無法提供
計算工具

LMG36XX-CALC LMG36XX Quasi-Resonant Flyback Power Stage Design Calculator

The purpose of this tool is to aid in the design of the main power stage components of a Quasi-Resonant Flyback Converter (QR) with the use LMG36XX integrated GaN FET. Calculations are provided for frequency, voltage/current stresses, and losses in converter.
支援產品和硬體

支援產品和硬體

產品
氮化鎵 (GaN) 功率級
LMG3612 具有整合式驅動器和防護功能的 650-V 120-mΩ GaN FET LMG3616 具有整合式驅動器和防護功能的 650-V 270-mΩ GaN FET LMG3622 具有整合式驅動器、防護和電流感測的 650V 120mΩ GaN FET LMG3624 具有整合式驅動器、防護和電流感測的 650V 170mΩ GaN FET LMG3626 具有整合式驅動器、防護和電流感測的 650V 270mΩ GaN FET
參考設計

TIDA-050074 — 140-W GaN 式 USB PD3.1 USB-C® 變壓器參考設計

‌此參考設計是基於氮化鎵 (GaN) 的 140W AC-DC 電源,具有高效率和功率密度。支援廣泛輸入 (90VAC 至 264VAC) 和輸出 (5V 至 28V) 電壓。它專為應用而設計,例如用於 USB PD3.1 的變壓器設計和用於電動工具的充電器。
Design guide: PDF
參考設計

PMP41037 — 具有 GaN 和 C2000 的 1kW、800V 至 12V 序列半橋雙向 DCX 參考設計

此參考設計為 1kW 雙向 DC 變壓器 (DCX),可以隔離方式將 800V DC 匯流排轉換至 12V。此設計由 F280039C 控制,並持續以諧振腔的諧振頻率運作。一次側使用 LMG3622 GaN 序列半橋來處理最高 900V 的 DC 電壓。序列半橋 (SHB) 可修改為全橋,並將高壓側從 800V 變更為 400V。序列半橋可實現各種 PWM 策略,並且可控制彈性。
Test report: PDF
封裝 針腳 CAD 符號、佔位空間與 3D 模型
VQFN (REQ) 38 Ultra Librarian

訂購與品質

內含資訊:
  • RoHS
  • REACH
  • 產品標記
  • 鉛塗層/球物料
  • MSL 等級/回焊峰值
  • MTBF/FIT 估算值
  • 材料內容
  • 認證摘要
  • 進行中持續性的可靠性監測
內含資訊:
  • 晶圓廠位置
  • 組裝地點

支援與培訓

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