The LMG3612 is a 650-V 120-mΩ GaN power FET intended for switch-mode power-supply applications. The LMG3612 simplifies design and reduces component count by integrating the GaN FET and gate driver in a 8-mm by 5.3-mm QFN package.
Programmable turn-on slew rates provide EMI and ringing control.
The LMG3612 supports converter light-load efficiency requirements and burst-mode operation with low quiescent currents and fast start-up times. Protection features include under-voltage lockout (UVLO) and overtemperature protection. Overtemperature protection is reported with the open-drain FLT pin.
| 類型 | 標題 | 日期 | ||
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| * | Data sheet | LMG3612650-V120-mΩ GaN FET With Integrated Driver datasheet | PDF | HTML | 2023年 11月 14日 |
| Technical article | The benefits of low-power GaN in common AC/DC power topologies | PDF | HTML | 2024年 1月 30日 | |
| Product overview | Designing With the LMG362x Family of Low-Power GaN FETs | PDF | HTML | 2023年 11月 28日 |
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LMG3622EVM-082 使用具備整合電流感測模擬功能與 GaN FET 的 LMG3622，展示 65-W USB Type-C® 電力傳輸 (PD) 離線轉接器的高效率和高密度。輸入支援通用 90 VAC 至 265 VAC，單輸出在最大電流 3-A 時可設爲 5 V、9 V 和 15 V，最大電流 3.25-A 時則為 20 V，可透過 USB PD 介面控制器進行調整。高達 200-kHz 額定值的高頻運作，可實現較小的解決方案尺寸，同時多模式運作可保持高效率。輸出則採用同步整流以提升效率。
| 封裝 | 針腳 | CAD 符號、佔位空間與 3D 模型 |
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| VQFN (REQ) | 38 | Ultra Librarian |
The purpose of this tool is to aid in the design of the main power stage components of a Quasi-Resonant Flyback Converter (QR) with the use of LMG36XX integrated GaN FET.
Rev A